ブラウザよりも高速アクセス！Random Access Memoryと半導体メモリ間の類似点
Random Access Memoryと半導体メモリは（ユニオンペディアに）共通で23ものを持っています: 不揮発性メモリ、主記憶装置、強誘電体メモリ、マイクロプロセッサ、ランダムアクセス、レジスタ (コンピュータ)、フリップフロップ、キャッシュメモリ、コンデンサ、シーケンシャルアクセス、磁気抵抗メモリ、DDR SDRAM、Dynamic Random Access Memory、補助記憶装置、記憶装置、集積回路、RDRAM、Read only memory、SDRAM、Static Random Access Memory、抵抗変化型メモリ、揮発性メモリ、擬似SRAM。
不揮発性メモリ
不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.
Random Access Memoryと不揮発性メモリ · 不揮発性メモリと半導体メモリ ·
主記憶装置
主記憶装置（しゅきおくそうち）は、記憶装置の分類で、「補助記憶装置」が一般に外部バスなど比較的CPUから離れていて大容量だが遅い記憶装置を指すのに対し、コンピュータのメインバスなどに直接接続されている記憶装置で、レイテンシやスループットは速いが比較すると小容量である。特に、CPUが入出力命令によって外部のインタフェースを操作するのではなく、「ロード・ストア命令」や、さらには通常の加算などの命令において直接読み書きできる対象であるものを指す。メインメモリ、一次記憶装置とも。.
Random Access Memoryと主記憶装置 · 主記憶装置と半導体メモリ ·
強誘電体メモリ
FeRAM 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり・Ferroelectric Random Access Memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(【現】サイプレス・セミコンダクター)による商標で、国内では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。.
Random Access Memoryと強誘電体メモリ · 半導体メモリと強誘電体メモリ ·
マイクロプロセッサ
マイクロプロセッサ（Microprocessor）とは、コンピュータなどに搭載される、プロセッサを集積回路で実装したものである。 マイクロプロセッサは小型・低価格で大量生産が容易であり、コンピュータのCPUの他、ビデオカード上のGPUなどにも使われている。また用途により入出力などの周辺回路やメモリを内蔵するものもあり、一つのLSIでコンピュータシステムとして動作するものを特にワンチップマイコンと呼ぶ。マイクロプロセッサは一つのLSIチップで機能を完結したものが多いが、複数のLSIから構成されるものもある（チップセットもしくはビットスライスを参照）。 「CPU」、「プロセッサ」、「マイクロプロセッサ」、「MPU」は、ほぼ同義語として使われる場合も多い。本来は「プロセッサ」は処理装置の総称、「CPU」はシステム上で中心的なプロセッサ、「マイクロプロセッサ」および「MPU（Micro-processing unit）」はマイクロチップに実装されたプロセッサである。本項では、主にCPU用のマイクロプロセッサについて述べる。 当初のコンピュータにおいて、CPUは真空管やトランジスタなどの単独素子を大量に使用して構成されたり、集積回路が開発されてからも、たくさんの集積回路の組み合わせとして構成されてきた。製造技術の発達、設計ルールの微細化が進むにつれてチップ上に集積できる素子の数が増え、一つの大規模集積回路にCPU機能を納めることが出来るようになった。汎用のマイクロプロセッサとして最初のものは、1971年にインテルが開発したIntel 4004である。このマイクロプロセッサは当初電卓用に開発された、性能が非常に限られたものであったが、生産や利用が大幅に容易となったため大量に使われるようになり、その後に性能は著しく向上し、価格も低下していった。この過程でパーソナルコンピュータやRISCプロセッサも誕生した。ムーアの法則に従い、集積される素子数は増加し続けている。現在ではマイクロプロセッサは、大きなメインフレームから小さな携帯電話や家電まで、さまざまなコンピュータや情報機器に搭載されている。.
Random Access Memoryとマイクロプロセッサ · マイクロプロセッサと半導体メモリ ·
ランダムアクセス
ランダムアクセス（Random Access）とは、記憶装置などのデータへのアクセス方式のひとつで、端から順番にアクセスするというシーケンシャルアクセスに対して、何らかのアドレス付けによる番号などにより、目的のデータがある場所がわかっていれば、それを直接アクセスできる、というような方式である。Direct access storage device（DASD）など、「直接アクセス」という語もある。なお「ランダムアクセスメモリ」についてはRandom Access Memoryの記事を参照。 おおまかな説明になるが、例えばファイルシステムに利用しているディスクであれば、目的のファイルのパス文字列からinodeを得て、inodeからブロック番号を得る。ブロック番号は容易にディスクの実際のアドレス（Logical Block Addressing）に変換できるので、あとはディスクコントローラにそのLBAにアクセスするコマンドを投げる。ディスクコントローラにより、ディスクメディアであればヘッドが目的のセクタがあるシリンダに移動され（シーク）、目的のセクタが現れるまでディスクの回転を待ち、最終的に目的のセクタにアクセスが行われる。 シーケンシャルアクセスでは通常、端から全部のデータにアクセスしつつ、目的の場所まで待たなければならないので、レイテンシが膨大になる。それに対しランダムアクセスではどの場所のデータにアクセスするのでも、一般に同じ待ち時間でアクセスできる。（スループットの点では、シーケンシャルアクセス機器の存在意義を示すためもあって、近年のテープ機器などでは高性能化が進んでいる）.
Random Access Memoryとランダムアクセス · ランダムアクセスと半導体メモリ ·
レジスタ (コンピュータ)
レジスタ（register）はコンピュータのプロセッサなどが内蔵する記憶回路で、制御装置や演算装置や実行ユニットに直結した、操作に要する速度が最速の、比較的少量のものを指す。.
Random Access Memoryとレジスタ (コンピュータ) · レジスタ (コンピュータ)と半導体メモリ ·
フリップフロップ
''R1, R2''.
Random Access Memoryとフリップフロップ · フリップフロップと半導体メモリ ·
キャッシュメモリ
ャッシュメモリ は、CPUなど処理装置がデータや命令などの情報を取得/更新する際に主記憶装置やバスなどの遅延／低帯域を隠蔽し、処理装置と記憶装置の性能差を埋めるために用いる高速小容量メモリのことである。略してキャッシュとも呼ぶ。コンピュータは以前から記憶装置や伝送路の性能が処理装置の性能に追いつけず、この差が全体性能に対するボトルネックとされてきた（ノイマンズ・ボトルネック）。そしてムーアの法則に基づく処理装置の加速度的な高性能化により現在ではますますこの差が拡大されている。キャッシュメモリは、記憶階層の観点からこれを解消しようとするものである。 主に、主記憶装置とCPUなど処理装置との間に構成される。この場合、処理装置がアクセスしたいデータやそのアドレス、状態、設定など属性情報をコピーし保持することで、本来アクセスすべき記憶装置に代わってデータを入出力する。通常はキャッシュメモリが自動的にデータ保存や主記憶装置の代替を行うため、基本的にCPUのプログラムなど処理装置側がキャッシュメモリを意識する必要はない。 キャッシュの一般的な概念はキャッシュ (コンピュータシステム)を参照のこと。.
Random Access Memoryとキャッシュメモリ · キャッシュメモリと半導体メモリ ·
コンデンサ
ンデンサの形状例。この写真の中での分類としては、足のあるものが「リード形」、長方体のものが「チップ形」である 典型的なリード形電解コンデンサ コンデンサ（Kondensator、capacitor）とは、電荷（静電エネルギー）を蓄えたり、放出したりする受動素子である。キャパシタとも呼ばれる。（日本の）漢語では蓄電器（ちくでんき）などとも。 この素子のスペックの値としては、基本的な値は静電容量である。その他の特性としては印加できる電圧（耐圧）、理想的な特性からどの程度外れているかを示す、等価回路における、直列の誘導性を示す値と直列並列それぞれの抵抗値などがある。一般に国際単位系（SI）における静電容量の単位であるファラド（記号: F）で表すが、一般的な程度の容量としてはそのままのファラドは過大であり、マイクロファラド（μF.
Random Access Memoryとコンデンサ · コンデンサと半導体メモリ ·
シーケンシャルアクセス
ーケンシャルアクセス (sequential access) とは、記憶装置などにおけるデータへのアクセス方式のひとつであり、記憶媒体の先頭から順に検索しアクセスしていく。そのため、後ろに記録されたデータに辿り着くまで時間がかかる。これは順次アクセスとも言われる。 コンピュータでは利便性の点でランダムアクセスの機器がもっぱらだが、（かつての）カセットテープやビデオテープなどオーディオやビデオ用としては多用された。超大容量のバックアップや安全な輸送のためなど、コンピュータ用の磁気テープ機器にも一定の需要がある。.
Random Access Memoryとシーケンシャルアクセス · シーケンシャルアクセスと半導体メモリ ·
磁気抵抗メモリ
磁気抵抗メモリ(じきていこうめもり・Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、'''STT-MRAM'''（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。.
Random Access Memoryと磁気抵抗メモリ · 半導体メモリと磁気抵抗メモリ ·
DDR SDRAM
DDR SDRAM (PC3200) DDR SDRAM (Double-Data-Rate SDRAM)は、SDRAMの一種で、クロックの立ち上がり/立ち下がりの両方を使うことで、片エッジのみ使用する（SDRの）SDRAMの倍速（Double-Data-Rate）でデータを転送する。また、その規格のひとつで最初のもの。DDR2が後継である。 DDR規格のプリフェッチバッファの深さ（depth）は2(ビット)である。 後継のDDR2にとって代わられるまで、パーソナルコンピュータにおいて2001年〜2005年頃（Pentium 3後期〜Pentium 4前期）の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2007年〜2011年頃（ARM11やCortex-A8など）に用いられていた。 DDR SDRAMのメモリにはメモリチップとメモリモジュールの2つの規格が存在し、メモリチップ規格はチップの最大動作周波数、メモリモジュール規格はモジュールと機器間の最大転送速度を示している。.
DDR SDRAMとRandom Access Memory · DDR SDRAMと半導体メモリ ·
Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.
Dynamic Random Access MemoryとRandom Access Memory · Dynamic Random Access Memoryと半導体メモリ ·
補助記憶装置
パーソナルコンピュータのハードディスク 補助記憶装置（ほじょきおくそうち）は記憶装置の分類で、「主記憶装置」がコンピュータのメインのバスに直接接続され、CPUが即座にアクセスでき、演算の対象にもできる場合もあるのに対し、外部バスに接続され、CPUからは直接アクセスできないものを指す。レイテンシやスループットは遅いが比較すると大容量である。二次記憶装置などとも。.
Random Access Memoryと補助記憶装置 · 半導体メモリと補助記憶装置 ·
記憶装置
GB SDRAM。一次記憶装置の例 GB ハードディスクドライブ(HDD)。コンピュータに接続すると二次記憶装置として機能する SDLT テープカートリッジ。オフライン・ストレージの例。自動テープライブラリで使う場合は、三次記憶装置に分類される 記憶装置（きおくそうち）は、コンピュータが処理すべきデジタルデータをある期間保持するのに使う、部品、装置、電子媒体の総称。「記憶」という語の一般的な意味にも対応する英語としてはメモリ（memory）である。記憶装置は「情報の記憶」を行う。他に「記憶装置」に相当する英語としてはストレージ デバイス（Storage Device）というものもある。.
Random Access Memoryと記憶装置 · 半導体メモリと記憶装置 ·
集積回路
SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.
Random Access Memoryと集積回路 · 半導体メモリと集積回路 ·
RDRAM
RDRAMは『Rambus DRAM』の略で、Rambus社による基本設計で同社がライセンスする、SDRAMモジュールの方式の一種である。バスのビット幅を制限する代わりに、一筆書き状の配線によって実現される高速性などを特長とする。.
RDRAMとRandom Access Memory · RDRAMと半導体メモリ ·
Read only memory
Read only memory（リードオンリーメモリ、ROM: ロム）は、記録されている情報を読み出すことのみ可能なメモリである。読み出し専用メモリともいう。.
Random Access MemoryとRead only memory · Read only memoryと半導体メモリ ·
SDRAM
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、システムバスに同期して動作するDRAM (Dynamic Random Access Memory)。シンクロナスDRAMとも。初期のDRAMのインタフェースは非同期式であり、制御入力の変化に反応して可能な限り素早く応答するようになっていた。SDRAMのインタフェースは同期式であり、制御入力に応答する前にクロック信号を待つため、コンピュータのシステムバスに同期して動作する。クロックは入ってくる命令をパイプライン化する内部の有限状態機械を駆動するのに使われる。そのためSDRAMのチップは非同期DRAMよりも複雑な操作パターンを持つことができ、より高速に動作できる。 パイプライン化とはこの場合、SDRAMのチップが前の命令の処理を完了する前に新たな命令を受け付けられることを意味する。パイプライン化された書き込みでは、書き込み命令のすぐ後に書き込むべきデータがメモリアレイに到着する前でも次の命令を受け付けられる。パイプライン化された読み出しでは、要求したデータは読み出し命令からある固定数のクロックパルスが経過した後に出力され、その間のサイクルの間に別の命令を送ることができる。読み出し命令からデータが出力されるまでの遅延を「レイテンシ」と呼び、SDRAMを選択する際の重要な観点となっている。 SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4 が量産されている。.
Random Access MemoryとSDRAM · SDRAMと半導体メモリ ·
Static Random Access Memory
NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ（回復動作）が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある（特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された）。 ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory）ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.
Random Access MemoryとStatic Random Access Memory · Static Random Access Memoryと半導体メモリ ·
抵抗変化型メモリ
ReRAM（resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER効果）を利用しており、.
Random Access Memoryと抵抗変化型メモリ · 半導体メモリと抵抗変化型メモリ ·
揮発性メモリ
揮発性メモリ（きはつせいメモリ、volatile memory）とは、メモリを分類する観点のひとつで、電源を供給しないと記憶している情報を保持できない性質（のメモリ）のことである。対して、電源を供給しなくても情報を失わないメモリは不揮発性メモリである。 主記憶装置はもっぱら揮発性である。.
Random Access Memoryと揮発性メモリ · 半導体メモリと揮発性メモリ ·
擬似SRAM
擬似SRAM（ぎじエスラム、Pseudo Static Randome Access Memory）とは、SRAMインターフェースを備えたDRAMである。.
上記のリストは以下の質問に答えます
- 何Random Access Memoryと半導体メモリことは共通しています
- 何がRandom Access Memoryと半導体メモリ間の類似点があります
Random Access Memoryと半導体メモリの間の比較
半導体メモリが41を有しているRandom Access Memoryは、66の関係を有しています。 彼らは一般的な23で持っているように、ジャカード指数は21.50%です = 23 / (66 + 41)。
参考文献
この記事では、Random Access Memoryと半導体メモリとの関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:
