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負性抵抗

索引 負性抵抗

負性抵抗(ふせい-ていこう)とは、入力インピーダンスを見た際に掛けた電圧に対して 抵抗値が見掛け上マイナスになるような回路ブロックを指す。(詳しい解説は後述する。) 負性抵抗とは見かけ上の物であり、一般的な受動素子では発生しない。 負性抵抗と負性微分抵抗は異なり、 負性微分抵抗は「電圧の増加により、電流が減少する」というような、 オームの法則の抵抗と対極となる電気回路の特性のことを指す。 トンネルダイオード(エサキダイオードともいう)やガン・ダイオードでは、 動作領域の一部で負性微分抵抗の特性を示す。 カルコゲナイド・ガラスや導電性高分子も同様の特性を示す。 以下、負性抵抗の実現法について述べる。負性抵抗はNIC(Negative Impedance Converter:負性インピーダンス変換回路 )を用いて実現される。負性抵抗は、NICを構成するためのオペアンプ、R1、R2、そして負荷抵抗RLから構成される。 接続としては電圧源Vが接続されるのがオペアンプの+入力端子、そして+入力端子とオペアンプの出力端子の間に R1、そして同出力端子と‐入力端子の間にR2が、-入力端子とGNDの間に負荷抵抗RLが接続される。 ここでナレータノレータモデルを使ってオペアンプは‐入力端子と+入力端子の電圧が等しくなるように働くため (そのために‐端子に負帰還がされている。時間のある方はオペアンプの接続を‐端子+端子で入れ替えてみると 出力が発散してしまいうまく動かないことを確認できるでしょう。)、 負荷抵抗RLにはV/RLがGNDに向かって流れる。この電流はオペアンプの入力端子の入力インピーダンスを かなり大きいと見積もれるためそのままオペアンプの出力端電圧Voutから-端子の方向に流れる電流と考える事が出来る。 ここでR1.

8 関係: 培風館受動素子導電性高分子トンネルダイオードオームの法則ガン・ダイオード電気回路抵抗

培風館

株式会社培風館(ばいふうかん)は、理学、工学、心理学などの大学向け教科書を中心とした出版社である。 創業者は山本慶治(1881-1963)。山本は兵庫県の豪農の家に生まれ、1908年東京高等師範学校英語科卒、1910年同教育研究科修了、奈良女子高等師範学校講師。岡本米蔵の紐育土地会社に勤務、その出版部門常務となり、1938年培風館として独立。当初は東京高等師範学校の教科書を刊行していた。1962年その長男の山本俊一(1910-2008、東大工学部卒)が社長となり、67年次男の山本健二(1912-93)が継ぐ。健二の死後その子の山本格が社長となる。.

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受動素子

受動素子(じゅどうそし、Passive element、Passive component)は、供給された電力を消費・蓄積・放出する素子で、増幅・整流などの能動動作を行わないものを言う。 一方、真空管、継電器(リレー)やトランジスタなど入力信号として小さな電力、電圧または電流を入れて、大きな出力信号として電力、電圧または電流の変化を得られる素子は能動素子(のうどうそし、Active element、Active component)と呼ばれ、その入力と出力の比率を利得という。 受動素子と電源とで構成された電気回路を受動回路という。.

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導電性高分子

導電性高分子(どうでんせいこうぶんし)または、導電性ポリマー(conductive polymers、intrinsically conducting polymers、ICPs)とは、電気伝導性を持つ高分子化合物の呼称である。共役したポリエン系がエネルギー帯を形成し伝導性を示すと考えられている。代表的な物質としてはポリアセチレン、ポリチオフェン類などが挙げられる。「導電性」と呼ばれているが、実際の性質は導体というより半導体であり、高分子半導体などと呼ぶ場合もある。.

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トンネルダイオード

トンネルダイオードを表す回路記号トンネルダイオード(tunnel diode)または江崎ダイオード(Esaki diode)は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。.

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オームの法則

ルク・オーム オームの法則(オームのほうそく、)とは、導電現象において、電気回路の部分に流れる電流とその両端の電位差の関係を主張する法則である。クーロンの法則とともに電気工学で最も重要な関係式の一つである。 1781年にヘンリー・キャヴェンディッシュが発見したが、その業績は1879年にマクスウェルが『ヘンリー・キャヴェンディシュ電気学論文集』として出版するまで未公表であった。 ヘンリーの最初の発見後、1826年にドイツの物理学者であるゲオルク・オームによって再発見・公表されたため、その名を冠してオームの法則と呼ばれる。.

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ガン・ダイオード

ガン・ダイオード(Gunn diode)は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から成るのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。 素子に電圧をかけていくにつれて素子内部の電子の速度が増加するが、ある臨界値になると結晶格子により電子の速度エネルギーが吸収され、電子の速度が減少する。この臨界値より大きい電圧を結晶にかけると、結晶の中の負電極の近くに電界の高い領域が発生し、この領域が素子の内部を正電極に向けて移動する。この現象が高速で連続することによりマイクロ波が発生する。出力は小さく、主に通信用のマイクロ波発振器で利用される。 Category:ダイオード Category:マイクロ波.

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電気回路

電気回路(でんきかいろ、electric(al) circuit)は、抵抗器(抵抗)、インダクタ、コンデンサ、スイッチなどの電気的素子が電気伝導体でつながった電流のループ(回路)である。 電気回路は、電流の流れのための閉ループを持っていて、2つ以上の電気的素子が接続されている。 「回路」の語義的にはループになっているものだけであり、また電流は基本的にはその性質として、ループになっていなければ流れないものであるが、アンテナやアースのように開放端になっている部分も通例として含めている。対象が電子工学的(弱電)であるものは電子回路と言う。 例外的な分野の例ではあるが、主に数ギガヘルツの電磁波(電波)を伝播させる給電線である導波管をコンポーネント単位で、加工・細工するなどして、中空の導波管内を伝播する電磁波に直接作用させる形で構成した電気回路を立体回路と言う。これらは、基本的にループを構成せず、電気伝導体を介さない上記の電気回路の概念とは少し異なるものだが、電気回路の延長線上としてマイクロ波などの高周波領域であつかわれている。 導波管は金属の管であり、加工により通常の電気回路にあるような電気的素子である容量性(コンデンサ)、誘導性(インダクタ)、短絡(ショート)、抵抗減衰、分岐などを高周波領域で実現することが出来る。 これらは衛星通信やマイクロ波加熱、プラズマ生成など用途に応じて高出力(電力)で、かつ高周波の無線電波分野で用いられ、立体回路が構成される導波管は主に中空の方形導波管が多い。.

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抵抗

抵抗(ていこう).

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負性インピーダンス

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