EPROMと磁気バブル

ショートカット: 違い、類似点、ジャカード類似性係数、参考文献。

EPROMと磁気バブルの違い

EPROM vs. 磁気バブル

UV-EPROM。消去のために紫外線を通す石英ガラスの窓がある。 EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)は、半導体メモリの一種で、デバイスの利用者が書き込み・消去可能なROMである。電源を切っても記憶内容が保持される不揮発性メモリの一種でもある。フローティングゲートMOSFETのアレイで構成されており、通常のデジタル回路よりも印加する電圧が高い専用機器を使って個々のMOSFETに書き込むことができる。データやプログラムの書き込みを行ったEPROMは、強い紫外線光を照射することでその記憶内容を消去できる。そのため、パッケージ中央上部に石英ガラスの窓があってシリコンチップが見えているので、容易にEPROMだとわかる。このようなEPROMを特にUV-EPROMと呼ぶこともある。 消去方式の異なるEEPROM（電気的に消去可能なPROM, Electrically Erasable PROM）などもある。コンピュータ制御機器の試作品や製品をはじめ、パソコンのBIOS ROMなど、多くの機器に搭載されている。近年は、フラッシュメモリに置き換わりつつある。. 磁気バブル（じきバブル、Magnetic bubble）とは、磁性体単結晶を特定の結晶方位で切り出した薄膜に存在する、膜面に対し垂直な円柱状磁区 (magnetic domain) のことをいう。1960年代にベル研究所のボーベック (Andrew Bobeck) 等が研究・開発を推進した。 この薄膜の磁化は外部磁界をかけていないとき、上向き磁区と下向き磁区が迷路状に入り乱れたストリップ（ストライプ）磁区を構成している。このストリップ磁区構造に対し垂直上向きの外部磁界を印加すると、上向き磁区の成長が促され帯の幅が広がり、逆に下向き磁区の帯の幅は狭くなっていく。さらに、外部磁界を強めると下向きの帯は連続が断たれ、その長さもそれぞれ短くなり最後には円柱状の1つの磁区となる。この後も外部磁界を強めるに従い、円柱磁区は次第に小さくなるが、ある印加磁界以上となると下向き円柱軸は突然消滅する（磁区の反転が起こる）。この様子があたかも泡が突然つぶれたようなので、このような円柱磁区を磁気バブルと呼ぶ。.

半導体メモリ

揮発性メモリの一種、DDR2 SDRAMを搭載したノートPC用のメモリ、SO-DIMM 半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。.

EPROMと半導体メモリ · 半導体メモリと磁気バブル · 続きを見る »

フラッシュメモリ

フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.

EPROMとフラッシュメモリ · フラッシュメモリと磁気バブル · 続きを見る »