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電界効果トランジスタ

索引 電界効果トランジスタ

回路基板上に実装された状態の高出力N型チャネルMOSFET 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、, FET)は、ゲート電極に電圧をかけることでチャネル領域に生じる電界によって電子または正孔の濃度を制御し、ソース・ドレイン電極間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。 FETは主に接合型FET(ジャンクションFET, JFET)とMOSFETに大別される。他にも、MESFETなどの種類がある。また、それぞれの種別でチャネルの種類によりさらにn型のものとp型のものに分類される。 このページでは主にSiなどの無機半導体について述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。.

43 関係: マルチゲート素子バイポーラトランジスタトランシーバートランジスタパワーMOSFETパッケージ (電子部品)ヒ化ガリウムデジタル回路フィルタ回路ダイオードアナログスイッチアナログ回路ケイ素ショットキー接合回路図CMOS空乏層真空管真性半導体絶縁ゲートバイポーラトランジスタ無線LAN直列回路と並列回路発光ダイオード高電子移動度トランジスタ論理回路電卓電場電子電子移動度電圧電荷担体電極集積回路HMOSMESFETMOSFETPn接合Z80極超短波正孔混合器 (ヘテロダイン)有機半導体有機電界効果トランジスタ

マルチゲート素子

マルチゲート素子 (multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET) とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。 マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。 マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFETと呼ばれることがある。 '''多様なマルチゲート素子'''Aは従来のプレナー型MOS-FETの構造である。B以下がマルチゲート素子の構造である。 (従来の)'''プレナー型MOS-FETの構造概略'''(n型)L:チャンネル長, W:チャンネル幅 '''MOS-FETの動作模式図'''(n型)'''A''':ゲート電極にプラスの電圧が加わると正電位に引かれて負の電荷の電子が集まる。'''B''':ドレインに正の電圧、ソースに負の電圧が加わることで、ゲートの電位に引かれて集まった電子が結果としてドレインとソースの間に流れを作る。 '''SOIを用いた部分空乏型と完全欠乏型のMOS-FETの模式図'''1. ゲート 2. ドレイン 3.ソース 4.SOI 5.シリコン基板 6.空乏層主にリーク電流を遮断する目的でチャンネル底部に絶縁層が設けられる。この絶縁層はSOI(Silicon on Insulator) と呼ばれ、空乏層の有無などによって部分空乏型('''A''')と完全空乏型('''B''')の2種類に大別される。.

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バイポーラトランジスタ

代表的な小信号用バイポーラトランジスタ2SC1815 バイポーラトランジスタ(Bipolar transistor)、またはバイポーラジャンクショントランジスタ(英: Bipolar junction transistor; BJT)は、トランジスタの一種である。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体で、電流増幅・スイッチング機能を持つ。電界効果トランジスタなどのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 バイポーラトランジスタという呼び名(区分名称)は後に電界効果トランジスタが登場したことによるレトロニムであるが、その経緯通り最初に広く使われたトランジスタであったため、単にトランジスタと言えばバイポーラトランジスタを指すことが多い。.

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トランシーバー

トランシーバー、トランシーバ (transceiver) とは、送信機 (transmitter) と受信機 (receiver) からなる造語で、電気通信やデータ伝送分野において電気信号の送受信を行う機器あるいは電子回路を指す。.

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トランジスタ

1947年12月23日に発明された最初のトランジスタ(複製品) パッケージのトランジスタ トランジスタ(transistor)は、増幅、またはスイッチ動作をさせる半導体素子で、近代の電子工学における主力素子である。transfer(伝達)とresistor(抵抗)を組み合わせたかばん語である。によって1948年に名づけられた。「変化する抵抗を通じての信号変換器transfer of a signal through a varister または transit resistor」からの造語との説もある。 通称として「石」がある(真空管を「球」と通称したことに呼応する)。たとえばトランジスタラジオなどでは、使用しているトランジスタの数を数えて、6石ラジオ(6つのトランジスタを使ったラジオ)のように言う場合がある。 デジタル回路ではトランジスタが電子的なスイッチとして使われ、半導体メモリ・マイクロプロセッサ・その他の論理回路で利用されている。ただ、集積回路の普及に伴い、単体のトランジスタがデジタル回路における論理素子として利用されることはほとんどなくなった。一方、アナログ回路中では、トランジスタは基本的に増幅器として使われている。 トランジスタは、ゲルマニウムまたはシリコンの結晶を利用して作られることが一般的である。そのほか、ヒ化ガリウム (GaAs) などの化合物を材料としたものは化合物半導体トランジスタと呼ばれ、特に超高周波用デバイスとして広く利用されている(衛星放送チューナーなど)。.

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パワーMOSFET

パワーMOSFET(Power MOSFET)は、大電力を取り扱うように設計されたMOSFETのこと。 他のパワーデバイスと比較するとスイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高い為、200V以下の領域で、スイッチング電源や、DC-DCコンバータ等に用いられる。.

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パッケージ (電子部品)

電子部品のパッケージ(外周器:がいしゅうき)とは、電気製品を構成する個別部品の外形を構成する部分であり、通常は小さな電子部品を包む樹脂や金属、セラミックを指す。 1mm方眼紙上のチップ抵抗(3216サイズ) アキシャルリード 電解コンデン.

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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)という、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。.

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デジタル回路

デジタル回路(デジタルかいろ。英: digital circuit - ディジタル回路)は、2つの不連続な電位範囲を情報の表現に用いる電子回路で、論理回路の実現法のひとつである。電位帯内であれば信号の状態は同じものとして扱われる。信号レベルが公差、減衰、ノイズなどで若干変動したとしても、しきい値の範囲内ならば無視され、いずれかの状態として扱われる。 通常は2つの状態をとり、0Vに近い電圧と、十分にマージンを取った電源電圧より低い5Vや3V、1.2Vといった電圧で表される。これらはそれぞれ「Low」「High」、又は「L」「H」と表現される。一般には Low を0や偽、High を1や真に対応させることが多い(正論理)が、諸事情により逆に対応させる(負論理)こともある。以上はトランジスタベースの現在広く使われている回路の場合で、真空管による回路など、電圧や方式は他にも多種ある。.

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フィルタ回路

フィルタ回路(フィルタかいろ)とは、入力された電気信号に帯域制限をかけたり、特定の周波数成分を取り出すための電気回路(または電子回路)、つまりフィルタの役割をする電気回路のことを言う。濾波器(ろはき)ともいう。.

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ダイオード

図1:ダイオードの拡大図正方形を形成しているのが半導体の結晶を示す 図2:様々な半導体ダイオード。下部:ブリッジダイオード 図3:真空管ダイオードの構造 図4 ダイオード(英: diode)は整流作用(電流を一定方向にしか流さない作用)を持つ電子素子である。最初のダイオードは2極真空管で、後に半導体素子である半導体ダイオードが開発された。今日では単にダイオードと言えば、通常、半導体ダイオードを指す。 1919年、イギリスの物理学者 William Henry Eccles がギリシア語の di.

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アナログスイッチ

アナログスイッチは、入力された信号の状態に応じて回路のオン/オフの切り換えを行う電子部品の一つである。 応用としては、計数(カウンタ)回路、マルチプレクサ、デジタル-アナログ変換回路、CCDイメージセンサ、加算器のキャリー伝搬、等に用いられる。 一般的な構成としては、VDDに近い電圧での導通のためのPMOSと、VSSに近い電圧での導通のためのNMOSの、両方の極性のMOSFETを使う一種のCMOSによるもの(CMOSアナログスイッチ)がある。これは単独のパッケージに組み込んだ汎用ロジックICのシリーズ中の製品もある。これを特に指してトランスミッションゲート(:en:Transmission gate)と呼ぶこともある。名前の通り任意の電圧・電流を通すアナログ素子と言えるが、ディジタル論理回路としては、制御入力に従って「ハイインピーダンスになるか、あるいは、双方向的に素通しする」という、トライステートゲートの特殊なものとも言え、これを利用する論理方式としてはpass transistor logic(:en:Pass transistor logic)という語もある。 CMOSによる構成以外のものとしては、バイポーラトランジスタ、フォトカプラ、サイリスタ、ソリッドステートリレーなどによるものがある。 Category:半導体素子 Category:スイッチ.

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アナログ回路

アナログ回路(アナログかいろ)は、連続的に変化する電気信号を取り扱う電子回路である。これに対してデジタル回路は有限個の信号レベル(通常2つ)しか持たない信号を扱う。「アナログ」という言葉は、信号とその信号を実際に表している電圧や電流が比例関係にあることを意味している。「アナログ」の語源はギリシャ語の ανάλογος (analogos) で、「比例」を意味する。.

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ケイ素

イ素(ケイそ、珪素、硅素、silicon、silicium)は、原子番号 14 の元素である。元素記号は Si。原子量は 28.1。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。 地殻中に大量に存在するため鉱物の構成要素として重要であり、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成している。これには Si-O-Si 結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれている。しかしながら生物とのかかわりは薄く、知られているのは、放散虫・珪藻・シダ植物・イネ科植物などにおいて二酸化ケイ素のかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあまりわかっていない。炭素とケイ素との化学的な類似から、SF などではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定されることがある。 バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素やリンなどの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることなどから、電子工学上重要な元素である。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきた。現在、ケイ素は99.9999999999999 % (15N) まで純度を高められる。また、Si(111) 基板はAFMやSTMの標準試料としてよく用いられる。.

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ショットキー接合

ョットキー接合(ショットキーせつごう、Schottky barrier junction)は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。.

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回路図

回路図(かいろず)とは電子回路、空気圧機器、油圧機器などの回路を記述するために用いられる図のことである。実体配線図と異なり、回路図での位置と実際に配置する場所は無関係であり、一種のグラフである。.

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CMOS

CMOS(シーモス、Complementary MOS; 相補型MOS)とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路(論理回路)の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式(論理方式)、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる(『#その他の用例』参照)。.

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空乏層

乏層(くうぼうそう、depletion layer)とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。.

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真空管

5球スーパーラジオに使われる代表的な真空管(mT管) 左から6BE6、6BA6、6AV6、6AR5、5MK9 ここでは真空管(しんくうかん、vacuum tube、vacuum valve)電子管あるいは熱電子管などと呼ばれるものについて解説する。.

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真性半導体

真性半導体(しんせいはんどうたい)とは、添加物を混じえてない純粋な半導体のことを指す。真性半導体の英語名「intrinsic semiconductor」からi型半導体と呼ばれることもある。.

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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

IGBTの回路図記号 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。.

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無線LAN

無線LAN(むせんラン)とは、無線通信を利用してデータの送受信を行うLANシステムのことである。ワイヤレスLAN(, )、もしくはそれを略してとも呼ばれる。著名な無線LANの規格としてIEEE 802.11がある。.

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直列回路と並列回路

列回路と並列回路(ちょくれつかいろとへいれつかいろ、英語:series and parallel circuits)とは、電子回路や電気回路の回路構成である。 電子部品の回路上の接続方法には直列(series)と並列(parallel)がある。2つの端子を持つ部品を数珠繋ぎに接続した回路を直列回路(series circuit)、2つの端子をそれぞれ互いに接続した回路を並列回路(parallel circuit)と呼ぶ。直列回路では、電流の経路が1つであり、同じ電流が各部品を順に流れる。並列回路では、電流の経路が分岐して各部品に同じ電圧がかかる。 例えば、2つの豆電球と電池を使った簡単な回路を考えてみよう。電池から伸びた導線が1つの豆電球に接続され、そこから次の豆電球に接続され、最終的に電池に戻るという回路構成は直列回路である。電池から2本の導線が伸びて、それぞれ別の豆電球に繋がり、そこからまた別々に電池に戻る場合、回路構成は並列回路である。.

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発光ダイオード

光ダイオード(はっこうダイオード、light emitting diode: LED)はダイオードの一種で、順方向に電圧を加えた際に発光する半導体素子である。 1962年、ニック・ホロニアックにより発明された。発明当時は赤色のみだった。1972年にによって黄緑色LEDが発明された。1990年代初め、赤崎勇、天野浩、中村修二らによって、窒化ガリウムによる青色LEDの半導体が発明された。 発光原理はエレクトロルミネセンス (EL) 効果を利用している。また、有機エレクトロルミネッセンス(OLEDs、有機EL)も分類上、LEDに含まれる。.

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高電子移動度トランジスタ

電子移動度トランジスタ(こうでんしいどうど-、High Electron Mobility Transistor)は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。.

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論理回路

論理回路(ろんりかいろ、logic circuit)は、論理演算を行う電気回路及び電子回路である。真理値の「真」と「偽」、あるいは二進法の「0」と「1」を、電圧の正負や高低、電流の方向や多少、位相の差異、パルスなどの時間の長短、などで表現し、論理素子などで論理演算を実装する。電圧の高低で表現する場合それぞれを「」「」等という。基本的な演算を実装する論理ゲートがあり、それらを組み合わせて複雑な動作をする回路を構成する。状態を持たない組み合わせ回路と状態を持つ順序回路に分けられる。論理演算の結果には、「真」、「偽」の他に「不定」がある。ラッチ回路のdon't care, フリップフロップ回路の禁止が相当する。 ここでの論理は離散(digital)であるためディジタル回路を用いる。論理演算を行うアナログ回路、「アナログ論理」を扱う回路(どちらも「アナログ論理回路」)もある。 多値論理回路も量子コンピュータで注目されている。 電気(電子)的でないもの(たとえば流体素子や光コンピューティングを参照)もある。 以下では離散なデジタル回路を扱う。.

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電卓

一般的に使用される手帳タイプ電卓の例 キヤノンHS-1000H 電卓(でんたく)は、計算機の一種で電子(式)卓上計算機(でんし(しき)たくじょうけいさんき)の略である。JISの用語では、1979年(昭和54年)にJIS B0117で電卓の呼称が標準化した。名前の通り、電子回路によって計算を行い、卓上で使用できる(ないし、より小さい)サイズである。 名前のとおり机の上で使うのに適した大きさの小型計算機である。カード型のものが現れたり、また「電卓」という名前のソフトウェアがパソコンや携帯電話に搭載されるなどしたりして、現在では必ずしも卓上ではなくなっている。消費税の導入後には消費税の計算を簡単にワンタッチでできる機能なども付加されるようになった。.

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電場

電場(でんば)または電界(でんかい)(electric field)は、電荷に力を及ぼす空間(自由電子が存在しない空間。絶縁空間)の性質の一つ。E の文字を使って表されることが多い。おもに理学系では「電場」、工学系では「電界」ということが多い。また、電束密度と明確に区別するために「電場の強さ」ともいう。時間によって変化しない電場を静電場(せいでんば)または静電界(せいでんかい)とよぶ。また、電場の強さ(電界強度)の単位はニュートン毎クーロンなので、アンテナの実効長または実効高を掛けると、アンテナの誘起電圧 になる。.

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電子

電子(でんし、)とは、宇宙を構成するレプトンに分類される素粒子である。素粒子標準模型では、第一世代の荷電レプトンに位置付けられる。電子は電荷−1、スピンのフェルミ粒子である。記号は e で表される。また、ワインバーグ=サラム理論において弱アイソスピンは−、弱超電荷は−である。.

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電子移動度

電子移動度(でんしいどうど、electron mobility)とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量であり、本来の表記は,易動度が正しい。したがって、単に移動度という場合はキャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。.

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電圧

電圧(でんあつ、voltage)とは直観的には電気を流そうとする「圧力のようなもの」である-->。単位としては, SI単位系(MKSA単位系)ではボルト(V)が使われる。電圧を意味する記号には、EやVがよく使われる。 電圧は電位差ないしその近似によって定義される。 電気の流れに付いては「電流」を参照の事。.

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電荷担体

電荷担体または電荷キャリア(charge carrier)とは、物理学において電荷を運ぶ自由な粒子を指し、特に電気伝導体における電流を担う粒子を指す。例えば、電子やイオンがある。 金属では、伝導電子が電荷担体となる。各原子の外側の1個または2個の価電子は金属の結晶構造の中を自由に移動できる。この自由電子の雲をフェルミ気体という。 塩水のような電解液では、陽イオンと陰イオンが電荷担体となる。同様にイオン性固体が融解した液体においても、陽イオンと陰イオンが電荷担体となる(例えば、ホール・エルー法を参照)。 電弧のようなプラズマでは、電子とイオン化した気体の陽イオン、さらには電極が蒸発した素材などが電荷担体となる。電極の気化は真空でも起きるが、電弧は真空中では存在しえない。その場合は気化した電極が低圧の気体となって電弧を生じるための電荷担体となっている。 真空管などの真空中では、自由電子が電荷担体となる。 半導体では、伝導電子と正孔(ホール)が電荷担体となる。正孔とは価電子帯の空席になっている部分を粒子のように移動するものと捉えた見方であり、正の電荷を担う。N型半導体では伝導電子、P型半導体では正孔が電荷担体(多数キャリア)となる。pn接合にみられる空乏層には電荷担体はほとんどない。.

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電極

電極(でんきょく)とは、受動素子、真空管や半導体素子のような能動素子、電気分解の装置、電池などにおいて、その対象物を働かせる、あるいは電気信号を測定するなどの目的で、電気的に接続する部分のことである。 また、トランジスタのベース、FETのゲートなど、ある電極から別の電極への電荷の移動を制御するための電極もある。.

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集積回路

SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路(しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC)は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.

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HMOS

HMOS(えいちもす)は、ディプリーション負荷NMOS論理方式(depletion-load NMOS logic)の一種で、「High density, short channel MOS」あるいは「High-performance n-channel MOS」の略としてIntelが自社の方式の名称として使ったものである。Intelの8085の頃から後のいくつかの石と、Motorolaにもライセンスされ68000などにも使われた。その後、CMOSが一般的になると、急速にそちらに置き換わった。.

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MESFET

MESFET(metal-semiconductor field effect transistor)は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。.

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MOSFET

MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。.

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Pn接合

pn接合(ぴーえぬせつごう、pn junction)とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。.

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Z80

Z80 CPU(1993年第45週製造品) Z80 は、米国ザイログによって製造された 8ビット・マイクロプロセッサーである。1976年に発表され、1980年代の中頃までは、パーソナルコンピューターのCPUとしてなど、幅広い用途に使用された。以後も周辺デバイスを集積した製品が出されるなど、現在でも組み込み用途など、目に見えないところで多用されている。.

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極超短波

極超短波(ごくちょうたんぱ、UHF.

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正孔

正孔(せいこう)は、ホール(Electron hole または単にhole)ともいい、物性物理学の用語。半導体(または絶縁体)において、(本来は電子で満たされているべき)価電子帯の電子が不足した状態を表す。たとえば光や熱などで価電子が伝導帯側に遷移することによって、価電子帯の電子が不足した状態ができる。この電子の不足によってできた孔(相対的に正の電荷を持っているように見える)が正孔(ホール)である。 半導体結晶中においては、周囲の価電子が次々と正孔に落ち込み別の場所に新たな正孔が生じる、という過程を順次繰り返すことで結晶内を動き回ることができ、あたかも「正の電荷をもった電子」のように振舞うとともに電気伝導性に寄与する。なお、周囲の価電子ではなく、伝導電子(自由電子)が正孔に落ち込む場合には、伝導電子と価電子の間のエネルギー準位の差に相当するエネルギーを熱や光として放出し、電流の担体(通常キャリアと呼ぶ)としての存在は消滅する。このことをキャリアの再結合と呼ぶ。 正孔は、伝導電子と同様に、電荷担体として振舞うことができる。正孔による電気伝導性をp型という。半導体にアクセプターをドーピングすると、価電子が熱エネルギーによってアクセプタ準位に遷移し、正孔の濃度が大きくなる。また伝導電子の濃度に対して正孔の濃度が優越する半導体をp型半導体と呼ぶ。 一般に正孔のドリフト移動度(あるいは単に移動度)は自由電子のそれより小さく、シリコン結晶中では電子のおよそ1/3になる。なお、これによって決まるドリフト速度は個々の電子や正孔の持つ速度ではなく、平均の速度であることに注意が必要である。 価電子帯の頂上ではE-k空間上で形状の異なる複数のバンドが縮退しており、それに対応して正孔のバンドも有効質量の異なる重い正孔(heavy hole)と軽い正孔(light hole)のバンドに分かれる。またシリコンなどスピン軌道相互作用が小さい元素においてはスピン軌道スプリットオフバンド(スピン分裂バンド)もエネルギー的に近く(Δ.

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混合器 (ヘテロダイン)

混合器(こんごうき).

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有機半導体

有機半導体(ゆうきはんどうたい, Organic Semiconductor, OSC)は、半導体としての性質を示す有機物のことである。 半導体特性は、ペンタセンやアントラセン、ルブレンなどの多環芳香族炭化水素や、テトラシアノキノジメタン (TCNQ) などの低分子化合物をはじめ、ポリアセチレンやポリ-3-ヘキシルチオフェン(P3HT)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)などのポリマーでも発現する。.

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有機電界効果トランジスタ

有機電界効果トランジスタ(OFET)とは有機半導体を活性層に用いた電界効果トランジスタのことである。OFETは真空蒸着や溶液塗布によって作成することができ、低コストかつ大面積な電子製品の実現をめざして開発が進められている。OFETにはさまざまな種類があるが、最も一般的な構造は基板側にゲート電極があり、ソースドレイン電極が表面についている構造である。なぜなら、この構造はシリコン基板上に熱酸化して作成した二酸化ケイ素をゲート絶縁膜として使用した薄膜トランジスタと構造が似ているからである。二酸化ケイ素のような無機物以外にもポリメチルメタクリレート(PMMA)のような有機物をゲート絶縁膜として用いることが可能である。 2007年5月、ソニーはフルカラーで動画表示可能、さらにプラスチック基板上に作成されているために折り曲げることが可能であるOFETで駆動された有機ELディスプレイを世界で初めて試作したと発表した。.

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JFETユニポーラトランジスタ定電流ダイオード電界効果型トランジスタ

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