13 関係: ペーター・グリューンベルク、マンガン、ノーベル物理学賞、ハードディスクドライブ、トンネル磁気抵抗効果、アルベール・フェール、スピントロニクス、灰チタン石、磁場、磁気抵抗効果、酸化物、電気抵抗率、1987年。
ペーター・グリューンベルク
ペーター・アンドレアス・グリューンベルク(Peter Andreas Grünberg、1939年5月18日 - 2018年4月9日 )はドイツの物理学者で、巨大磁気抵抗を発見した人の一人である。独ユーリヒ固体物理研究所教授。彼の研究成果はギガバイトハードディスクの成功へつながった。2007年にアルベール・フェールとともにノーベル物理学賞を受賞した。.
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マンガン
マンガン(manganese 、manganum)は原子番号25の元素。元素記号は Mn。日本語カタカナ表記での名称のマンガンは Mangan をカタカナに変換したもので、日本における漢字表記の当て字は満俺である。.
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ノーベル物理学賞
ノーベル物理学賞(ノーベルぶつりがくしょう、Nobelpriset i fysik)は、ノーベル賞の一部門。アルフレッド・ノーベルの遺言によって創設された6部門のうちの一つ。物理学の分野において重要な発見を行った人物に授与される。 ノーベル物理学賞のメダルは、表面にはアルフレッド・ノーベルの横顔(各賞共通)、裏面には宝箱を持ち雲の中から現れた自然の女神のベールを科学の神が持ち上げて素顔を眺めている姿(化学賞と共通)がデザインされている。.
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ハードディスクドライブ
AT互換機用内蔵3.5インチHDD(シーゲイト・テクノロジー製) ハードディスクドライブ(hard disk drive, HDD)とは、磁性体を塗布した円盤を高速回転し、磁気ヘッドを移動することで、情報を記録し読み出す補助記憶装置の一種である。.
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トンネル磁気抵抗効果
トンネル磁気抵抗効果(とんねるじきていこうこうか・TMR Effect)とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において磁場の印加でトンネル電流が流れて電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。.
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アルベール・フェール
アルベール・フェール (Albert Fert、1938年3月7日 -) はフランスの物理学者。巨大磁気抵抗の発見者の一人であり、この発見はギガバイト単位のハードディスクの成功へつながった。現在はオルセーのパリ第11大学の教授であり、国立科学研究センター(CNRS)と電機メーカー・タレスグループの合同研究室の科学主任でもある。2007年にペーター・グリューンベルクとともにノーベル物理学賞を受賞した。.
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スピントロニクス
ピントロニクス(spintronics)とは、固体中の電子が持つ電荷とスピンの両方を工学的に利用、応用する分野のこと。 スピンとエレクトロニクス(電子工学)から生まれた造語である。マグネットエレクトロニクス(magnetoelectronics)とも呼ばれるが、スピントロニクスの呼称の方が一般的である。 これまでのエレクトロニクスではほとんどの場合電荷の自由度のみが利用されてきたが、この分野においてはそれだけでなくスピンの自由度も利用しこれまでのエレクトロニクスでは実現できなかった機能や性能を持つデバイスが実現されている。この分野における代表的な例としては1988年に発見された巨大磁気抵抗効果があり、現在ハードディスクドライブのヘッドに使われている。.
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灰チタン石
チタン石(かいチタンせき、)あるいはペロブスキー石、ペロブスカイトは、酸化鉱物の一種。化学組成は CaTiO3(チタン酸カルシウム)、結晶系は斜方晶系。灰チタン石グループの鉱物。.
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磁場
磁場(じば、Magnetic field)は、電気的現象・磁気的現象を記述するための物理的概念である。工学分野では、磁界(じかい)ということもある。 単に磁場と言った場合は磁束密度Bもしくは、「磁場の強さ」Hのどちらかを指すものとして用いられるが、どちらを指しているのかは文脈により、また、どちらの解釈としても問題ない場合も多い。後述のとおりBとHは一定の関係にあるが、BとHの単位は国際単位系(SI)でそれぞれWb/m², A/m であり、次元も異なる独立した二つの物理量である。Hの単位はN/Wbで表すこともある。なお、CGS単位系における、磁場(の強さ)Hの単位は、Oeである。 この項では一般的な磁場の性質、及びHを扱うこととする。 磁場は、空間の各点で向きと大きさを持つ物理量(ベクトル場)であり、電場の時間的変化または電流によって形成される。磁場の大きさは、+1のN極が受ける力の大きさで表される。磁場を図示する場合、N極からS極向きに磁力線の矢印を描く。 小学校などの理科の授業では、砂鉄が磁石の周りを囲むように引きつけられる現象をもって、磁場の存在を教える。このことから、磁場の影響を受けるのは鉄だけであると思われがちだが、強力な磁場の中では、様々な物質が影響を受ける。最近では、磁場や電場(電磁場、電磁波)が生物に与える影響について関心が寄せられている。.
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磁気抵抗効果
Corbino disc. With the magnetic field turned off, a radial current flows in the conducting annulus due to the battery connected between the (infinite) conductivity rims. 磁場が回転したときローレンツ力により電流が流れる。リムの内側と外側に抵抗が生じる。磁場による抵抗を''磁気抵抗''と呼ぶ. 磁気抵抗効果(じきていこうこうか、magnetoresistance)とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗(magnetic resistance)とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果によってわずか5%変化するだけだった。後に普通の磁気抵抗効果と呼ばれる。今日では巨大磁気抵抗効果やトンネル磁気抵抗効果が発見されている。.
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酸化物
酸化物(さんかぶつ、oxide)は、酸素とそれより電気陰性度が小さい元素からなる化合物である。酸化物中の酸素原子の酸化数は−2である。酸素は、ほとんどすべての元素と酸化物を生成する。希ガスについては、ヘリウム (He)、ネオン (Ne) そしてアルゴン (Ar) の酸化物はいまだ知られていないが、キセノン (Xe) の酸化物(三酸化キセノン)は知られている。一部の金属の酸化物やケイ素の酸化物(ケイ酸塩)などはセラミックスとも呼ばれる。.
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電気抵抗率
電気抵抗率(でんきていこうりつ、英語:electrical resistivity)は、どんな材料が電気を通しにくいかを比較するために、用いられる物性値である。単に、抵抗率(resistivity)、比抵抗(specific electrical resistance)とも呼ばれる。単位は、オームメートル(Ω・m)である。慣例的に Ω・cm もよく使われる。 電気抵抗 R の値は、電気抵抗率を \rho(ロー)、導体の長さを l 、導体の断面積を A とすると次の式で示される。 すなわち、電気抵抗率 \rho の値は、次の式で表される。 電気抵抗率 \rho の逆数 \frac を電気伝導率(導電率)と呼ぶ。.
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1987年
この項目では、国際的な視点に基づいた1987年について記載する。.
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