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Random Access Memory

索引 Random Access Memory

RAMの種類。上からDIP、SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) Random access memory(ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム)とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる(ランダムアクセス)メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、ROM(読み出し専用メモリ)に対して、任意に書き込みできるメモリの意で使われていることが専らである。.

66 関係: 半導体メモリ不揮発性メモリ帯域幅主記憶装置仮想記憶強誘電体メモリマイクロプロセッサメモリアドレスメビバイトランダムアクセスリチャード・P・ファインマンレイテンシレジスタ (コンピュータ)ボトルネックトンネル磁気抵抗効果ブートプログラム内蔵方式デュアルチャネルデータフリップフロップフォン・ノイマン・ボトルネックアタナソフ&ベリー・コンピュータインフィニオン・テクノロジーズインダクタンスウィリアムス管オペレーティングシステムカーボンナノチューブキャッシュメモリコンピュータコンデンサシーケンシャルアクセスサーバファームBasic Input/Output System磁気テープ磁気コアメモリ磁気抵抗メモリ磁性真空管組み込みシステム相変化メモリDDR SDRAMDDR2 SDRAMDDR3 SDRAMDDR4 SDRAMDVD-RAMDynamic Random Access MemoryEDSAC遅延記憶装置補助記憶装置記憶装置...電子媒体電荷集積回路GDDR3GDDR5IBMRC回路RDRAMRead only memorySDRAMStatic Random Access Memory抵抗変化型メモリ揮発性メモリ擬似SRAM放射線21世紀 インデックスを展開 (16 もっと) »

半導体メモリ

揮発性メモリの一種、DDR2 SDRAMを搭載したノートPC用のメモリ、SO-DIMM 半導体メモリ(はんどうたいメモリ)は、半導体素子(特に、もっぱら集積回路)によって構成された記憶装置(メモリ)である。.

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不揮発性メモリ

不揮発性メモリ(ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory)または不揮発性記憶装置(non-volatile storage)は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.

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帯域幅

帯域幅(たいいきはば)または、帯域(たいいき)、周波数帯域(しゅうはすうたいいき)、バンド幅(英: Bandwidth)とは、周波数の範囲を指し、一般にヘルツで示される。帯域幅は、情報理論、電波通信、信号処理、分光法などの分野で重要な概念となっている。 帯域幅と情報伝達における通信路容量とは密接に関連しており、通信路容量のことを指す代名詞のように俗称的にしばしば「帯域幅」の語が使われる。特に何らかの媒体や機器を経由して情報(データ)を転送する際の転送レートを「帯域幅」あるいは「バンド幅」と呼ぶ。.

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主記憶装置

主記憶装置(しゅきおくそうち)は、記憶装置の分類で、「補助記憶装置」が一般に外部バスなど比較的CPUから離れていて大容量だが遅い記憶装置を指すのに対し、コンピュータのメインバスなどに直接接続されている記憶装置で、レイテンシやスループットは速いが比較すると小容量である。特に、CPUが入出力命令によって外部のインタフェースを操作するのではなく、「ロード・ストア命令」や、さらには通常の加算などの命令において直接読み書きできる対象であるものを指す。メインメモリ、一次記憶装置とも。.

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仮想記憶

仮想記憶(かそうきおく、Virtual Memory、バーチャルメモリ)とは、コンピュータ分野におけるメモリ管理の仮想化技法の一種であり、オペレーティングシステムなどが物理的なメモリを、アプリケーション・ソフトウェア(プロセスなど)に対して、専用の連続した主記憶装置に見えるように提供する。 この技術により、物理的な主記憶装置に加えてハードディスク装置等の補助記憶装置を併用すれば、物理的な主記憶装置よりも大きな仮想メモリを提供する事ができる。またアプリケーション・プログラム側は、物理メモリ上のアドレスを意識しなくて良いため、マルチタスクの実現が容易である。このため現代のオペレーティングシステムの多くが仮想記憶をサポートしている。 仮想的に与えられたアドレスを仮想アドレス (virtual address) または論理アドレス (logical address)、実記憶上で有効なアドレスを物理アドレス (physical address) または実アドレス (real address) という。仮想アドレスの範囲を仮想アドレス空間、物理アドレスの範囲を物理アドレス空間という。.

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強誘電体メモリ

FeRAM 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり・Ferroelectric Random Access Memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(【現】サイプレス・セミコンダクター)による商標で、国内では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。.

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マイクロプロセッサ

マイクロプロセッサ(Microprocessor)とは、コンピュータなどに搭載される、プロセッサを集積回路で実装したものである。 マイクロプロセッサは小型・低価格で大量生産が容易であり、コンピュータのCPUの他、ビデオカード上のGPUなどにも使われている。また用途により入出力などの周辺回路やメモリを内蔵するものもあり、一つのLSIでコンピュータシステムとして動作するものを特にワンチップマイコンと呼ぶ。マイクロプロセッサは一つのLSIチップで機能を完結したものが多いが、複数のLSIから構成されるものもある(チップセットもしくはビットスライスを参照)。 「CPU」、「プロセッサ」、「マイクロプロセッサ」、「MPU」は、ほぼ同義語として使われる場合も多い。本来は「プロセッサ」は処理装置の総称、「CPU」はシステム上で中心的なプロセッサ、「マイクロプロセッサ」および「MPU(Micro-processing unit)」はマイクロチップに実装されたプロセッサである。本項では、主にCPU用のマイクロプロセッサについて述べる。 当初のコンピュータにおいて、CPUは真空管やトランジスタなどの単独素子を大量に使用して構成されたり、集積回路が開発されてからも、たくさんの集積回路の組み合わせとして構成されてきた。製造技術の発達、設計ルールの微細化が進むにつれてチップ上に集積できる素子の数が増え、一つの大規模集積回路にCPU機能を納めることが出来るようになった。汎用のマイクロプロセッサとして最初のものは、1971年にインテルが開発したIntel 4004である。このマイクロプロセッサは当初電卓用に開発された、性能が非常に限られたものであったが、生産や利用が大幅に容易となったため大量に使われるようになり、その後に性能は著しく向上し、価格も低下していった。この過程でパーソナルコンピュータやRISCプロセッサも誕生した。ムーアの法則に従い、集積される素子数は増加し続けている。現在ではマイクロプロセッサは、大きなメインフレームから小さな携帯電話や家電まで、さまざまなコンピュータや情報機器に搭載されている。.

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メモリアドレス

メモリアドレス(memory address)は、コンピュータの主記憶装置にアクセスするためにソフトウェアおよびハードウェアによって様々なレベルで使用されるデータ概念である。通常、メモリアドレスは、整数として表示・処理される固定長の数字の列である。メモリアドレスの数値の意味は、CPUの機能(やなど)や様々なプログラミング言語で採用されている配列のようなメモリの使用法に基づいている。.

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メビバイト

メビバイト (mebibyte) は、コンピュータの容量や記憶装置の大きさをあらわす情報の単位の一つ。MiBと略記される。 2.

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ランダムアクセス

ランダムアクセス(Random Access)とは、記憶装置などのデータへのアクセス方式のひとつで、端から順番にアクセスするというシーケンシャルアクセスに対して、何らかのアドレス付けによる番号などにより、目的のデータがある場所がわかっていれば、それを直接アクセスできる、というような方式である。Direct access storage device(DASD)など、「直接アクセス」という語もある。なお「ランダムアクセスメモリ」についてはRandom Access Memoryの記事を参照。 おおまかな説明になるが、例えばファイルシステムに利用しているディスクであれば、目的のファイルのパス文字列からinodeを得て、inodeからブロック番号を得る。ブロック番号は容易にディスクの実際のアドレス(Logical Block Addressing)に変換できるので、あとはディスクコントローラにそのLBAにアクセスするコマンドを投げる。ディスクコントローラにより、ディスクメディアであればヘッドが目的のセクタがあるシリンダに移動され(シーク)、目的のセクタが現れるまでディスクの回転を待ち、最終的に目的のセクタにアクセスが行われる。 シーケンシャルアクセスでは通常、端から全部のデータにアクセスしつつ、目的の場所まで待たなければならないので、レイテンシが膨大になる。それに対しランダムアクセスではどの場所のデータにアクセスするのでも、一般に同じ待ち時間でアクセスできる。(スループットの点では、シーケンシャルアクセス機器の存在意義を示すためもあって、近年のテープ機器などでは高性能化が進んでいる).

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リチャード・P・ファインマン

リチャード・フィリップス・ファインマン(Richard Phillips Feynman, 1918年5月11日 - 1988年2月15日)は、アメリカ合衆国出身の物理学者である。.

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レイテンシ

レイテンシ、潜伏時間、潜時、待ち時間、反応時間(latency)とは、デバイスに対してデータ転送などを要求してから、その結果が返送されるまでの不顕性の高い遅延時間のこと。レイテンシー、レーテンシーとも表記される。.

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レジスタ (コンピュータ)

レジスタ(register)はコンピュータのプロセッサなどが内蔵する記憶回路で、制御装置や演算装置や実行ユニットに直結した、操作に要する速度が最速の、比較的少量のものを指す。.

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ボトルネック

ボトルネック概念図 ボトルネック (bottleneck) とは、システム設計上の制約の概念。英語の「瓶の首」の意。一部(主に化学分野)においては律速(りっそく、「速さ」を「律する(制御する)」要素を示すために使われる)、また『隘路(あいろ)』と言う同意語も存在する。 80-20の法則などが示すように、物事がスムーズに進行しない場合、遅延の原因は全体から見れば小さな部分が要因となり、他所をいくら向上させても状況改善が認められない場合が多い。このような部分を、ボトルネックという。 瓶のサイズがどれほど大きくても、中身の流出量・速度(スループット)は、狭まった首のみに制約を受けることからの連想である。 ボトムネックは誤記。.

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トンネル磁気抵抗効果

トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・TMR Effect)とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。.

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ブート

Windows XPをブート中のインターネット公衆電話 ブート(boot)または ブートストラップ(bootstrap)は、コンピュータシステムの電源投入時、あるいはシステムのリセット後、モニタやOSなどなんらかの基本的なシステムソフトウェアを主記憶に展開し、ユーザプログラムを実行できるようにするまでの処理の流れをいう。ブートローダ(boot loader)は、以上のプロセスで使われるローダ、すなわち、不揮発性の補助記憶にある目的のプログラムを読出し、揮発性の主記憶に書込むプログラムのことである。 電源投入時のブートのことを「コールドブート」、リセットされたことによるブートを「ウォームブート」と言う。ウォームブートでは、コールドブートにおける最初のほうの手続きのいくつかが必要無い場合もあり、そういった手続きを省略することもある。 ブートストラップまたはブートストラップローダ(bootstrap loader)という名前は、ブーツのつまみ革(strap)を自分で引っ張って自分を持ち上げようとするイメージから来ている。つまり、コンピュータはプログラムをロードしないと動作できないが、プログラムをロードするプログラムはどうロードするのだ? というパラドックスに着目した呼称である。.

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プログラム内蔵方式

プログラム内蔵方式(プログラムないぞうほうしき)、ストアドプログラム方式は、主記憶に置かれたプログラムを実行する、という、コンピュータ・アーキテクチャの方式の一つである。 ノイマン型アーキテクチャに内包されるため、また、このような分類が議論になるような初期の計算機において、プログラム内蔵でプログラムは全てROMに置いた、というものはないため、ノイマン型で実現されるプログラムが書き換え可能という性質を含めて指すこともある。 しかし、プログラム内蔵方式か否かについては、今日一般に、プログラムを置く記憶装置が書き換え可能か否かは問わず、またいわゆるハーバード・アーキテクチャも普通プログラム内蔵方式とすることが多い。一方、プログラムを内蔵している、と見えるものの一種であるが、記憶装置に置かれた命令ではなく、ワイヤードロジックでプログラミングをしているものは普通プログラム内蔵方式としない。 プログラムを置く直接の記憶装置が、CPUが普通に読む(読み書きする)電子的(ないし電気的)な主記憶か、そうでない補助記憶か、という点は、今日そんなデザインはまずないが、この分類では重視する。次のような歴史的理由による。 歴史的には、初期のプログラム駆動型の計算機には、主記憶(ROM含む)はデータの置き場としてのみ使い、プログラムは全てパンチカードや鑽孔テープのような補助記憶で与えられ、それを直接読み込みながら実行する、というものがあった。当然ながらジャンプが極端に制限されるなどプログラミング的に非常に制限され、プログラムの実行速度が読み込み装置の速度に制限されるため、すぐに古いデザインとみなされるようになった。そのような設計を、プログラム内蔵方式でない、とする分類であった。電子式でない、リレーを使ったコンピュータなど、機器自体の動作が紙テープリーダと比してたいして速くなく、素子のコストが記憶装置として使うには高い機械では、テープを直接実行するものが多かった。リレー式コンピュータの例としては、日本で建造されたものにFACOM 128やETL MarkIとIIがある。.

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デュアルチャネル

デュアルチャネルまたはデュアルチャンネル(Dual-channel)とは、広義には同一の規格の通信インターフェイスを二重に備えること。狭義としてはパソコンに搭載されているランダムアクセスメモリ(RAM)の規格において、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAMに対応したマザーボードを用い、メモリとノースブリッジ間(メモリバス)のデータの転送速度を2倍に引き上げる技術である。また、3~4枚一組のRAMを使用するトリプルチャネルやクアッドチャネルも存在する。 本項では狭義について述べる。.

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データ

データ(data)とは、事実や資料をさす言葉。言語的には複数形であるため、厳密には複数の事象や数値の集まりのことを指し、単数形は datum(データム)である。.

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フリップフロップ

''R1, R2''.

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フォン・ノイマン・ボトルネック

フォン・ノイマン・ボトルネック(Von Neumann bottleneck)は、コンピュータ・アーキテクチャの1つの型であるノイマン型に存在する性能上のボトルネック。.

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アタナソフ&ベリー・コンピュータ

アタナソフ&ベリー・コンピュータ(Atanasoff-Berry Computer)は、最初期の電子式ディジタル計算装置のひとつ(one of the first electronic digital computing devices)である。しばしばそのイニシャルから「ABC」と呼ばれる。 1937年から1942年にかけてアイオワ州立大学で、ジョン・ビンセント・アタナソフとクリフォード・E・ベリーによって開発された。二進法の採用、並列コンピューティング、再生式メモリ、メモリと演算機能の分離といった数々のコンピュータに関する発明を成し遂げた。アタナソフは1990年11月13日に当時の大統領ジョージ・H・W・ブッシュからホワイトハウスにてアメリカ国家技術賞を授与された。.

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インフィニオン・テクノロジーズ

インフィニオン・テクノロジーズ(Infineon Technologies AG、以下インフィニオン) はドイツの半導体メーカーである。.

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インダクタンス

インダクタンス(inductance)は、コイルなどにおいて電流の変化が誘導起電力となって現れる性質である。誘導係数、誘導子とも言う。インダクタンスを目的とするコイルをインダクタといい、それに使用する導線を巻線という。.

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ウィリアムス管

ウィリアムス管(Williams tube)、あるいはより正確にウィリアムス-キルバーン管(Williams-Kilburn tube)は陰極線管による記憶装置で、ブラウン管の一種とすることもある。名前は開発者であるフレディー・ウィリアムス(Freddie Williams)とトム・キルバーン(Tom Kilburn)に由来する。 戦時中のレーダー表示用ブラウン管の研究・開発が関連しているが、コンピュータの記憶装置用としては1946年-1947年頃発明された。磁気コアメモリが登場する1950年代前半まで用いられていた。日本ではTACで採用された。 陰極線管の蛍光面に電子が衝突すると光が放出される。このとき副作用として衝突箇所の周囲は電荷がわずかに変化する。これを測定することによって陰極線管を単純な記憶装置として使用することが可能になる。電荷はすぐに失われるため繰り返し電子を衝突させることが必要であり、記憶保持動作が必要な、いわゆる(広義の)Dynamic Random Access Memoryの一種といえる。.

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オペレーティングシステム

ペレーティングシステム(Operating System、OS、オーエス)とは、コンピュータのオペレーション(操作・運用・運転)のために、ソフトウェアの中でも基本的、中核的位置づけのシステムソフトウェアである。通常、OSメーカーが組み上げたコンピュータプログラムの集合として、作成され提供されている。 オペレーティングシステムは通常、ユーザーやアプリケーションプログラムとハードウェアの中間に位置し、ユーザーやアプリケーションプログラムに対して標準的なインターフェースを提供すると同時に、ハードウェアなどの各リソースに対して効率的な管理を行う。現代のオペレーティングシステムの主な機能は、ファイルシステムなどの補助記憶装置管理、仮想記憶などのメモリ管理、マルチタスクなどのプロセス管理、更にはGUIなどのユーザインタフェース、TCP/IPなどのネットワーク、などがある。オペレーティングシステムは、パーソナルコンピュータからスーパーコンピュータまでの各種のコンピュータや、更にはスマートフォンやゲーム機などを含む各種の組み込みシステムで、内部的に使用されている。 製品としてのOSには、デスクトップ環境やウィンドウシステムなど、あるいはデータベース管理システム (DBMS) などのミドルウェア、ファイル管理ソフトウェアやエディタや各種設定ツールなどのユーティリティ、基本的なアプリケーションソフトウェア(ウェブブラウザや時計などのアクセサリ)が、マーケティング上の理由などから一緒に含められていることもある。 OSの中で、タスク管理やメモリ管理など特に中核的な機能の部分をカーネル、カーネル以外の部分(シェルなど)をユーザランドと呼ぶ事もある。 現代の主なOSには、Microsoft Windows、Windows Phone、IBM z/OS、Android、macOS(OS X)、iOS、Linux、FreeBSD などがある。.

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カーボンナノチューブ

ーボンナノチューブ(carbon nanotube、略称CNT)は、炭素によって作られる六員環ネットワーク(グラフェンシート)が単層あるいは多層の同軸管状になった物質。炭素の同素体で、フラーレンの一種に分類されることもある。 単層のものをシングルウォールナノチューブ (SWNT)single-wall nanotube、多層のものをマルチウォールナノチューブ (MWNT)multi-wall nanotube という。特に二層のものはダブルウォールナノチューブ (DWNT)double-wall nanotube とも呼ばれる。.

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キャッシュメモリ

ャッシュメモリ は、CPUなど処理装置がデータや命令などの情報を取得/更新する際に主記憶装置やバスなどの遅延/低帯域を隠蔽し、処理装置と記憶装置の性能差を埋めるために用いる高速小容量メモリのことである。略してキャッシュとも呼ぶ。コンピュータは以前から記憶装置や伝送路の性能が処理装置の性能に追いつけず、この差が全体性能に対するボトルネックとされてきた(ノイマンズ・ボトルネック)。そしてムーアの法則に基づく処理装置の加速度的な高性能化により現在ではますますこの差が拡大されている。キャッシュメモリは、記憶階層の観点からこれを解消しようとするものである。 主に、主記憶装置とCPUなど処理装置との間に構成される。この場合、処理装置がアクセスしたいデータやそのアドレス、状態、設定など属性情報をコピーし保持することで、本来アクセスすべき記憶装置に代わってデータを入出力する。通常はキャッシュメモリが自動的にデータ保存や主記憶装置の代替を行うため、基本的にCPUのプログラムなど処理装置側がキャッシュメモリを意識する必要はない。 キャッシュの一般的な概念はキャッシュ (コンピュータシステム)を参照のこと。.

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コンピュータ

ンピュータ(Computer)とは、自動計算機、とくに計算開始後は人手を介さずに計算終了まで動作する電子式汎用計算機。実際の対象は文字の置き換えなど数値計算に限らず、情報処理やコンピューティングと呼ばれる幅広い分野で応用される。現代ではプログラム内蔵方式のディジタルコンピュータを指す場合が多く、特にパーソナルコンピュータやメインフレーム、スーパーコンピュータなどを含めた汎用的なシステムを指すことが多いが、ディジタルコンピュータは特定の機能を実現するために機械や装置等に組み込まれる組み込みシステムとしても広く用いられる。電卓・機械式計算機・アナログ計算機については各項を参照。.

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コンデンサ

ンデンサの形状例。この写真の中での分類としては、足のあるものが「リード形」、長方体のものが「チップ形」である 典型的なリード形電解コンデンサ コンデンサ(Kondensator、capacitor)とは、電荷(静電エネルギー)を蓄えたり、放出したりする受動素子である。キャパシタとも呼ばれる。(日本の)漢語では蓄電器(ちくでんき)などとも。 この素子のスペックの値としては、基本的な値は静電容量である。その他の特性としては印加できる電圧(耐圧)、理想的な特性からどの程度外れているかを示す、等価回路における、直列の誘導性を示す値と直列並列それぞれの抵抗値などがある。一般に国際単位系(SI)における静電容量の単位であるファラド(記号: F)で表すが、一般的な程度の容量としてはそのままのファラドは過大であり、マイクロファラド(μF.

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シーケンシャルアクセス

ーケンシャルアクセス (sequential access) とは、記憶装置などにおけるデータへのアクセス方式のひとつであり、記憶媒体の先頭から順に検索しアクセスしていく。そのため、後ろに記録されたデータに辿り着くまで時間がかかる。これは順次アクセスとも言われる。 コンピュータでは利便性の点でランダムアクセスの機器がもっぱらだが、(かつての)カセットテープやビデオテープなどオーディオやビデオ用としては多用された。超大容量のバックアップや安全な輸送のためなど、コンピュータ用の磁気テープ機器にも一定の需要がある。.

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サーバファーム

ウィキメディア財団のサーバファーム サーバファーム(英: Server farm)とは、多数のサーバを集積したものを意味し、単体のサーバではできない仕事をするのに使われる。データセンターと同義に単に多数のサーバが集まっていることを意味する場合と、負荷分散されたサーバ群で同じサービスを提供することを意味する場合がある。後者の場合、サーバファームには現用サーバとバックアップサーバがあり、現用サーバに障害が発生してもバックアップサーバがその機能を肩代わりして実施するように構成されることが多い。 サーバファームはコンピュータ・クラスターに使われることが多い。サーバファームはスイッチングハブやルーターと共に構成され、コンピュータ・クラスターの他の部分やユーザーとの通信ができるようになっているのが一般的である。最近のスーパーコンピュータは、高性能CPUを搭載したサーバをギガビット・イーサネットやInfiniBand, Myrinet等で相互接続した巨大なサーバファームで構成されることが多い。 サーバファームはホスティングサーバとして使われることも多い。 サーバファームは大企業などでメインフレームの代替あるいは補助として使われることが多くなってきているが、まだメインフレーム並みの信頼性を実現するには至っていない。サーバファームには多数のサーバが集積されるため、個々のマシンの故障は日常茶飯事であり、大規模サーバファームの管理はそれを考慮に入れて行われる。すなわち、冗長構成にしたり、自動フェイルオーバの設定をしたり、迅速な再構成が可能な方式を採用している。 大規模サーバファーム(数千プロセッサ)の性能は設置場所であるデータセンターの冷却システムの性能に制限されることが多く、プロセッサの性能そのものはあまり影響しない。このため、個々のプロセッサのパフォーマンスは重視されず、消費電力当たりのスループットが最も重視される。.

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Basic Input/Output System

アダプテック社製SCSIカード、AHA-2940よりBIOS ROM部拡大撮影) Basic Input/Output System(ベーシック インプット/アウトプット システム、頭字語:BIOS(バイオス))とは、ファームウェアの一つで、コンピュータに搭載されたプログラムのうち、ハードウェアとの最も低レベルの入出力を行うためのプログラムである。.

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磁気テープ

ーディオ用コンパクトカセット「ソニー・HF」(現在すでに終売)。スケルトン仕様で内装された磁気テープが見える 磁気テープ(じきテープ)とは、粉末状の磁性体をテープ状のフィルムに、バインダー(接着剤)で塗布または蒸着した記録媒体で、磁化の変化により情報を記録・再生する磁気記録メディアの一分類である。.

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磁気コアメモリ

磁気コアメモリ(じきこあめもり)は、小さなドーナツ状のフェライトコアを磁化させることにより情報を記憶させる記憶装置。 コンピュータの初期世代ではよく使われた。原理的に破壊読み出しで、読み出すと必ずデータが消えるため、再度データを書き戻す必要がある。破壊読み出しだが、磁気で記憶させるため、不揮発性という特徴がある(ただし、電源投入時のノイズ等で内容が破壊されうるので、設計次第で揮発性メモリのように扱われる)。 縦方向、横方向、さらに斜め方向の三つの線の交点にコアを配置する。縦横方向でアドレッシングを行ない、斜め方向の線でデータを読み出す。.

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磁気抵抗メモリ

磁気抵抗メモリ(じきていこうめもり・Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合(Magnetic tunnel junction、MTJ)を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態(平行/反平行)によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、'''STT-MRAM'''(Spin Transfer Torque MRAM)、SOT-MRAM(Spin Orbit Torque MRAM)などの種類がある。.

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磁性

物理学において、磁性(じせい、magnetism)とは、物質が原子あるいは原子よりも小さいレベルで磁場に反応する性質であり、他の物質に対して引力や斥力を及ぼす性質の一つである。磁気(じき)とも言う。.

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真空管

5球スーパーラジオに使われる代表的な真空管(mT管) 左から6BE6、6BA6、6AV6、6AR5、5MK9 ここでは真空管(しんくうかん、vacuum tube、vacuum valve)電子管あるいは熱電子管などと呼ばれるものについて解説する。.

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組み込みシステム

組み込みシステム(くみこみシステム、英: Embedded system)とは、特定の機能を実現するために家電製品や機械等に組み込まれるコンピュータシステムのこと。.

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相変化メモリ

変化メモリ(そうへんかめもり・Phase-change memory)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性メモリであり、PCRAM・PRAM・PCMとも呼ばれる。 DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。 結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。.

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DDR SDRAM

DDR SDRAM (PC3200) DDR SDRAM (Double-Data-Rate SDRAM)は、SDRAMの一種で、クロックの立ち上がり/立ち下がりの両方を使うことで、片エッジのみ使用する(SDRの)SDRAMの倍速(Double-Data-Rate)でデータを転送する。また、その規格のひとつで最初のもの。DDR2が後継である。 DDR規格のプリフェッチバッファの深さ(depth)は2(ビット)である。 後継のDDR2にとって代わられるまで、パーソナルコンピュータにおいて2001年〜2005年頃(Pentium 3後期〜Pentium 4前期)の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2007年〜2011年頃(ARM11やCortex-A8など)に用いられていた。 DDR SDRAMのメモリにはメモリチップとメモリモジュールの2つの規格が存在し、メモリチップ規格はチップの最大動作周波数、メモリモジュール規格はモジュールと機器間の最大転送速度を示している。.

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DDR2 SDRAM

ヒートスプレッダ付のDDR2 SDRAM(PC2-6400) ノートPCなどで使われるSO-DIMM DDR2 SDRAM (Double-Data-Rate2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 4ビットのプリフェッチ機能(CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能)をもつ。内部クロックの2倍の外部クロックを用いるため、クロックの等倍で動作するDDR SDRAMの2倍、SDRAMの4倍のデータ転送速度が理論上得られる。パーソナルコンピュータにおいて2005年〜2009年頃(Pentium 4後期〜Intel Core 2)の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2011年から(Cortex-A9など)用いられている。.

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DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 2007年頃からパーソナルコンピュータの主記憶装置などに用いられるようになり、2010年以降は市場の主流となっている。スマートデバイスなどの組み込み向けとしても、2013年以降の高性能品(ARM Cortex-A15など)に使われるようになった。インテルはNehalemマイクロアーキテクチャ(2008年)から使用している。.

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DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (Double-Data-Rate4 Synchronous Dynamic Random Access Memory)は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 DDR3 SDRAM と同様、8ビットのプリフェッチ機能(CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能)をもつ。バンクグループを用いることで DDR3 の2倍の転送速度を実現した。 パソコンやサーバーでは2014年から、携帯電話(ARM Cortex-A57など)では2015年から使われている。インテルはHaswellマイクロアーキテクチャから使用している。また、AMDもZenマイクロアーキテクチャから使用している。.

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DVD-RAM

DVD-RAM(ディーブイディー・ラム)とは記録型DVDの規格の一つである。DVDフォーラムにより策定され、1998年4月に松下電器産業(現・パナソニック)と日立製作所から最初の製品が発売された。.

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Dynamic Random Access Memory

Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。(通常のSRAMと同様に)揮発性(電源供給がなくなると記憶情報も失われる)であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること(寄生容量)を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.

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EDSAC

EDSAC EDSAC(エドサック、Electronic Delay Storage Automatic Calculator)は、初期のイギリスのコンピュータのひとつ。このマシンはジョン・フォン・ノイマンがまとめたEDVACレポート(:en:First Draft of a Report on the EDVAC)に刺激され、モーリス・ウィルクスとケンブリッジ大学の数学研究所のチームが開発した。EDSACは、世界初の実用的なプログラム内蔵方式の電子計算機であるが、プログラム内蔵方式の世界初の稼働したマシンではない。 プロジェクトは J. Lyons & Co.

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遅延記憶装置

UNIVAC Iの水銀遅延線(1951) 遅延記憶装置(ちえんきおくそうち)とは、媒体が音波などを伝える際の遅れを利用し、信号を循環させ記憶装置として使用するものである。種類によっては、遅延線記憶装置(delay line memory)という。技術的にはレーダーで使う信号処理技術などから生まれたもので、黎明期のコンピュータでよく使われた。 構成方法にもよるが、たとえば加算器に直列加算器が使えるなど、部品数を抑えて多くの情報を扱えるコンピュータを作ることができる、という利点がある。これは安上がりという点だけではなく、初期のコンピュータの多くが苦労した信頼性という点でも重要である。.

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補助記憶装置

パーソナルコンピュータのハードディスク 補助記憶装置(ほじょきおくそうち)は記憶装置の分類で、「主記憶装置」がコンピュータのメインのバスに直接接続され、CPUが即座にアクセスでき、演算の対象にもできる場合もあるのに対し、外部バスに接続され、CPUからは直接アクセスできないものを指す。レイテンシやスループットは遅いが比較すると大容量である。二次記憶装置などとも。.

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記憶装置

GB SDRAM。一次記憶装置の例 GB ハードディスクドライブ(HDD)。コンピュータに接続すると二次記憶装置として機能する SDLT テープカートリッジ。オフライン・ストレージの例。自動テープライブラリで使う場合は、三次記憶装置に分類される 記憶装置(きおくそうち)は、コンピュータが処理すべきデジタルデータをある期間保持するのに使う、部品、装置、電子媒体の総称。「記憶」という語の一般的な意味にも対応する英語としてはメモリ(memory)である。記憶装置は「情報の記憶」を行う。他に「記憶装置」に相当する英語としてはストレージ デバイス(Storage Device)というものもある。.

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電子媒体

電子媒体(でんしばいたい)は、映像機器や音響機器での映像や音楽の記録再生や、電子計算機(コンピュータ)での情報処理に使用する記録媒体の総称。コンピュータで扱う情報については、記録内容は全てデジタルデータである、という特徴がある一方、映像機器や音響機器においては、アナログ方式で記録再生されるものもある。かつては磁気テープ(ビデオテープやコンパクトカセットなど)が主流であったが、近年はハードディスクドライブなど、ディスク形状のものが主流になりつつある、と認識している者がいるようだが、1956年に:en:IBM 305 RAMACが誕生して以来、ディスクも同様に主流として使われており、パソコンしか知らない一般消費者にありがちな誤謬である。 また、CD-ROM、DVD-ROM、BD-ROMなどは、全く物理的(機械的)に作られており、「電子」メディアと言うには無理がある。また「電子媒体」という語は電子書籍など、「オンラインの伝達メディア」といった意味に使われることも多く、正確には、電子媒体という記事名が変で、記事名として記録メディアないしデータメディアとした方が良い。.

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電荷

電荷(でんか、electric charge)は、素粒子が持つ性質の一つである。電気量とも呼ぶ。電荷の量を電荷量という。電荷量のことを単に電荷と呼んだり、電荷を持つ粒子のことを電荷と呼んだりすることもある。.

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集積回路

SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路(しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC)は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.

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GDDR3

GDDR3 (Graphics Double Data Rate 3) は、ATI Technologiesによって開発された、ビデオカード用のメモリー技術である。 技術的にはDDR2 SDRAMと類似しているが、高速なメモリーチップを搭載し、冷却装置を単純にするため、電力と放熱の条件は緩和された。DDR2と異なり、GDDR3はJEDECのDDR3 SDRAM仕様とは無関係である。このメモリは、グラフィックの要求を確実に扱うために、内部にターミネータを備える。また、帯域幅を広げるために、GDDR3メモリーはクロック信号1周期につき2ビットを転送する。 GDDR3はATIにより開発されたが、最初に採用した製品はNVIDIAのGeForce 5700 Ultraであり、2番目に採用した製品はNVIDIAのGeForce 6800 Ultraであった。これは、消費電力を前世代のGeForce 5950 Ultraと同程度に抑えるためである。ATIはRADEON X 800からGDDR3を採用した。以降、この2大陣営の多くの製品で用いられた。その後、後継規格のGDDR4へ移行。2009年現在はAMD(ATI)より新規格GDDR5が発表され、搭載製品が発売されている。.

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GDDR5

GDDR5 (Graphics Double Data Rate 5) は、AMDによって開発されたビデオカード用のメモリー技術である。規格策定は、業界規格標準化団体であるJEDECとAMDのエンジニアによって行われた。規格上GDDR3、の後継モデルとされている。.

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IBM

IBM(アイビーエム、正式社名: International Business Machines Corporation)は、民間法人や公的機関を対象とするコンピュータ関連製品およびサービスを提供する企業である。本社はアメリカ合衆国ニューヨーク州アーモンクに所在する。世界170カ国以上で事業を展開している。.

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RC回路

RC回路(RC circuit)は、抵抗器とコンデンサで構成され、電圧または電流で駆動される電気回路。RCフィルタ、RCネットワークとも。1つの抵抗器と1つのコンデンサから構成される一次RC回路は、最も単純なRC回路の例である。.

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RDRAM

RDRAMは『Rambus DRAM』の略で、Rambus社による基本設計で同社がライセンスする、SDRAMモジュールの方式の一種である。バスのビット幅を制限する代わりに、一筆書き状の配線によって実現される高速性などを特長とする。.

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Read only memory

Read only memory(リードオンリーメモリ、ROM: ロム)は、記録されている情報を読み出すことのみ可能なメモリである。読み出し専用メモリともいう。.

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SDRAM

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、システムバスに同期して動作するDRAM (Dynamic Random Access Memory)。シンクロナスDRAMとも。初期のDRAMのインタフェースは非同期式であり、制御入力の変化に反応して可能な限り素早く応答するようになっていた。SDRAMのインタフェースは同期式であり、制御入力に応答する前にクロック信号を待つため、コンピュータのシステムバスに同期して動作する。クロックは入ってくる命令をパイプライン化する内部の有限状態機械を駆動するのに使われる。そのためSDRAMのチップは非同期DRAMよりも複雑な操作パターンを持つことができ、より高速に動作できる。 パイプライン化とはこの場合、SDRAMのチップが前の命令の処理を完了する前に新たな命令を受け付けられることを意味する。パイプライン化された書き込みでは、書き込み命令のすぐ後に書き込むべきデータがメモリアレイに到着する前でも次の命令を受け付けられる。パイプライン化された読み出しでは、要求したデータは読み出し命令からある固定数のクロックパルスが経過した後に出力され、その間のサイクルの間に別の命令を送ることができる。読み出し命令からデータが出力されるまでの遅延を「レイテンシ」と呼び、SDRAMを選択する際の重要な観点となっている。 SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4 が量産されている。.

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Static Random Access Memory

NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM(スタティックラム・エスラム)は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ(回復動作)が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ(volatile memory)である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある(特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された)。 ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory)ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.

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抵抗変化型メモリ

ReRAM(resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、.

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揮発性メモリ

揮発性メモリ(きはつせいメモリ、volatile memory)とは、メモリを分類する観点のひとつで、電源を供給しないと記憶している情報を保持できない性質(のメモリ)のことである。対して、電源を供給しなくても情報を失わないメモリは不揮発性メモリである。 主記憶装置はもっぱら揮発性である。.

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擬似SRAM

擬似SRAM(ぎじエスラム、Pseudo Static Randome Access Memory)とは、SRAMインターフェースを備えたDRAMである。.

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放射線

放射線(ほうしゃせん、radiation、radial rays)とは、高い運動エネルギーをもって流れる物質粒子(アルファ線、ベータ線、中性子線、陽子線、重イオン線、中間子線などの粒子放射線)と高エネルギーの電磁波(ガンマ線とX線のような電磁放射線)の総称をいう。「放射線」に全ての電磁波を含め、電離を起こすエネルギーの高いものを電離放射線、そうでないものを非電離放射線とに分けることもあるが、一般に「放射線」とだけいうと、高エネルギーの電離放射線の方を指していることが多い 。 なお、広辞苑には「放射性元素の放射性崩壊に伴い放出される粒子放射線と電磁放射線(主にアルファ線、ベータ線、ガンマ線)を指す」広辞苑第五版 p.2432【放射線】、とあるが、これは放射性物質の放射能を問題とする文脈ではそれを指す、というくらいの意味である。.

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21世紀

21世紀(にじゅういっせいき、にじゅういちせいき)とは、西暦2001年から西暦2100年までの100年間を指す世紀。3千年紀における最初の世紀である。.

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