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36 関係: 巨大磁気抵抗効果、不揮発性メモリ、企業、強磁性、保磁力、チャージポンプ、トンネル磁気抵抗効果、データ、フラッシュメモリ、フリースケール・セミコンダクタ、インプレス、スピントロニクス、スピン角運動量、スピン注入メモリ、商業、磁場、磁化、磁気抵抗効果、示量性と示強性、素子、絶縁体、組み込みシステム、発表報道、Dynamic Random Access Memory、製品、電子、電気抵抗、電源、Static Random Access Memory、東北大学、東芝、構造、方向、日本アイ・ビー・エム、日本電気、2006年。
巨大磁気抵抗効果
巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある。このような現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。 1987年にドイツのペーター・グリューンベルク、フランスのアルベール・フェールらによって発見された。 巨大磁気抵抗効果は、多層膜の磁気構造が外部磁場によって変化するために生じる。 磁気多層膜以外においても、ペロブスカイト型マンガン酸化物においても見られる。 巨大磁気抵抗効果を応用した磁気ヘッドの登場によって、HDDの容量が飛躍的に増大した。 グリューンベルクとフェールはこの発見によって、2007年のノーベル物理学賞を受賞している。.
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不揮発性メモリ
不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.
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企業
企業（きぎょう、business）とは、営利を目的として一定の計画に従って経済活動を行う経済主体（経済単位）である。社会的企業を区別するために営利企業とも言う。家計・政府と並ぶ経済主体の一つ。国（中央政府）や地方公共団体が保有する企業を公企業（こうきぎょう）、そうでない企業を私企業（しきぎょう）という。通常は企業といえば私企業を指す。日常用語としての「企業」は多くの場合、会社と同義だが、個人商店も企業に含まれるので、企業のほうが広い概念である。 広義の企業は、営利目的に限らず、一定の計画に従い継続的意図を持って経済活動を行う独立の経済主体（経済単位）を指す。.
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強磁性
強磁性 (きょうじせい、ferromagnetism) とは、隣り合うスピンが同一の方向を向いて整列し、全体として大きな磁気モーメントを持つ物質の磁性を指す。そのため、物質は外部磁場が無くても自発磁化を持つことが出来る。 室温で強磁性を示す単体の物質は少なく、鉄、コバルト、ニッケル、ガドリニウム（18℃以下）である。 単に強磁性と言うとフェリ磁性を含めることもあるが、日本語ではフェリ磁性を含まない狭義の強磁性をフェロ磁性と呼んで区別することがある。なおフェロ (ferro) は鉄を意味する。.
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保磁力
保磁力（ほじりょく, Coercivity）は磁化された磁性体を磁化されていない状態に戻すために必要な反対向きの外部磁場の強さをいう。 抗磁力（こうじりょく）ともいう。 保磁力の単位には、CGS単位系ではエルステッド 、SI単位ではアンペア毎メートル をもちいる。1 は 4π×10-3 である。 BHカーブ、磁性材料が外部磁場（H）の中に置かれた時の磁化（磁束密度：B）の強さを示す図。 図において、強磁性体を外部磁場の中にいれて外部磁場を大きくしていくと、磁性体は着磁される。そこから外部磁場を減少させていっても、磁性体に着いた磁力の強さは、着磁時のカーブにのって減少することはなく、ヒステリシスをもつ。 外部磁場がゼロになったとき、残っている磁化を残留磁化という。さらに逆向きの磁場を加えて、残留磁化がゼロになったときの外部磁場の強さが保磁力である。 永久磁石の材料としては保磁力が大きいことが望ましく、変圧器の磁芯などの用途では、逆に小さいことが望ましい。 保磁力は外部磁場による磁壁の動きやすさによって決まるので、材料の組織の大きさ、残留ひずみの量などで変化する。 なお、逆磁場や温度変化による磁力の減少を減磁と言い、磁力を失わせることを消磁（しょうじ, Degaussing）と言う。.
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チャージポンプ
チャージポンプ(Charge pump)は、コンデンサとスイッチを組み合わせることによって電圧を上昇させるための電子回路。.
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トンネル磁気抵抗効果
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・TMR Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。.
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データ
データ（data）とは、事実や資料をさす言葉。言語的には複数形であるため、厳密には複数の事象や数値の集まりのことを指し、単数形は datum（データム）である。.
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フラッシュメモリ
フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.
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フリースケール・セミコンダクタ
フリースケール・セミコンダクタ（Freescale Semiconductor, Inc.）は、かつて存在したアメリカの半導体製造企業である。2004年、モトローラ社の半導体部門が分離して設立された。通信や車載といった組み込みシステム向けのチップを主要な製品としていた。2015年12月7日をもってオランダのNXPセミコンダクターズに吸収合併された。 本社はテキサス州オースティンにあり、世界20カ国以上で活動している。.
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インプレス
株式会社インプレス（Impress Corporation）は、日本のメディア関連企業グループであるインプレスグループの企業。グループの持株会社は株式会社インプレスホールディングス。グループの創業者はアスキー共同創業者でもあった塚本慶一郎。グループの主要事業であるコンピュータ関連の雑誌、書籍の制作で知られる。.
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スピントロニクス
ピントロニクス（spintronics）とは、固体中の電子が持つ電荷とスピンの両方を工学的に利用、応用する分野のこと。 スピンとエレクトロニクス（電子工学）から生まれた造語である。マグネットエレクトロニクス（magnetoelectronics）とも呼ばれるが、スピントロニクスの呼称の方が一般的である。 これまでのエレクトロニクスではほとんどの場合電荷の自由度のみが利用されてきたが、この分野においてはそれだけでなくスピンの自由度も利用しこれまでのエレクトロニクスでは実現できなかった機能や性能を持つデバイスが実現されている。この分野における代表的な例としては1988年に発見された巨大磁気抵抗効果があり、現在ハードディスクドライブのヘッドに使われている。.
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スピン角運動量
ピン角運動量（スピンかくうんどうりょう、spin angular momentum）は、量子力学上の概念で、粒子が持つ固有の角運動量である。単にスピンとも呼ばれる。粒子の角運動量には、スピン以外にも粒子の回転運動に由来する角運動量である軌道角運動量が存在し、スピンと軌道角運動量の和を全角運動量と呼ぶ。ここでいう「粒子」は電子やクォークなどの素粒子であっても、ハドロンや原子核や原子など複数の素粒子から構成される複合粒子であってもよい。 「スピン」という名称はこの概念が粒子の「自転」のようなものだと捉えられたという歴史的理由によるものであるが、現在ではこのような解釈は正しいとは考えられていない。なぜなら、スピンは古典極限 において消滅する為、スピンの概念に対し、「自転」をはじめとした古典的な解釈を付け加えるのは全くの無意味だからであるランダウ＝リフシッツ小教程。 量子力学の他の物理量と同様、スピン角運動量は演算子を用いて定義される。この演算子(スピン角運動量演算子)は、スピンの回転軸の方向に対応して定義され、 軸、 軸、 軸方向のスピン演算子をそれぞれ\hat_x,\hat_y,\hat_z と書き表す。これらの演算子の固有値（＝これら演算子に対応するオブザーバブルを観測したときに得られる値）は整数もしくは半整数である値 を用いて、 と書き表せる。値 は、粒子のみに依存して決まり、スピン演算子の軸の方向には依存せずに決まる事が知られている。この を粒子のスピン量子数という。 スピン量子数が半整数 になる粒子をフェルミオン、整数 になる粒子をボゾンといい、両者の物理的性質は大きく異る(詳細はそれぞれの項目を参照)。2016年現在知られている範囲において、.
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スピン注入メモリ
ピン注入メモリ(すぴんちゅうにゅうめもり・Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAM又はST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。.
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商業
商業（しょうぎょう、commerce）とは、財やサービスなどの商品を所有している人または存在している場所と、必要としている人または必要としている場所を結びつけることにより利益を得る産業または経済活動である。多くは貨幣の媒介を経て市場や個々の店舗において取引（商取引）という形式をとって行われる。ただし、貨幣や市場などを媒介しないケースを含める場合には「交換」と呼ぶこともある。また、「商業的」という場合、「営利を目的として」という意味になる（例：商業的生産）。産業の類には含まれるものの、第一次産業と第二次産業とは大きく異なり、いわゆるサービス業に近い一面を持っている。.
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磁場
磁場（じば、Magnetic field）は、電気的現象・磁気的現象を記述するための物理的概念である。工学分野では、磁界（じかい）ということもある。 単に磁場と言った場合は磁束密度Bもしくは、「磁場の強さ」Hのどちらかを指すものとして用いられるが、どちらを指しているのかは文脈により、また、どちらの解釈としても問題ない場合も多い。後述のとおりBとHは一定の関係にあるが、BとHの単位は国際単位系（SI）でそれぞれWb/m², A/m であり、次元も異なる独立した二つの物理量である。Hの単位はN/Wbで表すこともある。なお、CGS単位系における、磁場（の強さ）Hの単位は、Oeである。 この項では一般的な磁場の性質、及びHを扱うこととする。 磁場は、空間の各点で向きと大きさを持つ物理量（ベクトル場）であり、電場の時間的変化または電流によって形成される。磁場の大きさは、+1のN極が受ける力の大きさで表される。磁場を図示する場合、N極からS極向きに磁力線の矢印を描く。 小学校などの理科の授業では、砂鉄が磁石の周りを囲むように引きつけられる現象をもって、磁場の存在を教える。このことから、磁場の影響を受けるのは鉄だけであると思われがちだが、強力な磁場の中では、様々な物質が影響を受ける。最近では、磁場や電場（電磁場、電磁波）が生物に与える影響について関心が寄せられている。.
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磁化
磁化（じか、magnetization）とは、磁性体に外部磁場をかけたときに、その磁性体が磁気的に分極して磁石となる現象のこと。また、磁性体の磁化の程度を表す物理量も磁化と呼ぶ。磁気分極（magnetic polarization）とも呼ばれる。 強磁性体は磁場をかけて磁化させた後に磁場を取り除いた後も分極が残り永久磁石となる残留磁化と呼ばれる現象があるが、これも磁化と呼ぶ場合がある。.
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磁気抵抗効果
Corbino disc. With the magnetic field turned off, a radial current flows in the conducting annulus due to the battery connected between the (infinite) conductivity rims. 磁場が回転したときローレンツ力により電流が流れる。リムの内側と外側に抵抗が生じる。磁場による抵抗を''磁気抵抗''と呼ぶ. 磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果によってわずか5％変化するだけだった。後に普通の磁気抵抗効果と呼ばれる。今日では巨大磁気抵抗効果やトンネル磁気抵抗効果が発見されている。.
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示量性と示強性
量性 (しりょうせい、) と示強性（しきょうせい、）は状態量の性質の一つである。 示量性を持つか示強性を持つかにより、状態量すなわち状態変数は示量変数 (extensive variable) と示強変数 (intensive variable) の2種類に分けられる。 遠山啓『量とはなにか〈I〉内包量・外延量』 太郎次郎社〈遠山啓著作集 数学教育論シリーズ〉、1978年。-->.
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素子
素子（そし）.
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絶縁体
絶縁体（ぜつえんたい、insulator）は、電気あるいは熱を通しにくい性質を持つ物質の総称である。.
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組み込みシステム
組み込みシステム（くみこみシステム、英: Embedded system）とは、特定の機能を実現するために家電製品や機械等に組み込まれるコンピュータシステムのこと。.
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発表報道
表報道（はっぴょうほうどう）とは、官公庁や捜査当局（.
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Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.
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製品
製品（せいひん）とは、主に工業において原材料を加工した後の完成品のこと。工業を営む企業においては主要な商品である。完成する前の段階では、「仕掛品」や「半製品」と呼ばれる。.
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電子
電子（でんし、）とは、宇宙を構成するレプトンに分類される素粒子である。素粒子標準模型では、第一世代の荷電レプトンに位置付けられる。電子は電荷−1、スピンのフェルミ粒子である。記号は e で表される。また、ワインバーグ＝サラム理論において弱アイソスピンは−、弱超電荷は−である。.
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電気抵抗
電気抵抗（でんきていこう、レジスタンス、electrical resistance）は、電流の流れにくさのことである。電気抵抗の国際単位系 (SI) における単位はオーム（記号：Ω）である。また、その逆数はコンダクタンス と呼ばれ、電流の流れやすさを表す。コンダクタンスのSIにおける単位はジーメンス（記号：S）である。.
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電源
パソコンの電源の規格「ATX電源」の内部 電源（でんげん）は、電力供給の源、またはそれから供給される電力そのもの。さまざまな段階での「源」が電源と呼ばれる。.
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Static Random Access Memory
NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ（回復動作）が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ（volatile memory）である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある（特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された）。 ランダムアクセスメモリ（Random Access Memory）ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.
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東北大学
記載なし。
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東芝
株式会社東芝（とうしば、TOSHIBA CORPORATION）は、日本の大手電機メーカーであり、東芝グループの中核企業である。.
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構造
構造（こうぞう、英:structure）とは、ひとつのものを作りあげている部分部分の組み合わせかた。ひとつの全体を構成する諸要素同士の、対立・矛盾・依存などの関係の総称。複雑なものごとの 部分部分や要素要素の 配置や関係。.
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方向
数学における方向（ほうこう）とは、2つの向き（むき）を合わせた表現。向き（むき）を空間上の位置を極座標で表したとき、数値が持つ距離以外の情報である。向きと大きさを持つベクトルから、大きさを取り去った残りの情報と言ってもよい。 n 次元空間での向きの自由度は、n から大きさの 1 を引いた n - 1 である。向きは単位ベクトル、あるいは、単位球（2次元空間内なら単位円）上の1点で表すことができる。 なお、物理においては、方向とは、上下方向、左右方向などのように単に直線の状態を意味するが、これに対して向きとは、下向き、右向きなどのように、ある始点から一方へ向かっての進行を意味するときに用いる。「地球の重力は、鉛直方向にはたらいており、向きは下向きである」などのように、方向と向きを使い分ける。 以下では、数学における方向について述べる。.
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日本アイ・ビー・エム
日本アイ・ビー・エム株式会社（にほんアイ・ビー・エム、日本IBM、英文表記：IBM Japan, Ltd.）は、米IBM（IBM Corporation）の日本法人。米IBMの100%子会社である有限会社アイ・ビー・エム・エーピー・ホールディングス（APH。後述のIBM APとは別の日本法人）の100%子会社であり、米IBMの孫会社にあたる。.
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日本電気
日本電気株式会社（にっぽんでんき、NEC Corporation、略称：NEC（エヌ・イー・シー）、旧英社名 の略）は、東京都港区芝五丁目（元・東京都港区芝三田四国町）に本社を置く住友グループの電機メーカー。 日電（にちでん）と略されることも稀にあるが、一般的には略称の『NEC』が使われ、ロゴマークや関連会社の名前などにも「NEC」が用いられている。 住友電気工業と兄弟会社で、同社及び住友商事とともに住友新御三家の一角であるが、住友の象徴である井桁マークは使用していない。.
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2006年
この項目では、国際的な視点に基づいた2006年について記載する。.
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MRAM、Magnestic Ramdom Access Memory、Magnetoresistive Random Access Memory、エムラム、磁気メモリ、磁気抵抗メモリー。
