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Dynamic Random Access Memoryと集積回路

ショートカット: 違い類似点ジャカード類似性係数参考文献

Dynamic Random Access Memoryと集積回路の違い

Dynamic Random Access Memory vs. 集積回路

Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。(通常のSRAMと同様に)揮発性(電源供給がなくなると記憶情報も失われる)であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること(寄生容量)を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。. SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路(しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC)は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.

Dynamic Random Access Memoryと集積回路間の類似点

Dynamic Random Access Memoryと集積回路は(ユニオンペディアに)共通で17ものを持っています: 半導体メモリマイクロコントローラリーク電流トランジスタフラッシュメモリインテルコンピュータコンデンサ固体撮像素子CCDイメージセンサ電子立国日本の自叙伝Microsoft Windows VistaStatic Random Access MemoryVRAM抵抗器液晶ディスプレイ擬似SRAM

半導体メモリ

揮発性メモリの一種、DDR2 SDRAMを搭載したノートPC用のメモリ、SO-DIMM 半導体メモリ(はんどうたいメモリ)は、半導体素子(特に、もっぱら集積回路)によって構成された記憶装置(メモリ)である。.

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マイクロコントローラ

マイクロコントローラ(microcontroller)は、コンピュータシステムをひとつの集積回路に組み込んだものである。.

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リーク電流

リーク電流(リークでんりゅう、leakage current)とは、電子回路上で、絶縁されていて本来流れないはずの場所・経路で漏れ出す電流のことである。 当該電気回路内に限る意図しない電流の漏れ出しがリーク電流であり、当該電気回路外へ漏れ出す漏電とは区別される。集積回路などの微細化された半導体の回路内での漏れ出しを指すことが多い。.

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トランジスタ

1947年12月23日に発明された最初のトランジスタ(複製品) パッケージのトランジスタ トランジスタ(transistor)は、増幅、またはスイッチ動作をさせる半導体素子で、近代の電子工学における主力素子である。transfer(伝達)とresistor(抵抗)を組み合わせたかばん語である。によって1948年に名づけられた。「変化する抵抗を通じての信号変換器transfer of a signal through a varister または transit resistor」からの造語との説もある。 通称として「石」がある(真空管を「球」と通称したことに呼応する)。たとえばトランジスタラジオなどでは、使用しているトランジスタの数を数えて、6石ラジオ(6つのトランジスタを使ったラジオ)のように言う場合がある。 デジタル回路ではトランジスタが電子的なスイッチとして使われ、半導体メモリ・マイクロプロセッサ・その他の論理回路で利用されている。ただ、集積回路の普及に伴い、単体のトランジスタがデジタル回路における論理素子として利用されることはほとんどなくなった。一方、アナログ回路中では、トランジスタは基本的に増幅器として使われている。 トランジスタは、ゲルマニウムまたはシリコンの結晶を利用して作られることが一般的である。そのほか、ヒ化ガリウム (GaAs) などの化合物を材料としたものは化合物半導体トランジスタと呼ばれ、特に超高周波用デバイスとして広く利用されている(衛星放送チューナーなど)。.

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フラッシュメモリ

フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.

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インテル

インテル(英:Intel Corporation)は、アメリカ合衆国カリフォルニア州に本社を置く半導体素子メーカーである。 社名の由来はIntegrated Electronics(集積されたエレクトロニクス)の意味である。.

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コンピュータ

ンピュータ(Computer)とは、自動計算機、とくに計算開始後は人手を介さずに計算終了まで動作する電子式汎用計算機。実際の対象は文字の置き換えなど数値計算に限らず、情報処理やコンピューティングと呼ばれる幅広い分野で応用される。現代ではプログラム内蔵方式のディジタルコンピュータを指す場合が多く、特にパーソナルコンピュータやメインフレーム、スーパーコンピュータなどを含めた汎用的なシステムを指すことが多いが、ディジタルコンピュータは特定の機能を実現するために機械や装置等に組み込まれる組み込みシステムとしても広く用いられる。電卓・機械式計算機・アナログ計算機については各項を参照。.

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コンデンサ

ンデンサの形状例。この写真の中での分類としては、足のあるものが「リード形」、長方体のものが「チップ形」である 典型的なリード形電解コンデンサ コンデンサ(Kondensator、capacitor)とは、電荷(静電エネルギー)を蓄えたり、放出したりする受動素子である。キャパシタとも呼ばれる。(日本の)漢語では蓄電器(ちくでんき)などとも。 この素子のスペックの値としては、基本的な値は静電容量である。その他の特性としては印加できる電圧(耐圧)、理想的な特性からどの程度外れているかを示す、等価回路における、直列の誘導性を示す値と直列並列それぞれの抵抗値などがある。一般に国際単位系(SI)における静電容量の単位であるファラド(記号: F)で表すが、一般的な程度の容量としてはそのままのファラドは過大であり、マイクロファラド(μF.

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固体撮像素子

CCDイメージセンサの例 固体撮像素子(こたいさつぞうそし、英語: solid state image sensor)は、半導体チップの集積回路による、撮像素子(イメージセンサ)である。従来の撮像管に代表される、真空管のような機械的な構造を持つ撮像素子(イメージセンサ)に代わり、半導体の単結晶という「固体」の内部で起きる現象を利用したものであることからその名がある。様々な分類法があるが、一例を上げれば、材料・素子・電荷の転送方式など半導体技術や電子工学の観点からの分類、走査方式や用途からの分類、などといった分類がある。.

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CCDイメージセンサ

CCDイメージセンサ (シーシーディーイメージセンサ、CCD image sensor)は固体撮像素子のひとつで、ビデオカメラ、デジタルカメラ、光検出器などに広く使用されている半導体素子である。単にCCDと呼ばれることも多い神崎 洋治 (著), 西井 美鷹 (著) 「体系的に学ぶデジタルカメラのしくみ 第2版」日経BPソフトプレス; 第2版 (2009/1/29) 安藤 幸司 (著)「らくらく図解 CCD/CMOSカメラの原理と実践 」加藤俊夫 半導体入門講座(Semiconductor JapanのWeb上講義)第16回 イメージセンサ http://www.roper.co.jp/Html/roper/tech_note/html/rp00.htmhttp://www7.ocn.ne.jp/~terl/JTTAS/JTTAS-CMOS.htm。.

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電子立国日本の自叙伝

電子立国日本の自叙伝(でんしりっこくにっぽんのじじょでん)は、1991年にNHKスペシャル枠で放送されたドキュメンタリー番組である。.

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Microsoft Windows Vista

Windows Vista (ウィンドウズ ビスタ)は、マイクロソフトが2006年にリリースした、Windowsシリーズに属するパーソナルコンピュータ用のオペレーティングシステム(OS)である。.

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Static Random Access Memory

NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM(スタティックラム・エスラム)は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ(回復動作)が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ(volatile memory)である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある(特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された)。 ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory)ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.

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VRAM

VRAM (ブイラム, Video RAM)は、コンピュータなどにおける、ディスプレイに対するビデオ表示部分のメモリ(記憶装置)として使われるRAM。グラフィックスメモリまたはビデオメモリとも呼ばれる。専用のデュアルポートのものもあれば、メインメモリと同じDRAMやSRAMを利用したものもある。かつて、グラフィックス用フレームバッファの為に用意したメモリをG-RAMと表記していた時期もあるが、意味としては等価である。.

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抵抗器

抵抗器(ていこうき、resistor)とは、一定の電気抵抗値を得る目的で使用される電子部品であり受動素子である。通常は「抵抗」と呼ばれることが多い。 電気回路用部品として、電流の制限や、電圧の分圧、時定数回路などの用途に用いられる。集積回路など半導体素子の内部にも抵抗素子が形成されているが、この項では独立した回路部品としての抵抗器について述べる。.

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液晶ディスプレイ

液晶ディスプレイ(えきしょうディスプレイ、liquid crystal display、LCD)は、液晶組成物を利用する平面状で薄型の視覚表示装置をいう。それ自体発光しない液晶組成物を利用して光を変調することにより表示が行われている。.

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擬似SRAM

擬似SRAM(ぎじエスラム、Pseudo Static Randome Access Memory)とは、SRAMインターフェースを備えたDRAMである。.

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上記のリストは以下の質問に答えます

Dynamic Random Access Memoryと集積回路の間の比較

集積回路が179を有しているDynamic Random Access Memoryは、63の関係を有しています。 彼らは一般的な17で持っているように、ジャカード指数は7.02%です = 17 / (63 + 179)。

参考文献

この記事では、Dynamic Random Access Memoryと集積回路との関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:

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