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15 関係: 原子層堆積、半導体素子、プラズマCVD、分子線エピタキシー法、切削工具、真空、真空装置、熱CVD、物理気相成長、表面処理、触媒化学気相成長法、蒸着、PVD、有機金属化学、有機金属気相成長法。
原子層堆積
原子層堆積、または原子層堆積法（ALD：Atomic layer deposition)は気相の連続的な化学反応を利用した薄膜形成技術である。化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition）の1分類とされる。多くの場合、ALDは2種類のプリカーサ（前駆体）と呼ばれる化学物質を用いて行われる。プリカーサは1種ずつ、連続的かつ自己制御的に対象物表面に反応する。それぞれのプリカーサへの暴露を順番に繰り返し行うことで、薄膜は徐々に形成される。ALDは半導体デバイス製造において重要なプロセスであり、装置の一部はナノマテリアル合成にも利用可能である。1974年にフィンランドのトゥオモ・スントラ博士によって実用化された。.
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半導体素子
ここでは半導体素子（はんどうたいそし）や半導体部品（-ぶひん）（英:semiconductor device） セミコンダクター・デバイスについて解説する。.
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プラズマCVD
プラズマCVD（plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。.
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分子線エピタキシー法
分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。.
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切削工具
切削工具（せっさくこうぐ、）は、工作機械とともに切削加工に用いられる工具。 金属などの加工法のうち、その一部を取り去ることを手段とするものに、切削と研削がある。前者は工具を押し付け表面を剥ぎ取るようにして削る方法であり、後者は砥石を使って表面を削る方法である。この切削加工に用いる工具を切削工具と言う。.
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真空
真空（しんくう、英語：vacuum）は、物理学の概念で、圧力が大気圧より低い空間状態のこと。意味的には、古典論と量子論で大きく異なる。.
真空装置
真空装置（しんくうそうち）は、真空状態の持つ特性を利用した装置、機器である。 真空装置 真空装置はその目的を踏まえて基本仕様である真空システムを設計しなければならない。真空システムとは以下の構成要素に成り立っている。.
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熱CVD
熱CVD（ねつシーブイディー、）は、熱分解による生成物や化学反応によって、薄膜を形成する手法である図解・薄膜技術、真下正夫、畑朋延、小島勇夫、培風館、1999年、ISBN 4-563-03541-6。化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition、化学蒸着）の一種であり、熱エネルギーによる原料ガスの分解生成物や化学反応を利用することが特徴である。.
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物理気相成長
物理気相成長（ぶつりきそうせいちょう）または物理蒸着（英語：physical vapor deposition、略称：PVD）は、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法のひとつで、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積する方法である。切削工具や各種金型への表面処理や、半導体素子の製造工程に於て一般的に使用される。.
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表面処理
表面処理（ひょうめんしょり、surface treatment、surface finishing）は、機械工学等の分野においては、めっきや塗装など、素材表面の性質を高めるために行われる機械工作法の一種である。硬さや耐摩耗性、潤滑性、耐食性、耐酸化性、耐熱性、断熱性、絶縁性、密着性、および、装飾性や美観など、これらの性質のいくつかを向上させることを主要な目的として施される。 材料技術 (''cf.'') の一分野であり、合金設計を頂点としその傘下の加工、熱処理、溶接、鋳造などの材料プロセス技術群に属するが、補助的技術群のひとつである。しかし熱処理や研磨技術と同様に、金属母材の性能を極限までに高める重要な技術であるにもかかわらず、性能理論が確定しておらず、その存在が極端な過小評価に陥る場合がある。.
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触媒化学気相成長法
触媒化学気相成長法（しょくばいかがくきそうせいちょうほう、略称：Cat-CVD、別称：ホットワイヤCVD）は、真空槽内で通電加熱した触媒体（主にタングステンなどの高融点金属）表面において原料ガスを分解し、生成する未結合手をもった分解種（遊離基）を直接もしくは気相中での反応過程を経た後に基板上に薄膜として堆積させる手法。 触媒体は数百から2,000℃程度まで加熱するが、基板を触媒体から離すことで、基板温度を常温から200℃程度の低温に保つことも可能で、プラスチックなどの熱に弱い素材の上に堆積を行うこともできる。原料ガスの利用効率は高く、場合によっては90%を超える。装置が単純でメートルサイズの大面積基板への堆積が容易であることも特徴の一つである。プラズマCVDと異なり、高エネルギー電子やイオンなどの荷電粒子の発生を抑えることができ、選択的な分解種（堆積前駆種）の生成が可能である反面、分解できる原料ガスには制約がある。本手法はもともと、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、窒化シリコンなどの半導体関連薄膜の作製を念頭に開発されたものであるが、最近は高分子薄膜の作製や、大量に発生させることができる水素原子などを利用した表面改質、フォトレジストの除去などへの応用が広まりつつある。 このCat-CVD法は、北陸先端科学技術大学院大学の松村英樹教授が中心となって開発が進められてきた。現在では日本をはじめ、世界の研究機関で研究開発が進められている。また、発展形として、有機金属化合物原料を用いるMO-Cat-CVD(metalorganic catalytic CVD)が提案され、各種有機・無機ハイブリッド薄膜材料の作製に用いられている。 category:固体物理学.
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蒸着
蒸着（じょうちゃく、英語：vapor deposition）とは、金属や酸化物などを蒸発させて、素材の表面に付着させる表面処理あるいは薄膜を形成する方法の一種。蒸着は、物理蒸着（PVD）と化学蒸着（CVD）に大別される。ここでは主にPVDの一種である真空蒸着を解説する。.
PVD
PVD.
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有機金属化学
有機金属化学（ゆうききんぞくかがく、英語：organometallic chemistry）とは金属と炭素との化学結合を含む化合物である有機金属化合物を研究する学問であり、有機金属化学は無機化学と有機化学とが融合した領域である。なお、類似の語である合成有機金属 (organic metal) の場合は、ポリアセチレンなど金属を含まないが電荷移動錯体を形成することで導電性を示す純粋な有機化合物を示し、有機金属化学の範疇外である。 有機金属化合物は「有機パラジウム化合物」のように頭に「有機－」を付けた形で呼ばれる。典型的な有機金属化合物にはクロロ（エトキシカルボニルメチル）亜鉛 (ClZnCH2C(.
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有機金属気相成長法
有機金属気相成長法（ゆうききんぞくきそうせいちょうほう、英語：metal organic chemical vapor deposition、略称：MOCVD）は、原料として有機金属やガスを用いた結晶成長方法、及びその装置である。結晶成長という観点を重視してMOVPE (metal-organic vapor phase epitaxy) とも言う。 化合物半導体結晶を作製するのに用いられ、MOCVDでは原子層オーダで膜厚を制御することができるため、半導体レーザを初めとするナノテクノロジーといった数nmの設計が必要な分野で用いられる。代表的な半導体結晶成長装置である分子線エピタキシー法 (MBE) と比較し、面内での膜厚の偏差が少なく、高速成長が可能であるほか、超高真空を必要としないために装置の大型化が容易である為、大量生産用の結晶成長装置としてLEDや半導体レーザを初めとした光デバイスの商用製品の作製に多く用いられている。.
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