ロゴ
ユニオンペディア
コミュニケーション
Google Play で手に入れよう
新しい! あなたのAndroid™デバイスでユニオンペディアをダウンロードしてください!
無料
ブラウザよりも高速アクセス!
 

半導体工学

索引 半導体工学

半導体工学(はんどうたいこうがく、semiconductor engineering)は、半導体素子の設計・製造、寿命などの性能評価、半導体を利用した計測などを取り扱う工学である。下記のように多様な技術が関係する。.

58 関係: 原子間力顕微鏡半導体半導体素子工学二次イオン質量分析法化学機械研磨化学気相成長ペルティエ効果チョクラルスキー法メタライズラマン効果ラザフォード散乱プロセス制御パッケージテストパターンデバイスシミュレーションフォトリソグラフィフォトルミネセンスホール効果ダイシング分子線エピタキシー法イオン注入エレクトロルミネセンスエレクトロニクス用語一覧エッチングエピタキシャル成長ショットキー接合スパッタリングスピンコートゼーベック効果ゾーンメルト法光学顕微鏡光起電力効果光電効果光電子分光回路設計CAD空乏層物理気相成長DLTSEDAEDX誘導結合プラズマ走査型プローブ顕微鏡走査型電子顕微鏡蒸着酸化蛍光X線電子線マイクロアナライザ電圧...電気伝導率電流集束イオンビーム透過型電子顕微鏡Pn接合TCADX線回折拡散 インデックスを展開 (8 もっと) »

原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡(げんしかんりょくけんびきょう、Atomic Force Microscope; AFM)は、走査型プローブ顕微鏡(SPM)の一種。その名のとおり、試料と探針の原子間にはたらく力を検出して画像を得る。 原子間力はあらゆる物質の間に働くため容易に試料を観察することができるため、探針と試料表面間に流れるトンネル電流を利用するSTMとは異なり、絶縁性試料の測定も可能である。また電子線を利用するSEMのように導電性コーティングなどの前処理や装置内の真空を必要とする事もない。このため、大気中や液体中、または高温~低温など様々な環境で、生体試料などを自然に近い状態で測定できる。 他の走査型プローブ顕微鏡と同様に空間分解能は探針の先端半径(nm程度)に依存し、現在では、原子レベルの分解能が実現されている。.

新しい!!: 半導体工学と原子間力顕微鏡 · 続きを見る »

半導体

半導体(はんどうたい、semiconductor)とは、電気伝導性の良い金属などの導体(良導体)と電気抵抗率の大きい絶縁体の中間的な抵抗率をもつ物質を言う(抵抗率だけで半導体を論じるとそれは抵抗器と同じ特性しか持ち合わせない)。代表的なものとしては元素半導体のケイ素(Si)などがある。 電子工学で使用されるICのような半導体素子はこの半導体の性質を利用している。 良導体(通常の金属)、半導体、絶縁体におけるバンドギャップ(禁制帯幅)の模式図。ある種の半導体では比較的容易に電子が伝導帯へと遷移することで電気伝導性を持つ伝導電子が生じる。金属ではエネルギーバンド内に空き準位があり、価電子がすぐ上の空き準位に移って伝導電子となるため、常に電気伝導性を示す。.

新しい!!: 半導体工学と半導体 · 続きを見る »

半導体素子

ここでは半導体素子(はんどうたいそし)や半導体部品(-ぶひん)(英:semiconductor device) セミコンダクター・デバイスについて解説する。.

新しい!!: 半導体工学と半導体素子 · 続きを見る »

工学

工学(こうがく、engineering)とは、.

新しい!!: 半導体工学と工学 · 続きを見る »

二次イオン質量分析法

二次イオン質量分析法(にじイオンしつりょうぶんせきほう、Secondary Ion Mass Spectrometry、略称:SIMS)とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン(一次イオンと呼ばれる)を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン(二次イオンと呼ばれる)を質量分析計で検出する表面計測法である。.

新しい!!: 半導体工学と二次イオン質量分析法 · 続きを見る »

化学機械研磨

化学機械研磨(かがくきかいけんま、英: chemical mechanical polishing) は、研磨剤(砥粒)自体が有する表面化学作用または研磨液に含まれる化学成分の作用によって、研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨(表面除去)効果を増大させ、高速かつ平滑な研磨面を得る技術である。化学機械的研磨、化学的機械研磨、化学的機械的研磨とも表記される。 functional principle of CMP 近年では、CPUを代表とする大規模集積回路の製造に用いるウェハー表面の平坦化仕上げや、回路形成時の配線製造工程など、半導体製造工程全般で多用されるようになった研磨技術である(半導体工学を参照のこと)。半導体製造工程においては、特に平坦な面を得ることが重要であるため、「平坦にする」ということを強調するために化学機械平坦化(かがくきかいへいたんか、chemical mechanical planarization)とも表現する。いずれも略語はCMPであり、実質的な相違はあまりない。.

新しい!!: 半導体工学と化学機械研磨 · 続きを見る »

化学気相成長

化学気相成長(かがくきそうせいちょう)、化学気相蒸着(かがくきそうじょうちゃく)または化学蒸着(CVD: chemical vapor deposition)は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基板物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧(大気圧)や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。.

新しい!!: 半導体工学と化学気相成長 · 続きを見る »

ペルティエ効果

ペルティエ効果文部省 (1990) 学術用語集 物理学編。(ペルティエこうか、)は、異なる金属を接合し電圧をかけ、電流を流すと、接合点で熱の吸収・放出が起こる効果。ゼーベック効果の逆、電圧から温度差を作り出す現象である。トムソン効果とともに熱電効果のひとつである。ペルチエ効果、ペルチェ効果と表記することもある。.

新しい!!: 半導体工学とペルティエ効果 · 続きを見る »

チョクラルスキー法

チョクラルスキー法(チョクラルスキーほう)とは半導体(シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム)、金属(白金、金、銀)、塩類、人造宝石向けに使用される超高純度の単結晶を成長させる、結晶育成法のひとつである。.

新しい!!: 半導体工学とチョクラルスキー法 · 続きを見る »

メタライズ

メタライズ()とは、非金属の表面を金属膜化すること。フィルムの表面に金属膜を蒸着してフィルムコンデンサを製作したり、セラミックの表面に金属膜を生成してその後に半田付けや金属蝋付けをしたりするのに用いられる。半導体分野では、半導体基板から電流・電気信号を取り出すために、基板表面にアルミニウムや銅などの金属の薄膜を成長させ、配線を形成することである。薄膜の形成手法として、物理気相成長(PVD)や化学気相成長(CVD)が用いられる。.

新しい!!: 半導体工学とメタライズ · 続きを見る »

ラマン効果

ラマン効果(ラマンこうか)またはラマン散乱は、物質に光を入射したとき、散乱された光の中に入射された光の波長と異なる波長の光が含まれる現象。1928年インドの物理学者チャンドラセカール・ラマンとK・S・クリシュナンが発見した。.

新しい!!: 半導体工学とラマン効果 · 続きを見る »

ラザフォード散乱

ラザフォード散乱(ラザフォードさんらん、Rutherford scattering)とは、クーロン相互作用による荷電粒子間のを言う。1911年、アーネスト・ラザフォードにより説明された物理現象であり、ボーア模型の先駆けとなったラザフォードの惑星型原子模型の発展につながった。現在では、ラザフォード後方散乱分光という元素組成分析手法に利用されている。ラザフォード散乱は、静電気力(クーロン力)のみに依存し、粒子間の最接近距離はクーロンポテンシャルのみにより決定されるため、初めはクーロン散乱と呼ばれた。古典的なアルファ粒子の金原子核によるラザフォード散乱においては、散乱された後の粒子の持つエネルギーと速度が散乱前と変わらないので、「弾性散乱」の例といえる。.

新しい!!: 半導体工学とラザフォード散乱 · 続きを見る »

プロセス制御

プロセス制御(プロセスせいぎょ、英語:process control)は、特に化学プラントや電力プラントなどのプロセス系と呼ばれるシステムを対象とした制御(技術)を指す。 他の生産活動と同様に、プラント産業では供給された原料をもとにより高価値(有用)な製品を得ることを目的とするが、目的の製品・品質・生産量の実現やプラントの安定化・安全には流量(Flow)・温度(Temperature)・圧力(Pressure)などの運転条件の調節が必要であり、プラント産業においてプロセス制御は不可欠である。 プロセス制御における全制御ループの7割以上はPI制御もしくはPID制御で占められているといわれるが、近年ではモデル予測制御などの高度制御の導入も盛んである。 なお部品加工や組立などの物理的な工程に関する制御は、通常「プロセス制御」と呼ばない。.

新しい!!: 半導体工学とプロセス制御 · 続きを見る »

パッケージ

パッケージ、パッ.

新しい!!: 半導体工学とパッケージ · 続きを見る »

テストパターン

テストパターンとは、電子部品や装置(ハードウェア)、ソフトウェアが要求仕様にしたがって動作することを検証するためにこれらに入力し、得られた出力を観測するための電気信号やデータ(テストデータとも)のことである。 検証の対象物の動作仕様に応じて適切なテストパターンが決められるが、異なった性質の仕様検証のためには各々の性質に適した複数パターンを用いる。また、ソフトウェアや集積回路の検証などにおいてテストパターンにより検証できる性質の割合を網羅率(あるいはテスト網羅率、コード網羅率)と呼ぶ。網羅率の高い検証のためには用意するテストパターンを慎重に設計する必要がある。また、テストパターン作成を効率よく扱うために自動的にパターンを生成する場合があり、自動テストパターン生成(ATPG、)などと呼ぶ。 また、製造した個々の製品の出荷検査用だけでなく、出荷後の運用・保守時に用いられるテストパターンもある。.

新しい!!: 半導体工学とテストパターン · 続きを見る »

デバイスシミュレーション

デバイスシミュレーション (device simulation) は、FET等の半導体素子の断面構造もしくは3次元構造を入力し、そのデバイスの動作を確認するシミュレーション。そのシミュレーションを行うシミュレータをデバイスシミュレータと言う。 計算内容は、シミュレータにより異なるが、DC解析や小信号AC解析、ハーモニックバランス法を使用した大信号解析、過渡解析等が可能である。 構造は細かい領域(メッシュと言う)で区切られ、印加電圧や境界条件や使用モデル等の条件の設定が必要である。計算結果は、端子を流れる電流やSパラメータの様な実際に測定において確認できる結果のみでなく、各メッシュ点の電位(ポテンシャル)、電子密度、ホール密度等のパラメータの確認も可能である。 プロセスシミュレータと組み合わせてプロセス条件を変更した場合のデバイス特性がどの様に変化するかを確認するシミュレータの統合も可能で、これをTCADと言う。.

新しい!!: 半導体工学とデバイスシミュレーション · 続きを見る »

フォトリソグラフィ

フォトリソグラフィ(photolithography)は、感光性の物質を塗布した物質の表面を、パターン状に露光(パターン露光、像様露光などとも言う)することで、露光された部分と露光されていない部分からなるパターンを生成する技術。主に、半導体素子、プリント基板、印刷版、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルなどの製造に用いられる。.

新しい!!: 半導体工学とフォトリソグラフィ · 続きを見る »

フォトルミネセンス

光ルミネセンス(Photoluminescence:PL)とは、物質が光(フォトン)を吸収した後、光を再放出する過程である(反射とは異なる)。 蛍光物質や蓄光(燐光)物質に紫外線など高いエネルギーを持つ光を照射すると吸光し、励起状態(不安定な状態)となる。その状態から基底状態(安定な状態)に戻ろうとする時に放出する光(可視光など)および現象をいう。すなわち、電磁波照射によるルミネセンス(光エネルギーを与えた場合に発光する現象)のことである。 一方、半導体においても条件によりPLが生じる。半導体は禁制帯よりも高いエネルギーを持つ光を照射すると、熱平衡状態よりも過剰の電子・正孔対が形成される。それらが平衡状態に戻ろうとするときの再結合過程において光を放出する現象をいう。 但し、半導体を用いたLEDは実用的にはエレクトロルミネセンスによる発光であり、また半導体を用いたpn接合型太陽電池はフォトダイオードが光を吸収して電力に変換するものである(光起電力効果)。半導体のPLは性能の評価手法(物質中の欠陥や不純物の程度)の1つである。.

新しい!!: 半導体工学とフォトルミネセンス · 続きを見る »

ホール効果

ホール効果(ホールこうか、Hall effect)とは、電流の流れているものに対し、電流に垂直に磁場をかけると、電流と磁場の両方に直交する方向に起電力が現れる現象。主に半導体素子で応用される。1879年、米国の物理学者エドウィン・ホール(Edwin Herbert Hall, 1855-1938)によって発見されたことから、このように呼ばれる。.

新しい!!: 半導体工学とホール効果 · 続きを見る »

ダイシング

ダイシング( または )とは、半導体のウェハー上に形成された集積回路などを、ダイシングソーでウェハーを切削して切り出し、チップ化する工程である。 ウェハー上に形成された集積回路を狂いなく切断し、1個のチップとしなければならない。ウェハー上のパターンとパターンの間に設ける「しろ」はスペーシング(spacing)またはスクライブライン(scribe line)と呼ばれ、概ね100μm以下である。削り取る幅が狭ければ狭いほど、また加工精度が高ければ高いほど、ウェハーを無駄なく使え利益に直結するため、高精度が求められる。 広義のダイシングでは、スクライブも含むことが多い。狭義のダイシングは、切断の工程そのものを指し、ダイシングブレード(ダイヤモンド製の円形回転刃が主流)を高速回転させ、純水で冷却・切削屑の洗い流しを行いながら切断する。.

新しい!!: 半導体工学とダイシング · 続きを見る »

分子線エピタキシー法

分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。.

新しい!!: 半導体工学と分子線エピタキシー法 · 続きを見る »

イオン注入

イオン注入(イオンちゅうにゅう、)は、物質のイオンを固体に注入する加工方法である。イオン注入は固体の特性を変化させる点で材料工学に属し、工業的には半導体の生産に使用され、金属の表面処理など様々な材料科学の研究などが行われている。イオン注入は、対象の物質と別の元素を注入することにより、物質に化学的変化を与えると同時に、物質の破損または破壊など、構造的な変化も与える。 一般的なイオン注入装置は、目的とする元素のイオンを発生させるイオン源、必要なイオンだけを取り出す質量分析器、イオンを電気的に加速する加速器、対象物であるターゲットを高真空状態とするチャンバーから成る。イオンは単一の元素が使われる。このため、ドーズ量と呼ばれる注入された物質の総量は、イオン電流の時間積分で与えられる。イオン注入によって与えられる電流は、μAで表されるほど小さい。 一般的なイオンの加速エネルギーは10-500keV(1,600-80,000aJ)の範囲で使用される。1-10keVの範囲でも使用することは可能だが、イオンが表面近くの数nm程度のところで停止するため実用的ではない。さらに対象物の損傷を小さくする場合は、イオンビーム成長が用いられる。また、通常の加速器ではさらに高い5MeV程度の加速エネルギーまで印加可能であるが、対象の損傷が大きく、また、深さ方向の分布も広がるため、実効的な変化量は小さくなる。 打ち込まれたイオンはイオンと対象物の種別の他に、加速器で与えられる運動エネルギーと対象物質と衝突散乱による運動量の喪失によってその飛程、つまり浸透して停止する深さが決まり、そのバラツキはほぼガウス分布に従う。イオンは対象物の原子との衝突、および電子軌道のオーバーラップによる効力などにより次第にエネルギーを失っていく。多くの場合、注入深さは10nmから1μm程度である。対象物の結晶原子の配列方向が打ち込み方向と同一の場合には、原子の間をトンネルのようにすり抜けるものが出るため、深さの制御が難しくなる。これを避けるため結晶方向からは少し傾けて打ち込まれる。イオン注入は対象物の表面付近で化学変化・構造変化が求められる場合に特に有効である。.

新しい!!: 半導体工学とイオン注入 · 続きを見る »

エレクトロルミネセンス

レクトロルミネセンス(Electroluminescence:EL)、あるいは電界発光(でんかいはっこう)とは主に半導体中において、電界を印加することによって得られるルミネセンスを指す。注入型と真性に区別される。 注入型ELは電界によって電子と正孔を注入し、その再結合によって発光をさせるものである。一方真性ELは電界によって加速した電子が何らかの発光中心に衝突し、その発光中心が励起されて発光するものである。 なお発光物が有機物か無機物かで区別され、前者は有機EL、後者は無機ELと呼ばれる。.

新しい!!: 半導体工学とエレクトロルミネセンス · 続きを見る »

エレクトロニクス用語一覧

レクトロニクス用語一覧(えれくとろにくすようごいちらん)とは、電気工学、電子工学、無線工学、電力、電子部品、半導体、デバイスなどに関する用語を五十音順に列挙した目次である。.

新しい!!: 半導体工学とエレクトロニクス用語一覧 · 続きを見る »

エッチング

ッチング(英: Etching)または食刻(しょっこく)とは、化学薬品などの腐食作用を利用した塑形ないし表面加工の技法。使用する素材表面の必要部分にのみ(防錆)レジスト処理を施し、腐食剤によって不要部分を溶解侵食・食刻することで目的形状のものを得る。 銅版による版画・印刷技法として発展してきた歴史が長いため、銅や亜鉛などの金属加工に用いられることが多いが、腐食性のあるものであれば様々な素材の塑形・表面加工に応用可能である。 金属の試験片をナイタール(エタノールと硝酸の混合液)などの腐食液によって表面を腐食することで、金属組織の観察や検査などに用いられている。.

新しい!!: 半導体工学とエッチング · 続きを見る »

エピタキシャル成長

ピタキシャル成長(英語:epitaxial growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。 エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在窒化ガリウム(GaN)はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。.

新しい!!: 半導体工学とエピタキシャル成長 · 続きを見る »

ショットキー接合

ョットキー接合(ショットキーせつごう、Schottky barrier junction)は、金属と半導体の間で整流作用を示す接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。.

新しい!!: 半導体工学とショットキー接合 · 続きを見る »

スパッタリング

パッタリング(Sputter deposition)は、.

新しい!!: 半導体工学とスパッタリング · 続きを見る »

スピンコート

ピンコートとは平滑な基材を高速回転させる事により遠心力で薄膜を構成する装置である。日本でも伝統的な陶磁器の製造工程で回転するろくろ上で釉薬を塗布する方法が伝えられている。 装置の名称はスピンコーター、或いは単純にスピナーとも呼ばれる。 回転速度が速いほど、生成される薄膜は薄くなる。中心と周辺で膜厚を均質にする必要がある。 スピンコートは半導体製造工程に於いて広範囲に使用されている。また、DVD、Blu-ray Discなど一部のディスク媒体においても、記録面に有機色素の記録層や保護膜生成のために使われることが多い。高品質の薄膜を能率よく生成する手段としてこれに勝る手段は無い。厚さ10ナノメートル以下も可能である。フォトリソグラフィー工程で使用されるフォトレジストの厚みは約1μmである。.

新しい!!: 半導体工学とスピンコート · 続きを見る »

ゼーベック効果

ーベック効果(ゼーベックこうか、Seebeck effect)は物体の温度差が電圧に直接変換される現象で、熱電効果の一種。逆に電圧を温度差に変換するペルティエ効果もある。類似の現象としてトムソン効果やジュール熱がある。ゼーベック効果を利用して温度を測定することができる(→熱電対)。ゼーベック効果、ペルティエ効果、トムソン効果は可逆であるが、ジュール熱はそうではない。 ゼーベック効果は、1821年にエストニアの物理学者トーマス・ゼーベックによって偶然発見された。ゼーベックは金属棒の内部に温度勾配があるとき、両端間に電圧が発生することに気づいた。 また、2 種類の金属からなるループの接点に温度差を設けると、近くに置いた方位磁針の針が振れることも発見した。これは2種類の金属が温度差に対して異なる反応をしたため、ループに電流が流れ、磁場を発生させたためである。.

新しい!!: 半導体工学とゼーベック効果 · 続きを見る »

ゾーンメルト法

ゾーンメルト法(英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。.

新しい!!: 半導体工学とゾーンメルト法 · 続きを見る »

光学顕微鏡

'''研究・実習用光学顕微鏡の例''' 1:接眼レンズ、2:レボルバ、3:対物レンズ、4:粗動ハンドル、5:微動ハンドル、6:ステージ、7:鏡、8:コンデンサ、9:プレパラート微動装置 '''1900年代初頭に用いられていた顕微鏡の模式図''' 1:接眼レンズ、2:レボルバ、3:対物レンズ、4:粗動ハンドル、5:微動ハンドル、6:ステージ、7:鏡、8:絞り 双眼実体顕微鏡(ズーム機構・写真撮影対応鏡筒つき) '''双眼顕微鏡の光学系'''A:対物レンズ、B:ガリレオ望遠鏡接眼側に凹レンズを用いて正立像を得る光学系、C:調整ハンドル、D:内部対物レンズ、E:プリズム、F:リレーレンズ、G:網線、H:接眼レンズ 光学顕微鏡(こうがくけんびきょう)は、可視光線および近傍の波長域の光を利用する、顕微鏡の一種。単に顕微鏡と言う場合、これを指す。.

新しい!!: 半導体工学と光学顕微鏡 · 続きを見る »

光起電力効果

光起電力効果(ひかりきでんりょくこうか、Photovoltaic effect)は、物質に光を照射することで起電力が発生する現象である。光電効果の一種にも分類される。.

新しい!!: 半導体工学と光起電力効果 · 続きを見る »

光電効果

光電効果(こうでんこうか、photoelectric effect)とは、外部光電効果と内部光電効果の総称である。単に光電効果という場合は外部光電効果を指す場合が多い。内部光電効果は光センサなどで広く利用される。光電効果そのものは特異な現象ではなく酸化物、硫化物その他無機化合物、有機化合物等に普遍的に起こる。.

新しい!!: 半導体工学と光電効果 · 続きを見る »

光電子分光

光電子分光(こうでんしぶんこう、photoemission spectroscopy)とは、固体に一定エネルギーの電磁波をあて、光電効果によって外に飛び出してきた電子(光電子とよばれる)のエネルギーを測定し、固体の電子状態を調べる方法である。 測定対象となる物質は主に金属や半導体であり、絶縁体はチャージアップの関係から測定には不向きである. カイ・シーグバーン (Kai M. Siegbahn) は高分解能光電子分光法の開発で1981年のノーベル物理学賞を受賞している。.

新しい!!: 半導体工学と光電子分光 · 続きを見る »

回路設計

回路設計(かいろせっけい)とは、回路の設計を行うこと。.

新しい!!: 半導体工学と回路設計 · 続きを見る »

CAD

CAD(キャド、computer-aided design)は、コンピュータ支援設計とも訳され、コンピュータを用いて設計をすること、あるいはコンピュータによる設計支援ツールのこと(CADシステム)。人の手によって行われていた設計作業をコンピュータによって支援し、効率を高めるという目的からきた言葉である。 CADを「コンピュータを用いた製図(システム)」と解する場合は「computer-assisted drafting」、「computer-assisted drawing」を指し、同義として扱われることもある。 設計対象や目的によりCADD()、CAID()、CAAD()などと区分される場合もある。 日本での定義としてはJIS B3401に記載があり、「製品の形状、その他の属性データからなるモデルを、コンピュータの内部に作成し解析・処理することによって進める設計」となっている。 3次元の作業の場合でも、数値の精密さの必要がないコンピュータゲームや映画やアニメーションなどの制作関係の事柄については「3DCG」を参照。.

新しい!!: 半導体工学とCAD · 続きを見る »

空乏層

乏層(くうぼうそう、depletion layer)とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。.

新しい!!: 半導体工学と空乏層 · 続きを見る »

物理気相成長

物理気相成長(ぶつりきそうせいちょう)または物理蒸着(英語:physical vapor deposition、略称:PVD)は、物質の表面に薄膜を形成する蒸着法のひとつで、気相中で物質の表面に物理的手法により目的とする物質の薄膜を堆積する方法である。切削工具や各種金型への表面処理や、半導体素子の製造工程に於て一般的に使用される。.

新しい!!: 半導体工学と物理気相成長 · 続きを見る »

DLTS

DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップとも呼ぶ)を測定する方法。容量の過渡応答を利用して禁制帯中のエネルギーと捕獲断面積が分かる。ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy)も同じ原理を利用した測定方法である。.

新しい!!: 半導体工学とDLTS · 続きを見る »

EDA

EDAとは.

新しい!!: 半導体工学とEDA · 続きを見る »

EDX

*エネルギー分散型X線分析(Energy Dispersive X-ray spectrometry).

新しい!!: 半導体工学とEDX · 続きを見る »

誘導結合プラズマ

誘導結合プラズマ(ゆうどうけつごうプラズマ、Inductively Coupled Plasma、略称:ICP)は、気体に高電圧をかけることによってプラズマ化させ、さらに高周波数の変動磁場によってそのプラズマ内部に渦電流によるジュール熱を発生させることによって得られる高温のプラズマである。誘導結合プラズマの温度は10000K程度、電子密度は約1017個/m3である。.

新しい!!: 半導体工学と誘導結合プラズマ · 続きを見る »

走査型プローブ顕微鏡

走査型プローブ顕微鏡 (そうさがたプローブけんびきょう、Scanning Probe Microscope; SPM) は、先端を尖らせた探針を用いて、物質の表面をなぞるように動かして表面状態を拡大観察する顕微鏡の種類である。 実際の例としては、表面を観察する際、微少な電流(トンネル電流)を利用する走査型トンネル顕微鏡(STM)、原子間力を利用する原子間力顕微鏡(AFM)をはじめ、数多くの種類がある。.

新しい!!: 半導体工学と走査型プローブ顕微鏡 · 続きを見る »

走査型電子顕微鏡

走査型電子顕微鏡(そうさがたでんしけんびきょう、Scanning Electron Microscope、SEM)は電子顕微鏡の一種である。電子線を絞って電子ビームとして対象に照射し、対象物から放出される二次電子、反射電子(後方散乱電子、BSE)、透過電子、X線、カソードルミネッセンス(蛍光)、内部起電力等を検出する事で対象を観察する。通常は二次電子像が利用される。透過電子を利用したものはSTEM(走査型透過電子顕微鏡)と呼ばれる。 TEMでは主にサンプルの内部、SEMでは主にサンプル表面の構造を微細に観察する。.

新しい!!: 半導体工学と走査型電子顕微鏡 · 続きを見る »

蒸着

蒸着(じょうちゃく、英語:vapor deposition)とは、金属や酸化物などを蒸発させて、素材の表面に付着させる表面処理あるいは薄膜を形成する方法の一種。蒸着は、物理蒸着(PVD)と化学蒸着(CVD)に大別される。ここでは主にPVDの一種である真空蒸着を解説する。.

新しい!!: 半導体工学と蒸着 · 続きを見る »

酸化

酸化(さんか、英:oxidation)とは、対象の物質が酸素と化合すること。 例えば、鉄がさびて酸化鉄になる場合、鉄の電子は酸素(O2)に移動しており、鉄は酸化されていることが分かる。 目的化学物質を酸化する為に使用する試薬、原料を酸化剤と呼ぶ。ただし、反応における酸化と還元との役割は物質間で相対的である為、一般的に酸化剤と呼ぶ物質であっても、実際に酸化剤として働くかどうかは、反応させる相手の物質による。.

新しい!!: 半導体工学と酸化 · 続きを見る »

蛍光X線

蛍光X線(けいこうXせん、X-ray Fluorescence、XRF)とは、元素に特有の一定以上のエネルギーをもつX線を照射することによって、その物質を構成する原子の内殻の電子が励起されて生じた空孔に、外殻の電子が遷移する際に放出される特性X線のこと。その波長は内殻と外殻のエネルギー差に対応する。.

新しい!!: 半導体工学と蛍光X線 · 続きを見る »

電子線マイクロアナライザ

電子線マイクロアナライザ(でんしせんマイクロアナライザ Electron Probe Micro Analyzer)または電子プローブ微小分析器、略称 EPMAとは電子線を対象物に照射する事により発生する特性X線の波長と強度から構成元素を分析する電子マイクロプローブ(EMP)装置の一つである。二次電子像や反射電子像による観察が主体の電子顕微鏡に特性X線検出器としてエネルギー分散型X線分析(EDS)を付加したもの(分析用のSEMやTEM、XMAなど)と比較して、EPMAは元素分析を主体としたものであり、特性X線検出器に波長分散型X線分析(WDS)を用いるために定量精度は良いが検出効率が悪く、より高い照射電流を必要とする。 10~30立方マイクロメータの試料があればWittry, David B. (1958).

新しい!!: 半導体工学と電子線マイクロアナライザ · 続きを見る »

電圧

電圧(でんあつ、voltage)とは直観的には電気を流そうとする「圧力のようなもの」である-->。単位としては, SI単位系(MKSA単位系)ではボルト(V)が使われる。電圧を意味する記号には、EやVがよく使われる。 電圧は電位差ないしその近似によって定義される。 電気の流れに付いては「電流」を参照の事。.

新しい!!: 半導体工学と電圧 · 続きを見る »

電気伝導率

電気伝導率(でんきでんどうりつ、electrical conductivity)とは、物質中における電気伝導のしやすさを表す物性量である。導電率(どうでんりつ)や電気伝導度(でんきでんどうど)とも呼ばれる。理学系では「電気伝導率」、工学系では「導電率」と呼ばれる傾向がある。また、『学術用語集』では「電気伝導率」が多く、次いで「電気伝導度」である。 農学分野において肥料濃度の目安として用いられるが、この場合は英語の頭文字をとり、「EC濃度」もしくは単に「EC」と呼ぶことが多い。 なお、英語の は電気伝導度と訳されることがあるが、標準的な用語はコンダクタンスである。 電気伝導率は物質ごとに値が異なる物性量である。金属の電気伝導率は非常に大きいが水晶などの絶縁体では電気伝導率は非常に小さい。例えば、金属である銀は銀の電気伝導率は であるが、ガラスでは S/m から S/m である。.

新しい!!: 半導体工学と電気伝導率 · 続きを見る »

電流

電流(でんりゅう、electric current電磁気学に議論を留める限りにおいては、単に と呼ぶことが多い。)は、電子に代表される荷電粒子他の荷電粒子にはイオンがある。また物質中の正孔は粒子的な性格を持つため、荷電粒子と見なすことができる。の移動に伴う電荷の移動(電気伝導)のこと、およびその物理量として、ある面を単位時間に通過する電荷の量のことである。 電線などの金属導体内を流れる電流のように、多くの場合で電流を構成している荷電粒子は電子であるが、電子の流れは電流と逆向きであり、直感に反するものとなっている。電流の向きは正の電荷が流れる向きとして定義されており、負の電荷を帯びる電子の流れる向きは電流の向きと逆になる。これは電子の詳細が知られるようになったのが19世紀の末から20世紀初頭にかけての出来事であり、導電現象の研究は18世紀の末から進んでいたためで、電流の向きの定義を逆転させることに伴う混乱を避けるために現在でも直感に反する定義が使われ続けている。 電流における電荷を担っているのは電子と陽子である。電線などの電気伝導体では電子であり、電解液ではイオン(電子が過不足した粒子)であり、プラズマでは両方である。 国際単位系 (SI) において、電流の大きさを表す単位はアンペアであり、単位記号は A であるアンペアはSI基本単位の1つである。。また、1アンペアの電流で1秒間に運ばれる電荷が1クーロンとなる。SI において電荷の単位を電流と時間の単位によって構成しているのは、電荷より電流の測定の方が容易なためである。電流は電流計を使って測定する。数式中で電流量を表すときは または で表現される。.

新しい!!: 半導体工学と電流 · 続きを見る »

集束イオンビーム

集束イオンビーム(FIB,Focused Ion Beam)は、イオンを電界で加速したビームを細く絞ったものである。 集束イオンビームは、微細加工、蒸着、観察などの用途に用いられる。.

新しい!!: 半導体工学と集束イオンビーム · 続きを見る »

透過型電子顕微鏡

透過型電子顕微鏡(とうかがたでんしけんびきょう、Transmission Electron Microscope; TEM)とは、電子顕微鏡の一種である。観察対象に電子線をあて、透過してきた電子線の強弱から観察対象内の電子透過率の空間分布を観察するタイプの電子顕微鏡のこと。また、電子の波動性を利用し、試料内での電子の回折の結果生じる干渉像から観察対象物の構造を観察する場合もある。物理学、化学、工学、生物学、医学などで幅広く用いられている。.

新しい!!: 半導体工学と透過型電子顕微鏡 · 続きを見る »

Pn接合

pn接合(ぴーえぬせつごう、pn junction)とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。.

新しい!!: 半導体工学とPn接合 · 続きを見る »

TCAD

TCAD(Technology CAD,ティーキャド)は、プロセスシミュレータとデバイスシミュレータと回路シミュレータを統合したもの。回路シミュレータを除いて、プロセス・デバイスシミュレータの統合の場合もある。 通常、10日から数ヶ月かかる半導体プロセスを、計算機上でシミュレートし、目的の条件を示す半導体素子の構造とその作成条件の最適化を行なう技術のことである。.

新しい!!: 半導体工学とTCAD · 続きを見る »

X線回折

X線回折(エックスせんかいせつ、、XRD)は、X線が結晶格子で回折を示す現象である。 1912年にドイツのマックス・フォン・ラウエがこの現象を発見し、X線の正体が波長の短い電磁波であることを明らかにした。 逆にこの現象を利用して物質の結晶構造を調べることが可能である。このようにX線の回折の結果を解析して結晶内部で原子がどのように配列しているかを決定する手法をX線結晶構造解析あるいはX線回折法という。しばしばこれをX線回折と略して呼ぶ。他に同じように回折現象を利用する結晶構造解析の手法として、電子回折法や中性子回折法がある。.

新しい!!: 半導体工学とX線回折 · 続きを見る »

拡散

拡散(かくさん、独、英、仏: Diffusion) とは、粒子、熱、運動量などが自発的に散らばり広がる物理現象である。この現象は着色した水を無色の水に滴下したとき、煙が空気中に広がるときなど、日常よく見られる。これらは、化学反応や外力ではなく、流体の乱雑な運動の結果として起こるものである。.

新しい!!: 半導体工学と拡散 · 続きを見る »

出ていきます入ってきます
ヘイ!私たちは今、Facebook上です! »