Dynamic Random Access MemoryとFPGA

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Dynamic Random Access MemoryとFPGAの違い

Dynamic Random Access Memory vs. FPGA

archivedate。 Altera Stratix IV GX FPGA FPGA（field-programmable gate array）は、製造後に購入者や設計者が構成を設定できる集積回路であり、広義にはPLD（プログラマブルロジックデバイス）の一種である。現場でプログラム可能なゲートアレイであることから、このように呼ばれている。

マルチプレクサ

マルチプレクサ、多重器、多重装置、多重化装置、合波器(multiplexer)は、ふたつ以上の入力をひとつの信号として出力する機構である。通信分野では多重通信の入口の装置、電気・電子回路では複数の電気信号をひとつの信号にする回路である。しばしばMUX等と略される。

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フラッシュメモリ

チップ（黒い大きな四角形の部品）がフラッシュメモリである。その隣の2番目に大きなチップはマイクロコントローラーである。 フラッシュメモリ（Flash Memory）は、浮遊ゲートMOSFETと呼ばれる半導体素子を利用し、浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータ記録を行う不揮発性メモリである。東芝の舛岡富士雄が発明した。データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、写真のフラッシュをイメージしてフラッシュメモリと命名された。

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アドバンスト・マイクロ・デバイセズ

アドバンスト・マイクロ・デバイセズ (Advanced Micro Devices, Inc. / AMD) は、アメリカの半導体企業である。

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インテル

インテル（Intel CorporationBritannica, Intel）は、世界最大手の中央処理装置（CPU、MPU）および半導体素子のメーカー。 本社をカリフォルニア州サンタ・クララに置いている。社名の由来は（集積されたエレクトロニクス）。

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集積回路

集積回路の例（写真中央の黒色の正方形が集積回路のパッケージの外観） 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、半導体の表面に、微細かつ複雑な電子回路を形成した上でパッケージに封入した電子部品である。 集積回路は、シリコン単結晶などに代表される「半導体チップ」の表面に、不純物を拡散させることによって、トランジスタ・コンデンサ・抵抗器として動作する構造を形成したり、アルミ蒸着とエッチングによって配線を形成したりすることにより電子回路が作り込まれている電子部品である。 多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入されており、パッケージ内部で端子からチップに配線され、モールドされた状態で出荷され、半導体部品（電子部品）として流通している。

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Static Random Access Memory

NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。 読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。

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