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エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光

ショートカット: 違い類似点ジャカード類似性係数参考文献

エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光の違い

エックス線吸収微細構造 vs. 電子エネルギー損失分光

X線吸収微細構造(エックスせんきゅうしゅうびさいこうぞう、X-ray absorption fine structure)は、X線吸収スペクトル上でX線の吸収端付近に見られる固有の構造である。英語の頭文字から XAFS(ザフス,エクザフスと呼ぶ人もいる)と略される。XAFS の解析によってX線吸収原子の電子状態やその周辺構造(隣接原子までの距離やその個数)などの情報を得ることができる。X線結晶構造解析とは異なり、試料が長距離秩序を必要とせず、結晶物質に限られない。 XAFS はそのエネルギー領域によってXANES(ゼインズ、ザーネス)、EXAFS(エクサフスあるいはエクザフス) に分けられる(XANES の一部分を吸収端領域と呼ぶ場合もある)。XAFS という頭字語は XANES と EXAFS を合わせた領域を指す言葉として後から考案された。. 電子エネルギー損失分光(Electron energy-loss spectroscopy、EELS)とは、物質に電子線を照射し、非弾性散乱によるエネルギー損失を測定することで元素分析や状態分析をする手法。 照射する電子線を絞ることで局所分析ができる。高空間分解能のEELSではnmオーダーの電子線を用いている。高感度のEELSを用いれば1原子を分析することもできる。.

エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光間の類似点

エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光は(ユニオンペディアに)共通の1のものを持っています: 広域X線吸収微細構造

広域X線吸収微細構造

広域X線吸収微細構造 (Extended X-ray Absorption Fine Structure) とはX線吸収スペクトルにおいて、吸収端から高エネルギー側に 1000eV 程度までの領域に見られる構造を呼ぶ。通常、EXAFS(イグザフス)と略される。 XANESよりも高いエネルギー領域では、励起された内殻電子がX線吸収原子から放出される(光電子)。放出された光電子は隣接する原子により散乱され(→散乱理論)、光電子とその散乱波との干渉により、内殻電子の励起確率、すなわちX線吸収係数が変化する。EXAFS領域における振動構造はこの効果による。.

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上記のリストは以下の質問に答えます

エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光の間の比較

電子エネルギー損失分光が10を有しているエックス線吸収微細構造は、25の関係を有しています。 彼らは一般的な1で持っているように、ジャカード指数は2.86%です = 1 / (25 + 10)。

参考文献

この記事では、エックス線吸収微細構造と電子エネルギー損失分光との関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:

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