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41 関係: 半導体素子、不揮発性メモリ、主記憶装置、強誘電体メモリ、マイクロプロセッサ、マスクROM、ハードディスクドライブ、ランダムアクセス、レジスタ (コンピュータ)、プロセッサ、デジタルカメラ、フラッシュメモリ、フリップフロップ、キャッシュメモリ、コンデンサ、シャープ、シーケンシャルアクセス、CPU、磁気抵抗メモリ、相変化記録技術、DDR SDRAM、Dynamic Random Access Memory、EEPROM、EPROM、補助記憶装置、記憶装置、集積回路、Flash SSD、NAND型フラッシュメモリ、NOR型フラッシュメモリ、PROM、Random Access Memory、RDRAM、Read only memory、SDRAM、Static Random Access Memory、UV-EPROM、抵抗変化型メモリ、揮発性メモリ、携帯機器、擬似SRAM。
半導体素子
ここでは半導体素子（はんどうたいそし）や半導体部品（-ぶひん）（英:semiconductor device） セミコンダクター・デバイスについて解説する。.
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不揮発性メモリ
不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.
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主記憶装置
主記憶装置（しゅきおくそうち）は、記憶装置の分類で、「補助記憶装置」が一般に外部バスなど比較的CPUから離れていて大容量だが遅い記憶装置を指すのに対し、コンピュータのメインバスなどに直接接続されている記憶装置で、レイテンシやスループットは速いが比較すると小容量である。特に、CPUが入出力命令によって外部のインタフェースを操作するのではなく、「ロード・ストア命令」や、さらには通常の加算などの命令において直接読み書きできる対象であるものを指す。メインメモリ、一次記憶装置とも。.
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強誘電体メモリ
FeRAM 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり・Ferroelectric Random Access Memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(【現】サイプレス・セミコンダクター)による商標で、国内では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。.
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マイクロプロセッサ
マイクロプロセッサ（Microprocessor）とは、コンピュータなどに搭載される、プロセッサを集積回路で実装したものである。 マイクロプロセッサは小型・低価格で大量生産が容易であり、コンピュータのCPUの他、ビデオカード上のGPUなどにも使われている。また用途により入出力などの周辺回路やメモリを内蔵するものもあり、一つのLSIでコンピュータシステムとして動作するものを特にワンチップマイコンと呼ぶ。マイクロプロセッサは一つのLSIチップで機能を完結したものが多いが、複数のLSIから構成されるものもある（チップセットもしくはビットスライスを参照）。 「CPU」、「プロセッサ」、「マイクロプロセッサ」、「MPU」は、ほぼ同義語として使われる場合も多い。本来は「プロセッサ」は処理装置の総称、「CPU」はシステム上で中心的なプロセッサ、「マイクロプロセッサ」および「MPU（Micro-processing unit）」はマイクロチップに実装されたプロセッサである。本項では、主にCPU用のマイクロプロセッサについて述べる。 当初のコンピュータにおいて、CPUは真空管やトランジスタなどの単独素子を大量に使用して構成されたり、集積回路が開発されてからも、たくさんの集積回路の組み合わせとして構成されてきた。製造技術の発達、設計ルールの微細化が進むにつれてチップ上に集積できる素子の数が増え、一つの大規模集積回路にCPU機能を納めることが出来るようになった。汎用のマイクロプロセッサとして最初のものは、1971年にインテルが開発したIntel 4004である。このマイクロプロセッサは当初電卓用に開発された、性能が非常に限られたものであったが、生産や利用が大幅に容易となったため大量に使われるようになり、その後に性能は著しく向上し、価格も低下していった。この過程でパーソナルコンピュータやRISCプロセッサも誕生した。ムーアの法則に従い、集積される素子数は増加し続けている。現在ではマイクロプロセッサは、大きなメインフレームから小さな携帯電話や家電まで、さまざまなコンピュータや情報機器に搭載されている。.
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マスクROM
マスクROM（マスクロム、Mask ROM）とは、コンピュータシステムで使用される記憶装置の一種で、記録されている内容を書き換えることができない不揮発性メモリのことを指す。.
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ハードディスクドライブ
AT互換機用内蔵3.5インチHDD（シーゲイト・テクノロジー製） ハードディスクドライブ（hard disk drive, HDD）とは、磁性体を塗布した円盤を高速回転し、磁気ヘッドを移動することで、情報を記録し読み出す補助記憶装置の一種である。.
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ランダムアクセス
ランダムアクセス（Random Access）とは、記憶装置などのデータへのアクセス方式のひとつで、端から順番にアクセスするというシーケンシャルアクセスに対して、何らかのアドレス付けによる番号などにより、目的のデータがある場所がわかっていれば、それを直接アクセスできる、というような方式である。Direct access storage device（DASD）など、「直接アクセス」という語もある。なお「ランダムアクセスメモリ」についてはRandom Access Memoryの記事を参照。 おおまかな説明になるが、例えばファイルシステムに利用しているディスクであれば、目的のファイルのパス文字列からinodeを得て、inodeからブロック番号を得る。ブロック番号は容易にディスクの実際のアドレス（Logical Block Addressing）に変換できるので、あとはディスクコントローラにそのLBAにアクセスするコマンドを投げる。ディスクコントローラにより、ディスクメディアであればヘッドが目的のセクタがあるシリンダに移動され（シーク）、目的のセクタが現れるまでディスクの回転を待ち、最終的に目的のセクタにアクセスが行われる。 シーケンシャルアクセスでは通常、端から全部のデータにアクセスしつつ、目的の場所まで待たなければならないので、レイテンシが膨大になる。それに対しランダムアクセスではどの場所のデータにアクセスするのでも、一般に同じ待ち時間でアクセスできる。（スループットの点では、シーケンシャルアクセス機器の存在意義を示すためもあって、近年のテープ機器などでは高性能化が進んでいる）.
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レジスタ (コンピュータ)
レジスタ（register）はコンピュータのプロセッサなどが内蔵する記憶回路で、制御装置や演算装置や実行ユニットに直結した、操作に要する速度が最速の、比較的少量のものを指す。.
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プロセッサ
プロセッサ は、コンピュータシステムの中で、ソフトウェアプログラムに記述された命令セット（データの転送、計算、加工、制御、管理など）を実行する（＝プロセス）ためのハードウェアであり、演算装置、命令や情報を格納するレジスタ、周辺回路などから構成される。内蔵されるある程度の規模の記憶装置までを含めることもある。プロセッサー、プロセサ、プロセッシングユニット、処理装置（しょりそうち）ともいう。「プロセッサ」は処理装置の総称で、システムの中心的な処理を担うものを「CPU（）」（この呼称はマイクロプロセッサより古くからある）、集積回路に実装したものをマイクロプロセッサ、またメーカーによっては（モトローラなど）「MPU（）」と呼んでいる。 プロセッサの構成要素の分類として、比較的古い分類としては、演算装置と制御装置に分けることがある。また、理論的な議論では、厳密には記憶装置であるレジスタすなわち論理回路の用語で言うところの順序回路の部分を除いた、組み合わせ論理の部分のみを指すことがある（状態機械モデルと相性が悪い）。の分類としては、実行すべき命令を決め、全体を制御するユニットと、命令を実行する実行ユニットとに分けることがある。.
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デジタルカメラ
デジタルカメラ （digital still camera、DSC） とは、撮像素子で撮影した画像をデジタルデータとして記録するカメラである。世界で初めてコダックが開発した。 一般に「デジタルカメラ」といえば静止画を撮影する「デジタルスチルカメラ」を指し、動画を撮影録画する「デジタルカムコーダ」ビデオカメラは、本来は撮影するのみの撮像機を指し、撮影と録画が同時にできるものはカムコーダという。だが一般家庭向けにも広く普及したVTRを“ビデオデッキ”、または単に“ビデオ”とも呼称することも多く、また一般向け製品の大半は撮像と録画の両方の機能をもつため、特許など厳密な製品機能を区別を必要する以外は、カムコーダも“ビデオカメラ”の呼称が一般的になってきている。は含めない。現在では静止画撮影が可能なデジタルカムコーダや、動画撮影が可能なデジタルスチルカメラが一般的になっており、双方の性能の向上もあってその境界線が徐々になくなりつつあるが、デジタルカメラはその中でも静止画の撮影に重点を置いたモデルを指す。 「デジカメ」と省略されることも多いが、当該用語は日本国内では三洋電機および他業種各社の登録商標である（2017年4月現在）。 本項で特に断りがない限り、一眼レフカメラはデジタル一眼レフカメラを、コンパクトカメラはデジタルコンパクトカメラを指す。.
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フラッシュメモリ
フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.
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フリップフロップ
''R1, R2''.
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キャッシュメモリ
ャッシュメモリ は、CPUなど処理装置がデータや命令などの情報を取得/更新する際に主記憶装置やバスなどの遅延／低帯域を隠蔽し、処理装置と記憶装置の性能差を埋めるために用いる高速小容量メモリのことである。略してキャッシュとも呼ぶ。コンピュータは以前から記憶装置や伝送路の性能が処理装置の性能に追いつけず、この差が全体性能に対するボトルネックとされてきた（ノイマンズ・ボトルネック）。そしてムーアの法則に基づく処理装置の加速度的な高性能化により現在ではますますこの差が拡大されている。キャッシュメモリは、記憶階層の観点からこれを解消しようとするものである。 主に、主記憶装置とCPUなど処理装置との間に構成される。この場合、処理装置がアクセスしたいデータやそのアドレス、状態、設定など属性情報をコピーし保持することで、本来アクセスすべき記憶装置に代わってデータを入出力する。通常はキャッシュメモリが自動的にデータ保存や主記憶装置の代替を行うため、基本的にCPUのプログラムなど処理装置側がキャッシュメモリを意識する必要はない。 キャッシュの一般的な概念はキャッシュ (コンピュータシステム)を参照のこと。.
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コンデンサ
ンデンサの形状例。この写真の中での分類としては、足のあるものが「リード形」、長方体のものが「チップ形」である 典型的なリード形電解コンデンサ コンデンサ（Kondensator、capacitor）とは、電荷（静電エネルギー）を蓄えたり、放出したりする受動素子である。キャパシタとも呼ばれる。（日本の）漢語では蓄電器（ちくでんき）などとも。 この素子のスペックの値としては、基本的な値は静電容量である。その他の特性としては印加できる電圧（耐圧）、理想的な特性からどの程度外れているかを示す、等価回路における、直列の誘導性を示す値と直列並列それぞれの抵抗値などがある。一般に国際単位系（SI）における静電容量の単位であるファラド（記号: F）で表すが、一般的な程度の容量としてはそのままのファラドは過大であり、マイクロファラド（μF.
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シャープ
ャープ株式会社（SHARP、Sharp Corporation、夏普電器有限公司「夏普」 は音訳）は、日本・大阪府堺市に拠点を置く鴻海精密工業傘下の電機メーカー。.
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シーケンシャルアクセス
ーケンシャルアクセス (sequential access) とは、記憶装置などにおけるデータへのアクセス方式のひとつであり、記憶媒体の先頭から順に検索しアクセスしていく。そのため、後ろに記録されたデータに辿り着くまで時間がかかる。これは順次アクセスとも言われる。 コンピュータでは利便性の点でランダムアクセスの機器がもっぱらだが、（かつての）カセットテープやビデオテープなどオーディオやビデオ用としては多用された。超大容量のバックアップや安全な輸送のためなど、コンピュータ用の磁気テープ機器にも一定の需要がある。.
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CPU
Intel Core 2 Duo E6600) CPU（シーピーユー、Central Processing Unit）、中央処理装置（ちゅうおうしょりそうち）は、コンピュータにおける中心的な処理装置（プロセッサ）。 「CPU」と「プロセッサ」と「マイクロプロセッサ」という語は、ほぼ同義語として使われる場合も多いが、厳密には以下に述べるように若干の範囲の違いがある。大規模集積回路（LSI）の発達により1個ないしごく少数のチップに全機能が集積されたマイクロプロセッサが誕生する以前は、多数の（小規模）集積回路（さらにそれ以前はディスクリート）から成る巨大な電子回路がプロセッサであり、CPUであった。大型汎用機を指す「メインフレーム」という語は、もともとは多数の架（フレーム）から成る大型汎用機システムにおいてCPUの収まる主要部（メイン）、という所から来ている。また、パーソナルコンピュータ全体をシステムとして見た時、例えば電源部が制御用に内蔵するワンチップマイコン（マイクロコントローラ）は、システム全体として見た場合には「CPU」ではない。.
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磁気抵抗メモリ
磁気抵抗メモリ(じきていこうめもり・Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、'''STT-MRAM'''（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。.
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相変化記録技術
変化記録技術（そうへんかきろくぎじゅつ）とは、情報記録技術において、記録媒体が熱の印加によって結晶相とアモルファス相の間を変化することを利用した記録技術のこと。 相変化記録ディスクでは、相変化媒体の記録膜は記録前の初期状態は結晶である。これに一定以上の強いパルス状の書き込み用レーザー光を当てて溶融させ直ちに冷却すると、熱が加わった部分はアモルファスになる。結晶とアモルファスでは光の反射率が異なるため、読み出し用の弱いレーザー光を当て、反射光を読み取ることで再生が可能になる（読み出し技術は再生専用光ディスクと同様である）。また、書き込みレーザーのレベルを調整して溶融後徐冷すると記録膜は再び結晶相に戻り、記録は消去される。 このような記録の性質を利用して消去・再書き込み可能な記録媒体が得られる。しかし、記録層の材料を溶かすという物理的な記録を行うため、磁気ディスクなどと比較すると書き換え可能回数が1000回から50万回と極めて少ない。.
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DDR SDRAM
DDR SDRAM (PC3200) DDR SDRAM (Double-Data-Rate SDRAM)は、SDRAMの一種で、クロックの立ち上がり/立ち下がりの両方を使うことで、片エッジのみ使用する（SDRの）SDRAMの倍速（Double-Data-Rate）でデータを転送する。また、その規格のひとつで最初のもの。DDR2が後継である。 DDR規格のプリフェッチバッファの深さ（depth）は2(ビット)である。 後継のDDR2にとって代わられるまで、パーソナルコンピュータにおいて2001年〜2005年頃（Pentium 3後期〜Pentium 4前期）の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2007年〜2011年頃（ARM11やCortex-A8など）に用いられていた。 DDR SDRAMのメモリにはメモリチップとメモリモジュールの2つの規格が存在し、メモリチップ規格はチップの最大動作周波数、メモリモジュール規格はモジュールと機器間の最大転送速度を示している。.
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Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.
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EEPROM
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は不揮発性メモリの一種で、コンピュータなどの電子機器で電源を切っても保持しておくべきデータを格納するのに使われている。例えば、校正に関するデータや機器の設定情報などのデータである。 USBメモリのように大量のデータを格納する用途では、従来型のEEPROMよりもその一種であるフラッシュメモリなどの方が経済的である。EEPROMはフローティングゲートMOSFETの配列でできている。.
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EPROM
UV-EPROM。消去のために紫外線を通す石英ガラスの窓がある。 EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)は、半導体メモリの一種で、デバイスの利用者が書き込み・消去可能なROMである。電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリの一種でもある。フローティングゲートMOSFETのアレイで構成されており、通常のデジタル回路よりも印加する電圧が高い専用機器を使って個々のMOSFETに書き込むことができる。データやプログラムの書き込みを行ったEPROMは、強い紫外線光を照射することでその記憶内容を消去できる。そのため、パッケージ中央上部に石英ガラスの窓があってシリコンチップが見えているので、容易にEPROMだとわかる。このようなEPROMを特にUV-EPROMと呼ぶこともある。 消去方式の異なるEEPROM（電気的に消去可能なPROM, Electrically Erasable PROM）などもある。コンピュータ制御機器の試作品や製品をはじめ、パソコンのBIOS ROMなど、多くの機器に搭載されている。近年は、フラッシュメモリに置き換わりつつある。.
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補助記憶装置
パーソナルコンピュータのハードディスク 補助記憶装置（ほじょきおくそうち）は記憶装置の分類で、「主記憶装置」がコンピュータのメインのバスに直接接続され、CPUが即座にアクセスでき、演算の対象にもできる場合もあるのに対し、外部バスに接続され、CPUからは直接アクセスできないものを指す。レイテンシやスループットは遅いが比較すると大容量である。二次記憶装置などとも。.
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記憶装置
GB SDRAM。一次記憶装置の例 GB ハードディスクドライブ(HDD)。コンピュータに接続すると二次記憶装置として機能する SDLT テープカートリッジ。オフライン・ストレージの例。自動テープライブラリで使う場合は、三次記憶装置に分類される 記憶装置（きおくそうち）は、コンピュータが処理すべきデジタルデータをある期間保持するのに使う、部品、装置、電子媒体の総称。「記憶」という語の一般的な意味にも対応する英語としてはメモリ（memory）である。記憶装置は「情報の記憶」を行う。他に「記憶装置」に相当する英語としてはストレージ デバイス（Storage Device）というものもある。.
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集積回路
SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.
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Flash SSD
Flash SSD （フラッシュエスエスディー、Flash Solid State Drive）とは、半導体メモリであるフラッシュメモリを使用したソリッドステートドライブ（SSD）であり、補助記憶装置の一種である。単にSSDと略せば、一般的にこのデバイスを指す。.
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NAND型フラッシュメモリ
ムネイル NAND型フラッシュメモリ（ナンドがたフラッシュメモリ、NANDフラッシュメモリ）は、不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種である。 NOR型フラッシュメモリと比べて回路規模が小さく、安価に大容量化できる。また書き込みや消去も高速であるが、バイト単位の書き替え動作は不得手である。従来のフロッピーディスクに代わるPC用のUSBメモリやFlash SSD（SSD）、デジタルカメラ用のメモリーカード、携帯音楽プレーヤー、携帯電話などの記憶装置として使用される。.
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NOR型フラッシュメモリ
NOR型フラッシュメモリ '''NOR型フラッシュメモリの等価回路と構造'''すべての記憶セルがビット線とGNDに接続されている NOR型フラッシュメモリ（ノアがたフラッシュメモリ）は、フラッシュメモリの一種である。 NAND型フラッシュメモリとは異なり、データの読み出しにおいて、RAMと同様にアドレス指定によるアクセスができ、コードをRAMにコピーすることなく直接実行すること(execute in place)が可能。 データの書き込みについては、一度ブロック単位で消去した後、書き込むという手順を踏む。この手順についてはIntel系コマンドやAMD系コマンドなどがあるが、チップの特性情報を読み出すコマンドは共通フラッシュメモリインターフェース(Common Flash memory Interface) として標準化されている。用途として、マイコンをはじめ、高い信頼性が求められるルーター、プリンター、デジタルカメラ、GPS、車載機器、携帯電話やPDAなど、どれもハードディスクが使用できない環境でファームウェアの格納等に使われる。 従来はデータの信頼性にも優れ、NAND型フラッシュメモリで必要なエラー訂正(ECC)が不要であるとされていたが、半導体プロセスの微細化によってソフトエラー等が無視できないレベルに達したため、現在ではNORフラッシュでもECCの利用が必要である。 読み出し速度、ランダムアクセスが高速な一方、NAND型に比べ、集積度が劣る、書き込みが遅いなどの欠点が挙げられる。 NAND型に比べ、高い信頼性を特長とするNOR型は、従来のROMの代わりにファームウェアを格納するメモリとして基板に直接実装される形で利用されていることが多い。また、近年マルチビット化により大容量化が進み、1チップで1Gビットの製品も発表され、NAND型に対抗できる製品も出てくるようになった。これらの製品では、書き込み時の高速化および消費電力が改善、集積度の向上などが図られている。.
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PROM
PROM (Programmable ROM) は、コンピュータシステムで使用されるROMの一種で、通常時はデータを読み出すだけで書き込む事ができないが、特定の手順で書き込みが可能なもののこと。およびその特徴を持ったROMの総称。.
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Random Access Memory
RAMの種類。上からDIP、SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) Random access memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、ROM（読み出し専用メモリ）に対して、任意に書き込みできるメモリの意で使われていることが専らである。.
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RDRAM
RDRAMは『Rambus DRAM』の略で、Rambus社による基本設計で同社がライセンスする、SDRAMモジュールの方式の一種である。バスのビット幅を制限する代わりに、一筆書き状の配線によって実現される高速性などを特長とする。.
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Read only memory
Read only memory（リードオンリーメモリ、ROM: ロム）は、記録されている情報を読み出すことのみ可能なメモリである。読み出し専用メモリともいう。.
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SDRAM
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、システムバスに同期して動作するDRAM (Dynamic Random Access Memory)。シンクロナスDRAMとも。初期のDRAMのインタフェースは非同期式であり、制御入力の変化に反応して可能な限り素早く応答するようになっていた。SDRAMのインタフェースは同期式であり、制御入力に応答する前にクロック信号を待つため、コンピュータのシステムバスに同期して動作する。クロックは入ってくる命令をパイプライン化する内部の有限状態機械を駆動するのに使われる。そのためSDRAMのチップは非同期DRAMよりも複雑な操作パターンを持つことができ、より高速に動作できる。 パイプライン化とはこの場合、SDRAMのチップが前の命令の処理を完了する前に新たな命令を受け付けられることを意味する。パイプライン化された書き込みでは、書き込み命令のすぐ後に書き込むべきデータがメモリアレイに到着する前でも次の命令を受け付けられる。パイプライン化された読み出しでは、要求したデータは読み出し命令からある固定数のクロックパルスが経過した後に出力され、その間のサイクルの間に別の命令を送ることができる。読み出し命令からデータが出力されるまでの遅延を「レイテンシ」と呼び、SDRAMを選択する際の重要な観点となっている。 SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4 が量産されている。.
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Static Random Access Memory
NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ（回復動作）が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある（特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された）。 ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory）ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.
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UV-EPROM
インテル 1702 UV-EPROM UV-EPROM（紫外線消去型EPROM,Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory）とは紫外線を照射することで記憶内容の消去が可能なROM。 ICパッケージ上に紫外線を照射するためのガラス窓が設けてあり、チップを肉眼で見ることが出来る。 通常使用時には、紫外線が当たらないようにガラス窓にはシールが貼られる。消去されたUV-EPROMは、ROMライタにより、再書込みが可能である。 世界で最初のUV-EPROMは1972年にインテルから発表されたPMOS構造、256×8ビット構成、24ピンパッケージの1702である。その後の製品とはピン配置が異なる。 データバス幅が8ビットのUV-EPROMの型番としては、2732、2764のように27から始まり、後半に容量を表す数字を連記した形式のものが現在もよく知られている。512キロビットまでのものの容量はキロビット単位で記され、2732は32キロビットの容量を持つことを表している。また、CMOS構造のものは57xx（当時のインテルの命名則）にならずに27C32、27C64、27C512のように間にCが入る（NMOS品とはVppの電圧など、書き込み条件が異なる場合もある）。1メガビットを越えるものについては、互換性があるものでも27C010、271000、271001、27101などの型番が存在し、メーカー間の統一性は乏しくなる。 かつて、PICのようなマイクロコントローラにはUV-EPROMを内蔵した製品があり、これらもガラス窓を有していた。しかし、現在ではこのような内蔵不揮発性メモリの用途も、大半がフラッシュメモリに移行している。 UV-EPROMのほとんどの品種についてはすでに製造中止となっているが、中古品を含めた流通在庫は比較的豊富であり、現在でも（容量次第ではあるが）入手はそれほど困難ではない。しかし、フラッシュメモリなどの普及により新規製品に採用されることは極めて希となっているため、これらは過去の製品の保守や、電子工作などに用いられている。 ただし、機器に搭載されたフラッシュメモリのデータを書き換えるためには、パソコンを何らかのインタフェースで接続して専用アプリケーションを操作するなど、多少なりともパソコンの操作の知識が求められるため、それが期待できない現場に納められるような機器では、現在でもチップの抜き差しだけでプログラムの更新ができるUV-EPROMを採用することを求められることもある。.
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抵抗変化型メモリ
ReRAM（resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER効果）を利用しており、.
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揮発性メモリ
揮発性メモリ（きはつせいメモリ、volatile memory）とは、メモリを分類する観点のひとつで、電源を供給しないと記憶している情報を保持できない性質（のメモリ）のことである。対して、電源を供給しなくても情報を失わないメモリは不揮発性メモリである。 主記憶装置はもっぱら揮発性である。.
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携帯機器
携帯機器（けいたいきき）とは、携帯して使用可能な機器の総称。ポータブル機器や、ノーマディック機器とも言う。.
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擬似SRAM
擬似SRAM（ぎじエスラム、Pseudo Static Randome Access Memory）とは、SRAMインターフェースを備えたDRAMである。.
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