Dynamic Random Access MemoryとMoSys

ショートカット: 違い、類似点、ジャカード類似性係数、参考文献。

Dynamic Random Access MemoryとMoSysの違い

Dynamic Random Access Memory vs. MoSys

archivedate。 MoSys, Inc.(元々はMoST、Monolithic System Technology)は1991年設立のファブレス半導体設計屋であった。会社は主にメモリー・チップを設計し、特に彼らのと1T-SRAM技術で知られていた後に任天堂のビデオゲーム機ゲームキューブとWiiで使われた。

半導体メモリ

DRAMを搭載したPC用メモリ 不揮発性メモリの一種、フラッシュメモリを搭載したUSBメモリ 半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。

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任天堂

任天堂株式会社（にんてんどう、）は、日本の代表的なグローバル企業の一社であり、主に玩具やコンピュータゲームの開発・製造・販売を行っている。本社所在地は京都府京都市南区。TOPIX Core30およびJPX日経インデックス400の構成銘柄の一つ。

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メモリ・リフレッシュ

メモリ・リフレッシュ（Memory_refresh）とは、情報を保存する目的で、コンピューター・メモリのある領域から定期的に情報を読み出し、読み出した情報を修正することなく直ちに同じ領域に書き換えるプロセスのことである"refresh cycle" in。 コンピューター・メモリの中で最も広く使用されているタイプの半導体ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）の動作中に必要とされるバックグラウンド・メンテナンス・プロセスであり、実際、このクラスのメモリを特徴づけるものである。

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SIMM

30ピン（上の2つ）と72ピン（下の2つ）のSIMM SIMM（しむ、 Single In-line Memory Module ）とは、パーソナルコンピュータで RAM として使われるメモリモジュールの一種である。現在主流である DIMM とは異なり、SIMM の接点はモジュールの両面で冗長化されている。 最も初期の PC マザーボード（8088 ベースの PC や XT など）では、DIP チップをソケットに嵌め込むようになっていた。80286 ベースの PC/AT では記憶量が大幅に増え、マザーボードのスペースを節約したり簡単にメモリ増設できるように、メモリモジュールが使われるようになった。メモリを増やすには、それまでは 8個か9個の DRAM チップを挿し込まねばならなかったのが、メモリモジュールを1枚追加するだけで済むようになった。80286 ベースのコンピュータの中には（非標準の）SIPP (single in-line pin package) メモリモジュールを使うものもあったが、SIPP の 30本のピンが挿入時に折れたり壊れたりすることが多かったため、ピンではなく接点プレートを採用している SIMM への置き換えが急速に進んだ。

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Static Random Access Memory

NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。 読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。

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