Surrounding Gate Transistor

Surrounding Gate Transistor（サラウンディング・ゲート・トランジスタ）は舛岡富士雄が研究開発を進めている次世代半導体。 これまで平面に焼き付けていた半導体素子を円柱に垂直に焼き付けることでダイサイズを数分の一にするという。このため三次元半導体とも呼ばれることがある。舛岡いわく、すでに原始的な試作品をつくっており、MOS型で20GHz程度までクロック周波数を引き上げられるという。最終的には50GHzが目標とのことで、2010年ごろに試作を終えたいとしている。詳細は下記舛岡のインタビューや本人のサイトなどを参照のこと。

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目次

1. 2 関係: 球状半導体、舛岡富士雄。

球状半導体

球状半導体とは球形の半導体素子。

見る Surrounding Gate Transistorと球状半導体

舛岡富士雄

舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は、日本の電子工学研究者。フラッシュメモリの発明者として知られており、1980年代にNOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリを開発した。1988年には、初期の非平面型である初の（GAA）MOSFET（）トランジスタも発明している。 元東芝社員。東北大学名誉教授。現在は日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者（CTO）として、Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。紫綬褒章、文化功労者、瑞宝重光章。

見る Surrounding Gate Transistorと舛岡富士雄

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