巨大磁気抵抗効果と恩賜発明賞
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巨大磁気抵抗効果と恩賜発明賞の違い
巨大磁気抵抗効果 vs. 恩賜発明賞
巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto Resistive effect)とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果(物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象)は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜(F層)と非強磁性薄膜(NF層)を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある。このような現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。 1987年にドイツのペーター・グリューンベルク、フランスのアルベール・フェールらによって発見された。 巨大磁気抵抗効果は、多層膜の磁気構造が外部磁場によって変化するために生じる。 磁気多層膜以外においても、ペロブスカイト型マンガン酸化物においても見られる。 巨大磁気抵抗効果を応用した磁気ヘッドの登場によって、HDDの容量が飛躍的に増大した。 グリューンベルクとフェールはこの発見によって、2007年のノーベル物理学賞を受賞している。. 恩賜発明賞(おんしはつめいしょう)は社団法人発明協会が主催する全国発明表彰の賞。別称「畠山一清賞」。皇室の下賜金を拝受する、同表彰の最高賞である。学術の分野における日本学士院恩賜賞、芸術の分野における日本芸術院恩賜賞に対し、技術(発明)の分野における恩賜賞。.
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参考文献
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