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インテルとフラッシュメモリ

ショートカット: 違い類似点ジャカード類似性係数参考文献

インテルとフラッシュメモリの違い

インテル vs. フラッシュメモリ

インテル(英:Intel Corporation)は、アメリカ合衆国カリフォルニア州に本社を置く半導体素子メーカーである。 社名の由来はIntegrated Electronics(集積されたエレクトロニクス)の意味である。. フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.

インテルとフラッシュメモリ間の類似点

インテルとフラッシュメモリは(ユニオンペディアに)共通で9ものを持っています: ノートパソコンデジタルカメラDynamic Random Access MemoryNAND型フラッシュメモリNOR型フラッシュメモリStatic Random Access Memory2006年2007年2009年

ノートパソコン

ノートパソコン(ノート型パーソナルコンピュータ、ノートPC、Laptop, laptop computer, notebook computer, notepad computer, etc)は、モニタなどの表示画面、キーボードやポインティングデバイスなどの入力機器、バッテリー(電池)などがコンピュータ本体と一体化された、ユーザーが任意の場所へ移動させて利用する(持ち運ぶ)ことを前提として設計された、二つ折りで軽量のパーソナルコンピュータの総称である。 ノートパソコンの一例ThinkPad R51(2004年・15型・B4サイズ).

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デジタルカメラ

デジタルカメラ (digital still camera、DSC) とは、撮像素子で撮影した画像をデジタルデータとして記録するカメラである。世界で初めてコダックが開発した。 一般に「デジタルカメラ」といえば静止画を撮影する「デジタルスチルカメラ」を指し、動画を撮影録画する「デジタルカムコーダ」ビデオカメラは、本来は撮影するのみの撮像機を指し、撮影と録画が同時にできるものはカムコーダという。だが一般家庭向けにも広く普及したVTRを“ビデオデッキ”、または単に“ビデオ”とも呼称することも多く、また一般向け製品の大半は撮像と録画の両方の機能をもつため、特許など厳密な製品機能を区別を必要する以外は、カムコーダも“ビデオカメラ”の呼称が一般的になってきている。は含めない。現在では静止画撮影が可能なデジタルカムコーダや、動画撮影が可能なデジタルスチルカメラが一般的になっており、双方の性能の向上もあってその境界線が徐々になくなりつつあるが、デジタルカメラはその中でも静止画の撮影に重点を置いたモデルを指す。 「デジカメ」と省略されることも多いが、当該用語は日本国内では三洋電機および他業種各社の登録商標である(2017年4月現在)。 本項で特に断りがない限り、一眼レフカメラはデジタル一眼レフカメラを、コンパクトカメラはデジタルコンパクトカメラを指す。.

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Dynamic Random Access Memory

Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。(通常のSRAMと同様に)揮発性(電源供給がなくなると記憶情報も失われる)であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること(寄生容量)を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.

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NAND型フラッシュメモリ

ムネイル NAND型フラッシュメモリ(ナンドがたフラッシュメモリ、NANDフラッシュメモリ)は、不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種である。 NOR型フラッシュメモリと比べて回路規模が小さく、安価に大容量化できる。また書き込みや消去も高速であるが、バイト単位の書き替え動作は不得手である。従来のフロッピーディスクに代わるPC用のUSBメモリやFlash SSD(SSD)、デジタルカメラ用のメモリーカード、携帯音楽プレーヤー、携帯電話などの記憶装置として使用される。.

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NOR型フラッシュメモリ

NOR型フラッシュメモリ '''NOR型フラッシュメモリの等価回路と構造'''すべての記憶セルがビット線とGNDに接続されている NOR型フラッシュメモリ(ノアがたフラッシュメモリ)は、フラッシュメモリの一種である。 NAND型フラッシュメモリとは異なり、データの読み出しにおいて、RAMと同様にアドレス指定によるアクセスができ、コードをRAMにコピーすることなく直接実行すること(execute in place)が可能。 データの書き込みについては、一度ブロック単位で消去した後、書き込むという手順を踏む。この手順についてはIntel系コマンドやAMD系コマンドなどがあるが、チップの特性情報を読み出すコマンドは共通フラッシュメモリインターフェース(Common Flash memory Interface) として標準化されている。用途として、マイコンをはじめ、高い信頼性が求められるルーター、プリンター、デジタルカメラ、GPS、車載機器、携帯電話やPDAなど、どれもハードディスクが使用できない環境でファームウェアの格納等に使われる。 従来はデータの信頼性にも優れ、NAND型フラッシュメモリで必要なエラー訂正(ECC)が不要であるとされていたが、半導体プロセスの微細化によってソフトエラー等が無視できないレベルに達したため、現在ではNORフラッシュでもECCの利用が必要である。 読み出し速度、ランダムアクセスが高速な一方、NAND型に比べ、集積度が劣る、書き込みが遅いなどの欠点が挙げられる。 NAND型に比べ、高い信頼性を特長とするNOR型は、従来のROMの代わりにファームウェアを格納するメモリとして基板に直接実装される形で利用されていることが多い。また、近年マルチビット化により大容量化が進み、1チップで1Gビットの製品も発表され、NAND型に対抗できる製品も出てくるようになった。これらの製品では、書き込み時の高速化および消費電力が改善、集積度の向上などが図られている。.

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Static Random Access Memory

NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM(スタティックラム・エスラム)は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ(回復動作)が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ(volatile memory)である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある(特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された)。 ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory)ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.

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2006年

この項目では、国際的な視点に基づいた2006年について記載する。.

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2007年

この項目では、国際的な視点に基づいた2007年について記載する。.

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2009年

この項目では、国際的な視点に基づいた2009年について記載する。.

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インテルとフラッシュメモリの間の比較

フラッシュメモリが62を有しているインテルは、249の関係を有しています。 彼らは一般的な9で持っているように、ジャカード指数は2.89%です = 9 / (249 + 62)。

参考文献

この記事では、インテルとフラッシュメモリとの関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:

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