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真空装置

索引 真空装置

真空装置(しんくうそうち)は、真空状態の持つ特性を利用した装置、機器である。 真空装置 真空装置はその目的を踏まえて基本仕様である真空システムを設計しなければならない。真空システムとは以下の構成要素に成り立っている。.

41 関係: 原子間力顕微鏡太陽電池二次イオン質量分析法低速電子線回折化学気相成長チタンドライエッチングベーキングアッシングイオン注入オージェ電子分光シリコンウェハージルコニウムスパッタリング冶金CL真空真空乾燥真空チャンバー真空バルブ真空ポンプ真空フランジ真空フィードスルー真空凍結乾燥装置真空用材料真空計真空部品走査型トンネル顕微鏡走査型電子顕微鏡蒸着蛍光X線電子エネルギー損失分光電子線マイクロアナライザ透過型電子顕微鏡FPDPLRBSX線光電子分光X線回折減圧蒸留装置放出ガス

原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡(げんしかんりょくけんびきょう、Atomic Force Microscope; AFM)は、走査型プローブ顕微鏡(SPM)の一種。その名のとおり、試料と探針の原子間にはたらく力を検出して画像を得る。 原子間力はあらゆる物質の間に働くため容易に試料を観察することができるため、探針と試料表面間に流れるトンネル電流を利用するSTMとは異なり、絶縁性試料の測定も可能である。また電子線を利用するSEMのように導電性コーティングなどの前処理や装置内の真空を必要とする事もない。このため、大気中や液体中、または高温~低温など様々な環境で、生体試料などを自然に近い状態で測定できる。 他の走査型プローブ顕微鏡と同様に空間分解能は探針の先端半径(nm程度)に依存し、現在では、原子レベルの分解能が実現されている。.

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太陽電池

単結晶シリコン型太陽電池 太陽電池(たいようでんち、Solar cell)は、光起電力効果を利用し、光エネルギーを電力に変換する電力機器である。光電池(こうでんち、ひかりでんち)とも呼ばれる。一般的な一次電池や二次電池のように電力を蓄える蓄電池ではなく、光起電力効果によって光を即時に電力に変換して出力する発電機である。タイプとしては、シリコン太陽電池の他、様々な化合物半導体などを素材にしたものが実用化されている。色素増感型(有機太陽電池)と呼ばれる太陽電池も研究されている。 太陽電池(セル)を複数枚直並列接続して必要な電圧と電流を得られるようにしたパネル状の製品単体は、ソーラーパネルまたはソーラーモジュールと呼ばれる。モジュールをさらに複数直並列接続して必要となる電力が得られるように設置したものは、ソーラーアレイと呼ばれる。.

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二次イオン質量分析法

二次イオン質量分析法(にじイオンしつりょうぶんせきほう、Secondary Ion Mass Spectrometry、略称:SIMS)とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン(一次イオンと呼ばれる)を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン(二次イオンと呼ばれる)を質量分析計で検出する表面計測法である。.

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低速電子線回折

低速電子線回折(ていそくでんしせんかいせつ、、)は電子回折法の一種であり、電子を試料に照射し、それが回折される様子を観察することで、固体の表面構造を解析する技術である。利用される電子のエネルギーが低い(20 - 200 eV)点で、同じ原理を用いた分析法である反射高速電子線回折()(数 - 100 keV)と区別される。.

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化学気相成長

化学気相成長(かがくきそうせいちょう)、化学気相蒸着(かがくきそうじょうちゃく)または化学蒸着(CVD: chemical vapor deposition)は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧(大気圧)や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。.

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チタン

二酸化チタン粉末(最も広く使用されているチタン化合物) チタン製指輪 (酸化皮膜技術で色彩を制御) チタン(Titan 、titanium 、titanium)は、原子番号22の元素。元素記号は Ti。第4族元素(チタン族元素)の一つで、金属光沢を持つ遷移元素である。 地球を構成する地殻の成分として9番目に多い元素(金属としてはアルミニウム、鉄、マグネシウムに次ぐ4番目)で、遷移元素としては鉄に次ぐ。普通に見られる造岩鉱物であるルチルやチタン鉄鉱といった鉱物の主成分である。自然界の存在は豊富であるが、さほど高くない集積度や製錬の難しさから、金属として広く用いられる様になったのは比較的最近(1950年代)である。 チタンの性質は化学的・物理的にジルコニウムに近い。酸化物である酸化チタン(IV)は非常に安定な化合物で、白色顔料として利用され、また光触媒としての性質を持つ。この性質が金属チタンの貴金属に匹敵する耐食性や安定性をもたらしている。(水溶液中の実際的安定順位は、ロジウム、ニオブ、タンタル、金、イリジウム、白金に次ぐ7番目。銀、銅より優れる) 貴金属が元素番号第5周期以降に所属する重金属である一方でチタンのみが第4周期に属する軽い金属である(鋼鉄の半分)。.

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ドライエッチング

ドライエッチング(英語:dry etching)は、反応性の気体(エッチングガス)やイオン、ラジカルによって材料をエッチングする方法である。主に化学的な反応によるエッチングを指し、反応による生成物は気体である場合が多い。これに対して液体によるエッチングをウエットエッチングと呼ぶ。イオンミリングなどのようにイオンを衝突させてエッチングする方法など化学的な反応を伴わないものは物理エッチングと呼ぶ場合もある。実際には化学的な反応と物理的なものが同時に起こっている。 反応ガス中に材料を曝す方法(反応性ガスエッチング)とプラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチング。 シリコンをエッチングする場合は、フッ素系のガスを用いる場合が多い。この場合にできる生成物は四フッ化ケイ素 (SiF4) である。.

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ベーキング

ベーキングとは、本来オーブンで調理することを言う。転じて、加熱処理のことを指す。.

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アッシング

アッシング(英語:ashing )とはフォトレジストを分解・除去するレジスト剥離、試料を加熱・燃焼し無機化合物にすること(灰化(かいか))の2つの意味を持つ。.

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イオン注入

イオン注入(イオンちゅうにゅう、)は、物質のイオンを固体に注入する加工方法である。イオン注入は固体の特性を変化させる点で材料工学に属し、工業的には半導体の生産に使用され、金属の表面処理など様々な材料科学の研究などが行われている。イオン注入は、対象の物質と別の元素を注入することにより、物質に化学的変化を与えると同時に、物質の破損または破壊など、構造的な変化も与える。 一般的なイオン注入装置は、目的とする元素のイオンを発生させるイオン源、必要なイオンだけを取り出す質量分析器、イオンを電気的に加速する加速器、対象物であるターゲットを高真空状態とするチャンバーから成る。イオンは単一の元素が使われる。このため、ドーズ量と呼ばれる注入された物質の総量は、イオン電流の時間積分で与えられる。イオン注入によって与えられる電流は、μAで表されるほど小さい。 一般的なイオンの加速エネルギーは10-500keV(1,600-80,000aJ)の範囲で使用される。1-10keVの範囲でも使用することは可能だが、イオンが表面近くの数nm程度のところで停止するため実用的ではない。さらに対象物の損傷を小さくする場合は、イオンビーム成長が用いられる。また、通常の加速器ではさらに高い5MeV程度の加速エネルギーまで印加可能であるが、対象の損傷が大きく、また、深さ方向の分布も広がるため、実効的な変化量は小さくなる。 打ち込まれたイオンはイオンと対象物の種別の他に、加速器で与えられる運動エネルギーと対象物質と衝突散乱による運動量の喪失によってその飛程、つまり浸透して停止する深さが決まり、そのバラツキはほぼガウス分布に従う。イオンは対象物の原子との衝突、および電子軌道のオーバーラップによる効力などにより次第にエネルギーを失っていく。多くの場合、注入深さは10nmから1μm程度である。対象物の結晶原子の配列方向が打ち込み方向と同一の場合には、原子の間をトンネルのようにすり抜けるものが出るため、深さの制御が難しくなる。これを避けるため結晶方向からは少し傾けて打ち込まれる。イオン注入は対象物の表面付近で化学変化・構造変化が求められる場合に特に有効である。.

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オージェ電子分光

ージェ電子分光(オージェでんしぶんこう、Auger electron spectroscopy、AES)は、電子分光のひとつ。 真空中でX線または電子線を測定対象に照射し、放出されるオージェ電子の速度(運動エネルギー)を分析する。 測定対象は気体分子または固体表面に限られるが、ことに固体では中速電子線の励起深さ、脱出深さが数nm以下に限られるので、最表面の分析手法として最も利用価値が高い。固体表面の清浄度、組成、吸着種、薄膜等の検出・測定に広く用いられている。.

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シリコンウェハー

イ素の単結晶これを薄く切断してシリコンウェハーにする。 シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (silicon wafer) は、高純度な珪素(シリコン)のウェハーである。シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1mm程度に切断して作られる。 シリコンウェハーは集積回路 (IC、またはLSI)の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。.

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ジルコニウム

ルコニウム(zirconium)は原子番号40の元素。元素記号は Zr。チタン族元素の1つ、遷移金属でもある。常温で安定な結晶構造は、六方最密充填構造 (HCP) のα型。862 ℃以上で体心立方構造 (BCC) のβ型へ転移する。比重は6.5、融点は1852 ℃。銀白色の金属で、常温で酸、アルカリに対して安定。耐食性があり、空気中では酸化被膜ができ内部が侵されにくくなる。高温では、酸素、窒素、水素、ハロゲンなどと反応して、多様な化合物を形成する。.

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スパッタリング

パッタリング(Sputter deposition)は、.

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冶金

冶金(やきん)とは、鉱石その他の原料から有用な金属を採取・精製・加工して、種々の目的に応じた実用可能な金属材料・合金を製造すること。そのために必要となる技術(冶金術)・学術(冶金学)を含める場合もある。 鉱石などから金属を抽出する技術は採鉱冶金と呼ばれ、狭義の冶金(術・学)はこれのみを指す場合もある。その技術には乾式冶金・湿式冶金・電解冶金に大別することが出来る。一方、それ以外の合金の製造や物理的加工を行うことで金属の性質を変えて実用に用いやすくすることを製造冶金と称する。粉末金属を塊状にすることを粉末冶金、物理的圧力や他の成分との混合による加工を物理冶金と呼ぶ。製造冶金に関する工学を金属工学と呼ぶ。 Category:金属工学.

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CL

CL, Cl, cl.

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真空

真空(しんくう、英語:vacuum)は、物理学の概念で、圧力が大気圧より低い空間状態のこと。意味的には、古典論と量子論で大きく異なる。.

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真空乾燥

真空乾燥(英語:vacuum drying)とは、真空(または減圧)下で乾燥する方法である。気圧が下がると空気中の水蒸気分圧が下がり、水分の沸点が低下し蒸発速度が加速され、対象物の乾燥を速めることができる。 真空乾燥時の圧力は、一般に0.0296-0.059気圧であり、その時の水の沸点は25~30℃となる。真空乾燥はバッチ操作であり、減圧下では相対湿度も低くなり、乾燥がより速く起こる。 フリーズドライの様に熱に弱い食品や薬品などを予め凍結させてから乾燥や、真空時に加熱する真空加熱乾燥などの応用もある。.

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真空チャンバー

真空チャンバー(しんくうチャンバー)は、内部を真空にするための容器である。真空チャンバーは真空装置の中心部品であり、真空装置の仕様によりその形状や材質が決められる。 使用される材質は主に真空用材料から選定される。.

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真空バルブ

真空バルブ(しんくうバルブ)は、真空チャンバーに取り付けられる真空部品でバルブの一種である。真空バルブは通常のバルブに比べ気体成分をほぼ完全に遮断したり、厳密にコントロールしなければならない。また、その構成材料は殆どの場合真空用材料によって構成されている。.

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真空ポンプ

真空ポンプでエアコンの真空引きを行っているところ 真空ポンプ(しんくうポンプ、バキュームポンプ、vacuum pump )とは、容器内から気体を排出し、真空を得るためのポンプである。1650年にドイツのオットー・フォン・ゲーリケにより発明された。1台で超高真空から大気圧までをカバーするのは非常に困難な為、多くは粗引きポンプやメインポンプなどと組み合わせで使うが、用途によって1台で済む場合は粗引きポンプ、メインポンプなどの呼び分けはしない。.

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真空フランジ

真空フランジ(しんくうフランジ)は、真空装置で真空チャンバーと真空ポンプや真空部品を接続するためのシール機能を持った接合するための真空部品である。材質は主に真空用材料から選定される。.

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真空フィードスルー

真空フィードスルー(しんくうフィードスルー、英語:Vacuum feedthrough)は、真空状態を保っている機器の内部へ、電気信号や物理的な運動、流体などを輸送、コントロールするために、真空状態と大気を遮る真空壁に取り付けられる真空部品である。.

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真空凍結乾燥装置

真空凍結乾燥装置(しんくうとうけつかんそうそうち、英語:vacuum freeze drying equipment)は、乾燥させたいものを凍結させてから真空中で水分を蒸発させる真空装置である。.

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真空用材料

真空用材料(しんくうようざいりょう)は、真空装置の真空チャンバーや真空部品などを構成する材料である。通常の機械用材料と違う点は、真空中での放出ガスが少なく、放出ガスの成分がある程度判別されていることである。 また、真空装置でもCVD装置など半導体プロセスに使用される場合には、プロセスに使用されるガスに対する耐性なども検討し採用する必要がある。.

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真空計

真空計(しんくうけい、vacuum gauge)は、真空のゲージ圧、つまり大気圧以下の圧力(負圧)を測るための圧力計の一種である。 測定方式によって測定できる圧力の範囲がある。使用できる範囲も決められている場合があり、それらを把握して使用する必要がある。1台で大気圧から高真空(0.1Pa未満)を測定できる真空計は存在しない。そのため最近では1個の端子に2種類の真空計を入れて、大気圧から高真空を測定できるようにした複合真空計が市販されている。多くは大気圧から中真空(100 - 0.1Pa)程度まで測定できる真空計とB-Aゲージとの組み合わせとなっている。.

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真空部品

真空部品(しんくうぶひん)は、真空装置等を構成するために真空中、もしくは一部が真空に面して機能する部品の総称である。真空部品は大半が他の分野にも同様の機能の機器が存在するが、特性上真空向け専門に作られる部品である。但し、真空ポンプ、真空計はそれぞれ独立して分類されるため真空部品には含まれない。.

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走査型トンネル顕微鏡

走査型トンネル顕微鏡 模式図 Co原子(STMにより観察) 走査型トンネル顕微鏡(そうさがたトンネルけんびきょう、Scanning Tunneling Microscope)は1982年、ゲルト・ビーニッヒ(G. Binnig)とハインリッヒ・ローラー(H. Rohrer)によって作り出された実験装置。STM、走査トンネル顕微鏡とも言う。非常に鋭く尖った探針を導電性の物質の表面または表面上の吸着分子に近づけ、流れるトンネル電流から表面の原子レベルの電子状態、構造など観測するもの。トンネル電流を使うことからこの名がある。走査型プローブ顕微鏡の一形式。.

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走査型電子顕微鏡

走査型電子顕微鏡(そうさがたでんしけんびきょう、Scanning Electron Microscope、SEM)は電子顕微鏡の一種である。電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察する。通常は二次電子像が利用される。透過電子を利用したものはSTEM(走査型透過電子顕微鏡)と呼ばれる。 TEMでは主にサンプルの内部、SEMでは主にサンプル表面の構造を微細に観察する。.

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蒸着

蒸着(じょうちゃく、英語:vapor deposition)とは、金属や酸化物などを蒸発させて、素材の表面に付着させる表面処理あるいは薄膜を形成する方法の一種。蒸着は、物理蒸着(PVD)と化学蒸着(CVD)に大別される。ここでは主にPVDの一種である真空蒸着を解説する。.

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蛍光X線

蛍光X線(けいこうXせん、X-ray Fluorescence、XRF)とは、元素に特有の一定以上のエネルギーをもつX線を照射することによって、その物質を構成する原子の内殻の電子が励起されて生じた空孔に、外殻の電子が遷移する際に放出される特性X線のこと。その波長は内殻と外殻のエネルギー差に対応する。.

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電子エネルギー損失分光

電子エネルギー損失分光(Electron energy-loss spectroscopy、EELS)とは、物質に電子線を照射し、非弾性散乱によるエネルギー損失を測定することで元素分析や状態分析をする手法。 照射する電子線を絞ることで局所分析ができる。高空間分解能のEELSではnmオーダーの電子線を用いている。高感度のEELSを用いれば1原子を分析することもできる。.

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電子線マイクロアナライザ

電子線マイクロアナライザ(でんしせんマイクロアナライザ Electron Probe Micro Analyzer)または電子プローブ微小分析器、略称 EPMAとは電子線を対象物に照射する事により発生する特性X線の波長と強度から構成元素を分析する電子マイクロプローブ(EMP)装置の一つである。二次電子像や反射電子像による観察が主体の電子顕微鏡に特性X線検出器としてエネルギー分散型X線分析(EDS)を付加したもの(分析用のSEMやTEM、XMAなど)と比較して、EPMAは元素分析を主体としたものであり、特性X線検出器に波長分散型X線分析(WDS)を用いるために定量精度は良いが検出効率が悪く、より高い照射電流を必要とする。 10~30立方マイクロメータの試料があればWittry, David B. (1958).

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透過型電子顕微鏡

透過型電子顕微鏡(とうかがたでんしけんびきょう、Transmission Electron Microscope; TEM)とは、電子顕微鏡の一種である。観察対象に電子線をあて、透過してきた電子線の強弱から観察対象内の電子透過率の空間分布を観察するタイプの電子顕微鏡のこと。また、電子の波動性を利用し、試料内での電子の回折の結果生じる干渉像から観察対象物の構造を観察する場合もある。物理学、化学、工学、生物学、医学などで幅広く用いられている。.

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FPD

* FPD(flat panel display, フラットパネルディスプレイ)とは、以下の表示装置の総称。CRTディスプレイの対語である。.

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PL

PL, Pl, pl.

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RBS

RBS.

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X線光電子分光

X線光電子分光(エックスせんこうでんしぶんこう)は、光電子分光の1種である。略称はXPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) または ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis, エスカ)。サンプル表面にX線を照射し、生じる光電子のエネルギーを測定することで、サンプルの構成元素とその電子状態を分析することができる。他にもPES、PS等とも呼ばれる。.

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X線回折

X線回折(エックスせんかいせつ、、XRD)は、X線が結晶格子で回折を示す現象である。 1912年にドイツのマックス・フォン・ラウエがこの現象を発見し、X線の正体が波長の短い電磁波であることを明らかにした。 逆にこの現象を利用して物質の結晶構造を調べることが可能である。このようにX線の回折の結果を解析して結晶内部で原子がどのように配列しているかを決定する手法をX線結晶構造解析あるいはX線回折法という。しばしばこれをX線回折と略して呼ぶ。他に同じように回折現象を利用する結晶構造解析の手法として、電子回折法や中性子回折法がある。.

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減圧蒸留装置

製油所内の'''減圧蒸留装置'''http://resources.schoolscience.co.uk/SPE/knowl/4/2index.htm?vacuum.html Energy Institute website page 減圧蒸留装置(げんあつじょうりゅうそうち)は石油精製装置の一種で、常圧蒸留装置から得られた常圧残油を大気圧より低い圧力で蒸留分離するものである。「真空蒸留装置」、「バキューム」などとも呼ばれる。.

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放出ガス

放出ガス(ほうしゅつガス)は、真空チャンバー内部を真空ポンプで排気された真空状態で、真空チャンバーや真空部品などから放出される気体成分のこと。真空チャンバー内部の到達圧力は真空ポンプの排気量と真空チャンバーの内部容積および放出ガスとの関係で決まるため、真空装置を設計する上で非常に重要な要素となる。真空用材料は放出ガスが通常の材料より少なく真空チャンバーや真空部品に使用される材料をいう。.

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真空薄膜形成装置

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