ブラウザよりも高速アクセス！
142 関係: 励起状態、ほとんど自由な電子、半導体素子、半金属 (バンド理論)、合金接合型トランジスタ、塩化銀(I)、太陽電池、小林正次、岩波書店、不純物半導体、伝導帯、伝導電子、価電子、価電子帯、復調、信頼性工学、化合物半導体、マイクロ波、マイケル・ファラデー、ハイテク、バンドギャップ、バンド理論、バンド構造、バイポーラトランジスタ、ムーアの法則、リン化インジウム、リン化ガリウム、レーダー、レニングラード包囲戦、ロバート・ノイス、ボーア半径、トランジスタ、トンネルダイオード、トーマス・ゼーベック、プレーナー型トランジスタ、ヒ化ガリウム、ヒ素、テキサス・インスツルメンツ、フランス、フェルミエネルギー、フェルミ準位、フェルディナント・ブラウン、フェアチャイルドセミコンダクター、ドープ、ドーパント、ホール効果、ホウ素、ダイヤモンド、ダイオード、ベル研究所、...、分子構造、アレクサンドル・エドモン・ベクレル、アレクサンダー・グラハム・ベル、アーサー・シュスター、イオン、ウィリアム・ショックレー、ウェスティングハウス、ウェスタン・エレクトリック、ウォルター・ブラッテン、エネルギー、エドウィン・ホール、オレク・ロシェフ、オームの法則、オーム社、ケイ素、ゲルマニウム、ジャック・キルビー、ジャガディッシュ・チャンドラ・ボース、ジョン・バーディーン、ジョゼフ・ジョン・トムソン、セレン、セレン化亜鉛、ゼログラフィ、ゼーベック効果、ゾーンメルト法、光、光無線通信、光電効果、固体物理学、硫化カドミウム、硫化銀(I)、硫化鉛(II)、磁場、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、米、真空管、真性半導体、統計的仮説検定、絶縁体、炭化ケイ素、点接触型トランジスタ、産業技術総合研究所、無線と実験、熱、物質、発光ダイオード、白金、遮断周波数、誠文堂新光社、負性抵抗、露出計、航空機、船、赤外線、酸化亜鉛、酸化銅、鉱石ラジオ、鉱石検波器、電子、電子工学、電子ボルト、電子情報技術産業協会、電圧、電界効果トランジスタ、電話、電気伝導、電気伝導体、電気通信研究所、電流、集積回路、逓信省、II-VI族半導体、III-V族半導体、MOSFET、N型半導体、P型半導体、Pn接合、東京工業大学、東芝、格子欠陥、正孔、江崎玲於奈、波数、渡辺寧、有機半導体、成長接合型トランジスタ、方鉛鉱、日立、日本電気、放射線、整流器。 インデックスを展開 (92 もっと) »
励起状態
励起状態（れいきじょうたい、excited state）とは、量子力学において系のハミルトニアンの固有状態のうち、基底状態でない状態のこと。.
ほとんど自由な電子
ほとんど自由な電子（ほとんどじゆうなでんし、nearly-free electron、NFE）とは、金属中の電子のバンド構造を考えるときに用いられる近似法の一種である。自由電子に対し、非常に弱い周期的なポテンシャルによる摂動を考える。この近似法は典型金属元素によくあてはまる。これと対照的な近似法に強束縛近似がある。.
新しい！!: 半導体とほとんど自由な電子 · 続きを見る »
半導体素子
ここでは半導体素子（はんどうたいそし）や半導体部品（-ぶひん）（英:semiconductor device） セミコンダクター・デバイスについて解説する。.
半金属 (バンド理論)
バンド理論における半金属（semimetal）とは、伝導帯の下部と価電子帯の上部がフェルミ準位をまたいでわずかに重なり合ったバンド構造を有する物質のことである。このエネルギーバンドの重なりは、結晶構造の歪みや結晶の層の間にはたらく相互作用などによって形成される。代表的な半金属としてビスマスが挙げられ、テルル化水銀のような化合物も含まれる。半金属は電荷のキャリアーが少なく、その有効質量は小さく移動度は大きい。また、熱伝導率が低い、状態密度を有する、誘電率が大きい、g因子が高い、反磁性磁化率が高いなどの特性を有している。元素の分類における半金属とは同じ名称であるが異なる概念である。.
新しい！!: 半導体と半金属 (バンド理論) · 続きを見る »
合金接合型トランジスタ
合金接合型トランジスタ（ごうきんせつごうがたトランジスタ）は、トランジスタの一形式。.
新しい！!: 半導体と合金接合型トランジスタ · 続きを見る »
塩化銀(I)
塩化銀(I)（えんかぎん いち、silver(I) chloride）は、化学式が AgCl と表される銀の塩化物である。通常、単に「塩化銀」と言った場合はこの塩化銀(I)を指す。天然には角銀鉱という鉱物として産する。.
新しい！!: 半導体と塩化銀(I) · 続きを見る »
太陽電池
単結晶シリコン型太陽電池 太陽電池（たいようでんち、Solar cell）は、光起電力効果を利用し、光エネルギーを電力に変換する電力機器である。光電池（こうでんち、ひかりでんち）とも呼ばれる。一般的な一次電池や二次電池のように電力を蓄える蓄電池ではなく、光起電力効果によって光を即時に電力に変換して出力する発電機である。タイプとしては、シリコン太陽電池の他、様々な化合物半導体などを素材にしたものが実用化されている。色素増感型（有機太陽電池）と呼ばれる太陽電池も研究されている。 太陽電池（セル）を複数枚直並列接続して必要な電圧と電流を得られるようにしたパネル状の製品単体は、ソーラーパネルまたはソーラーモジュールと呼ばれる。モジュールをさらに複数直並列接続して必要となる電力が得られるように設置したものは、ソーラーアレイと呼ばれる。.
小林正次
小林 正次（こばやし まさつぐ、1902年8月16日 - 1975年10月31日）は、日本の技術者、工学博士。元日本電気（NEC）専務取締役。元慶應義塾大学工学部教授。.
岩波書店
株式会社岩波書店（いわなみしょてん、Iwanami Shoten, Publishers. ）は、日本の出版社。.
不純物半導体
不純物半導体（ふじゅんぶつはんどうたい）は半導体の一種。外因性半導体（がいいんせいはんどうたい）とも言う。純粋な真性半導体に不純物（ドーパント）を微量添加（ドーピング）したものである。ドーピングする元素により、キャリアがホール（正孔）のP型半導体、キャリアが電子のN型半導体が得られる。キャリアの種類は不純物元素の最外殻電子の数に依存する場合が多く、最外殻電子が4より大きい時はN型半導体、最外殻電子が4より小さい場合はP型半導体になることが多い。 半導体の一種であるケイ素を例に取ると、ヒ素、リンの場合がN型半導体、ホウ素の場合がP型半導体になる。 不純物という用語はネガティブな意味でなく、不純物を添加したものという意で用いられている。.
新しい！!: 半導体と不純物半導体 · 続きを見る »
伝導帯
伝導帯(でんどうたい、Conduction band)は、バンドギャップのある系において、バンドギャップの直上にある、空のバンドのこと。バンドギャップのない場合にも、価電子帯、伝導帯の区別ができる場合がある（例：半金属）。しかし、純然たる金属のバンドにおいては、価電子帯、伝導帯の区別が判然としない（区別できない）場合もある。.
伝導電子
伝導電子（でんどうでんし、conduction electron）とは、物質（主に金属）において、電気伝導を担う電子のこと。 半導体において、伝導帯にある電子のことも伝導電子と呼ぶ（半導体において単に「電子」と言う場合、多くは伝導電子の意味になる）。価電子帯に存在する電子が、ある温度においては、絶対温度とボルツマン定数の積に値するエネルギーを受ける。このエネルギーがバンドギャップより大きい場合、価電子帯上端付近の電子が伝導帯へと励起され、この電子が伝導電子として振舞うことになる。金属においては、フェルミ準位が伝導帯内に存在するため、この熱的励起のエネルギーが非常に小さくともフェルミ準位以上のエネルギー帯域に電子が存在することになる。強く束縛を受けない伝導電子を自由電子と呼ぶ。 固体中の伝導電子は原子のポテンシャルによってある程度の束縛を受ける。真空中における自由電子は任意のエネルギーを持てるのに対し、結晶中の電子では、その結晶周期性に起因して、運動量（波数）に制限が生じるため、ブリュアンゾーンが生じ、またバンド構造を取る。 しかし電子に部分的に占有されているエネルギーバンドにある電子は自由電子的に振る舞い、格子振動（フォノン）との相互作用などを示すほか、エネルギー準位の占有確率はフェルミ統計に従う。半導体の場合、伝導帯の底付近の電子は、本来の電子の質量とは異なる有効質量を持つ自由電子のように振る舞う。.
価電子
価電子（かでんし、valence electron）とは、原子内の最外殻の電子殻をまわっている電子のことである。原子価電子（げんしかでんし）ともいう。ただし、最外殻電子がちょうどその電子殻の最大収容数の場合、または最外殻電子が8個の場合、価電子の数は0とする。 原子が化合物や結晶等を構成する際に、それらの化学結合や物性は、その原子内の核外電子が深く関わる。原子内の電子軌道を回る電子には、化学結合や物性に深く関わるものと、ほとんど関係しないものがある。化学結合や物性に関わる電子は、原子内の最外殻など外側を回っている。これらが価電子と言われる。逆に、原子核に近い軌道にある電子（内殻電子）は、通常の物性や化学結合に寄与することはほとんどない（が、例外も存在する）。 固体の絶縁体や半導体における価電子帯を占める電子を指すこともある。固体の金属においては、伝導電子（自由電子）に相当する。 典型元素の価電子は、その元素より原子番号の小さい最初の希ガス原子の核外電子の軌道より外側の軌道を回るものがなる。ただし、典型元素でも、ガリウムの3d軌道のように、比較的浅い内殻電子は、価電子的な振る舞いをし物性や化学結合に寄与する場合がある。例えば、窒化ガリウムでは、化合物の構成に関与している。また、遷移元素では、価電子は最外殻電子を意味していないため、特定の価電子を持っていないと言える。特にf電子をもつ元素では、価電子の定義は必ずしもこのようにはならない場合が少なくない。.
価電子帯
金属、および半導体・絶縁体のバンド構造の簡単な模式図 価電子帯（かでんしたい、valence band）とは、絶縁体や半導体において、価電子によって満たされたエネルギーバンドのこと。荷電子帯とも表記される。 絶対零度において「電子を含む一番エネルギーの高いバンド」が完全に電子で満たされている場合、これを狭義の充満帯 (filled band) と呼ぶ。これは絶縁体や半導体にのみ存在する。特に共有結合型結晶の充満帯を、価電子帯と呼ぶ。価電子帯の頂上から伝導帯の底までのギャップが、バンドギャップである。半導体や絶縁体においては、バンドギャップ中にフェルミ準位が存在する。 金属では価電子を含むバンドに空き準位がある（バンド中にフェルミ準位がある）ため、価電子がそのまま伝導電子（自由電子）となる。これに対し、半導体や絶縁体においては通常、価電子にバンドギャップを超えるエネルギーを与えて価電子帯から伝導帯へ励起することで、初めて伝導電子を得られる。完全に電子で占有された価電子帯では、電流は流れない。 なお広義には、電子で満たされた全てのエネルギーバンドを充満帯と呼ぶ。 Category:電子 Category:電子状態 Category:半導体.
復調
復調（ふくちょう）とは、電気技術用語で、変調信号が伝送されてきたとき、それからもとの信号波を復元することである。変調の対義語である。各変調方式に対応して復調が行われる。 特に電波に関しては検波（けんぱ）ともいう（復調という語は無線有線を問わず、任意の方式の変調を元に戻すことを指す語である）。本来の語義としては、電波の断続（不存在か存在か）を検出することに限定した語が「検波」と考えられるが、歴史的な理由で、モールス符号のようないわゆるCW（電波型式でA1A）においてコヒーラによる検波が復調であったものが、そのまま任意の変調方式における復調を指すものとして流用され、専ら下記の方式名のごとく「-検波」と呼ばれる。 英単語demodulationであるため、ブロック図（系統図）等で「DEM」または「DEMO」等と略記される場合がある。「モデム」（modem）の「デム」（-dem）の由来である。.
信頼性工学
信頼性工学（しんらいせいこうがく、英語：reliability engineering）とは、システムの信頼性を分析する工学手法である。.
化合物半導体
化合物半導体（かごうぶつはんどうたい、英：Compound Semiconductor）とは、2つ以上の原子がイオン結合により結合してできる半導体である。一般的に、イオン結合は陽イオンと陰イオンとの強い静電引力によって絶縁体となる。しかし、陽イオンと陰イオンの組み合わせによっては、静電引力が弱く、半導体となる。この時、結晶構造は閃亜鉛鉱型やウルツ鉱型となる。化合物半導体となる元素の組み合わせは代表的なものにIII族とV族元素、II族とVI族元素があり、それぞれIII-V族半導体、II-VI族半導体と呼ばれている。.
新しい！!: 半導体と化合物半導体 · 続きを見る »
マイクロ波
マイクロ波（マイクロは、Microwave）は、電波の周波数による分類の一つである。「マイクロ」は、電波の中で最も短い波長域であることを意味する。.
マイケル・ファラデー
マイケル・ファラデー（Michael Faraday, 1791年9月22日 - 1867年8月25日）は、イギリスの化学者・物理学者（あるいは当時の呼称では自然哲学者）で、電磁気学および電気化学の分野での貢献で知られている。 直流電流を流した電気伝導体の周囲の磁場を研究し、物理学における電磁場の基礎理論を確立。それを後にジェームズ・クラーク・マクスウェルが発展させた。同様に電磁誘導の法則、反磁性、電気分解の法則などを発見。磁性が光線に影響を与えること、2つの現象が根底で関連していることを明らかにした entry at the 1911 Encyclopaedia Britannica hosted by LovetoKnow Retrieved January 2007.
新しい！!: 半導体とマイケル・ファラデー · 続きを見る »
ハイテク
ハイテクは、ハイ・テクノロジー（High-Technology）の略で、先端分野の技術体系（先端技術）を指し、主に電子回路や情報処理に関連する、応用技術体系を指す。.
バンドギャップ
バンドギャップ（Band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は半導体素子において積極的に利用されている。 半導体のバンド構造の模式図。Eは電子の持つエネルギー、kは波数。Egが'''バンドギャップ'''。半導体（や絶縁体）では「絶対零度で電子が入っている一番上のエネルギーバンド」が電子で満たされており（価電子帯）、その上に禁制帯を隔てて空帯がある（伝導帯）。 金属、および半導体・絶縁体のバンド構造の簡単な模式図(k空間無視) バンドギャップを表現する図は、E-k空間においてバンドギャップ周辺だけに着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。.
新しい！!: 半導体とバンドギャップ · 続きを見る »
バンド理論
固体物理学における固体のバンド理論（バンドりろん、band theory）または帯理論とは、結晶などの固体物質中に分布する電子の量子力学的なエネルギーレベルに関する理論を言う。1920年代後半にフェリックス・ブロッホ、ルドルフ・パイエルス、レオン・ブリルアンらによって確立された。.
バンド構造
バンド構造（バンドこうぞう、band structure）は、ポテンシャルや誘電率などの周期的構造によって生じる、波動（電子や電磁波など）に対する分散関係のことである。; 電子バンド構造; フォトニックバンド構造 他にも、フォノニックバンド構造やプラズモニックバンド構造などがある。 ---- 電子バンド構造（でんしバンドこうぞう、electronic band structure）は、結晶などの固体の中で、波として振舞う電子（価電子）に対するバンド構造のことである。.
バイポーラトランジスタ
代表的な小信号用バイポーラトランジスタ2SC1815 バイポーラトランジスタ（Bipolar transistor）、またはバイポーラジャンクショントランジスタ（英: Bipolar junction transistor; BJT）は、トランジスタの一種である。N型とP型の半導体がP-N-PまたはN-P-Nの接合構造を持つ3端子の半導体で、電流増幅・スイッチング機能を持つ。電界効果トランジスタなどのユニポーラトランジスタと異なり、正・負両極のキャリアをもつためバイポーラと呼ばれる。 バイポーラトランジスタという呼び名（区分名称）は後に電界効果トランジスタが登場したことによるレトロニムであるが、その経緯通り最初に広く使われたトランジスタであったため、単にトランジスタと言えばバイポーラトランジスタを指すことが多い。.
新しい！!: 半導体とバイポーラトランジスタ · 続きを見る »
ムーアの法則
インテル製プロセッサのトランジスタ数の成長（各点）とムーアの法則（上線.
新しい！!: 半導体とムーアの法則 · 続きを見る »
リン化インジウム
リン化インジウム（リンかインジウム、indium(III) phosphide）、別名インジウム燐（インジウムりん）はインジウムとリンの化合物。IUPAC名はリン化インジウム(III).
新しい！!: 半導体とリン化インジウム · 続きを見る »
リン化ガリウム
リン化ガリウム（リンかガリウム、GaP、gallium phosphide）は、ガリウムのリン化物で、2.26 eV（300 K）の間接バンドギャップを持つ化合物半導体である。.
新しい！!: 半導体とリン化ガリウム · 続きを見る »
レーダー
レーダー用パラボラアンテナ（直径40m） レーダー（Radar）とは、電波を対象物に向けて発射し、その反射波を測定することにより、対象物までの距離や方向を測る装置である。.
レニングラード包囲戦
レニングラード包囲戦（レニングラードほういせん、ロシア語:Блокада Ленинграда ブラカーダ・リニングラーダ、1941年9月8日 - 1944年1月18日）は、第二次世界大戦の独ソ戦における戦闘のひとつ。 ドイツ軍はソビエト連邦第2の大都市レニングラード（現・サンクトペテルブルク）を900日近くにわたって包囲したが、レニングラードは包囲に耐え抜き、後にスターリンによって英雄都市の称号が与えられた。飢餓や砲爆撃によって、ソ連政府の発表によれば67万人、一説によれば100万人以上の市民が死亡した。これは日本本土における民間人の戦災死者数の合計（東京大空襲、沖縄戦、広島・長崎を含む全て）を上回る。 この間、レニングラードの最高指導者はレニングラード党委員会第一書記の地位にあり、スターリンの後継者の有力候補の一人と目されていたジダーノフであった。.
新しい！!: 半導体とレニングラード包囲戦 · 続きを見る »
ロバート・ノイス
バート・ノートン・ノイス（Robert Norton Noyce, 1927年12月12日 - 1990年6月3日）は、フェアチャイルドセミコンダクター（1957年創業）とインテル（1968年）の共同創業者の1人であり、the Mayor of Silicon Valley（シリコンバレーの主）とあだ名された人物。ジャック・キルビーと並んで集積回路を発明したことでも知られているLécuyer, Christophe.
新しい！!: 半導体とロバート・ノイス · 続きを見る »
ボーア半径
ボーア半径（ボーアはんけい、Bohr radius）は、原子、電子のようなミクロなスケールを扱う分野（量子論、原子物理学、量子化学など）で用いられる原子単位系において、長さの単位となる物理定数である。名称はデンマークの原子物理学者ニールス・ボーアに由来する。記号は一般に や で表される。 ボーア半径の値は である（2014 CODATA推奨値CODATA Value）。 ボーア半径はボーアの原子模型において、基底状態にある水素原子の半径で定義され、国際量体系（ISQ）においては と表される。 ここで、 はプランク定数（ディラック定数）、 は真空中の光速度、 は微細構造定数、 は電気素量、 は真空の誘電率、 は電子の質量である。 ガウス単位系は異なる量体系に基づいているので と表される。 原子単位系においては と表される。.
トランジスタ
1947年12月23日に発明された最初のトランジスタ（複製品） パッケージのトランジスタ トランジスタ（transistor）は、増幅、またはスイッチ動作をさせる半導体素子で、近代の電子工学における主力素子である。transfer（伝達）とresistor（抵抗）を組み合わせたかばん語である。によって1948年に名づけられた。「変化する抵抗を通じての信号変換器transfer of a signal through a varister または transit resistor」からの造語との説もある。 通称として「石」がある（真空管を「球」と通称したことに呼応する）。たとえばトランジスタラジオなどでは、使用しているトランジスタの数を数えて、6石ラジオ（6つのトランジスタを使ったラジオ）のように言う場合がある。 デジタル回路ではトランジスタが電子的なスイッチとして使われ、半導体メモリ・マイクロプロセッサ・その他の論理回路で利用されている。ただ、集積回路の普及に伴い、単体のトランジスタがデジタル回路における論理素子として利用されることはほとんどなくなった。一方、アナログ回路中では、トランジスタは基本的に増幅器として使われている。 トランジスタは、ゲルマニウムまたはシリコンの結晶を利用して作られることが一般的である。そのほか、ヒ化ガリウム (GaAs) などの化合物を材料としたものは化合物半導体トランジスタと呼ばれ、特に超高周波用デバイスとして広く利用されている（衛星放送チューナーなど）。.
新しい！!: 半導体とトランジスタ · 続きを見る »
トンネルダイオード
トンネルダイオードを表す回路記号トンネルダイオード（tunnel diode）または江崎ダイオード（Esaki diode）は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。.
新しい！!: 半導体とトンネルダイオード · 続きを見る »
トーマス・ゼーベック
トーマス・ヨハン・ゼーベック（Thomas Johann Seebeck, 1770年4月9日 - 1831年12月10日）は、ドイツの物理学者、医師。1821年にゼーベック効果を発見した。.
新しい！!: 半導体とトーマス・ゼーベック · 続きを見る »
プレーナー型トランジスタ
プレーナー型トランジスタの内部構造中心がベースでその外側がエミッタで外周はコレクタ プレーナー型トランジスタ（プレーナーがたトランジスタ）は、現在主流のトランジスタの形式。.
新しい！!: 半導体とプレーナー型トランジスタ · 続きを見る »
ヒ化ガリウム
ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）という、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。.
新しい！!: 半導体とヒ化ガリウム · 続きを見る »
ヒ素
ヒ素（砒素、ヒそ、arsenic、arsenicum）は、原子番号33の元素。元素記号は As。第15族元素（窒素族元素）の一つ。 最も安定で金属光沢があるため金属ヒ素とも呼ばれる「灰色ヒ素」、ニンニク臭があり透明なロウ状の柔らかい「黄色ヒ素」、黒リンと同じ構造を持つ「黒色ヒ素」の3つの同素体が存在する。灰色ヒ素は1気圧下において615 で昇華する。 ファンデルワールス半径や電気陰性度等さまざまな点でリンに似た物理化学的性質を示し、それが生物への毒性の由来になっている。.
テキサス・インスツルメンツ
テキサス・インスツルメンツのカリフォルニア支店 テキサス・インスツルメンツ（Texas Instruments Inc.、）は、世界的な半導体開発・製造企業。本社はアメリカ・テキサス州ダラス。略称は「TI」。.
新しい！!: 半導体とテキサス・インスツルメンツ · 続きを見る »
フランス
フランス共和国（フランスきょうわこく、République française）、通称フランス（France）は、西ヨーロッパの領土並びに複数の海外地域および領土から成る単一主権国家である。フランス・メトロポリテーヌ（本土）は地中海からイギリス海峡および北海へ、ライン川から大西洋へと広がる。 2、人口は6,6600000人である。-->.
フェルミエネルギー
量子力学や物性物理学においてフェルミエネルギー (Fermi energy)あるいフェルミ準位（Fermi level）とは、相互作用のないフェルミ粒子系（理想フェルミ気体）の絶対零度での化学ポテンシャルのことであり、E_Fと表される。 また理想フェルミ気体の化学ポテンシャルを、絶対零度では「フェルミエネルギー」、有限温度では「フェルミ準位」と区別して呼ぶこともある。このように定義した場合、絶対零度でフェルミ準位とフェルミエネルギーは等しくなる。.
新しい！!: 半導体とフェルミエネルギー · 続きを見る »
フェルミ準位
フェルミ準位とは電子の全化学ポテンシャル（または電子の電気化学ポテンシャル）のことで、通常 または と表記される。物質のフェルミ準位は熱力学的な量であり、その意味は1つの電子を物質に与えるのに必要な熱力学的仕事である（電子を取り除くのに必要な仕事は考慮していない）。 バンド構造が電子的性質の決定にどのように関係しているか、電子回路において電圧と電荷の流れがどのように関係しているか、といったフェルミ準位の正確な理解は、固体物理学の理解に本質的である。固体のエネルギー準位を解析するために固体物理学で用いられるバンド構造理論においてフェルミ準位は、電子の仮想的なエネルギー準位だと考えることができ、熱力学的平衡においてこのエネルギー準位は「いかなる時間でも占有されている確率が50%」である。バンドエネルギー準位に関連するフェルミ準位の位置は、電子特性を決める重要な因子である。フェルミ準位は現実のエネルギー準位に必ずしも対応しておらず（絶縁体でのフェルミ準位はバンドギャップの中にある）、バンド構造の存在も必要としない。それにも関わらず、フェルミ準位は厳密に定義された熱力学的な量であり、フェルミ準位の差は電圧計で簡単に測定することができる。.
新しい！!: 半導体とフェルミ準位 · 続きを見る »
フェルディナント・ブラウン
1900年9月24日、無線実験局にて カール・フェルディナント・ブラウン（Karl Ferdinand Braun、1850年6月6日‐1918年4月20日）は、ドイツの物理学者、発明家。電位計やオシログラフ、そしてブラウン管の発明など電磁気学および無線通信の分野に多大な業績を残した。1909年には、ノーベル物理学賞をグリエルモ・マルコーニと共に受賞している。.
新しい！!: 半導体とフェルディナント・ブラウン · 続きを見る »
フェアチャイルドセミコンダクター
フェアチャイルドセミコンダクター (Fairchild Semiconductor International, Inc.) は、かつて存在したアメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。2016年にオン・セミコンダクターによって買収された。.
新しい！!: 半導体とフェアチャイルドセミコンダクター · 続きを見る »
ドープ
ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。 特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔（キャリア）の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するのに用いる。 添加する不純物をドーパントと呼ぶ。半導体の場合、キャリアとして電子を供給するドーパントをドナー、正孔を供給するドーパントをアクセプタと呼ぶ。.
ドーパント
ドーパント（）とは、半導体にドーピングされる不純物のこと。元素によりドナーもしくはアクセプター、あるいは、深い準位となる。このドーパントの注入により、N型半導体もしくはP型半導体の作成が可能である。.
ホール効果
ホール効果（ホールこうか、Hall effect）とは、電流の流れているものに対し、電流に垂直に磁場をかけると、電流と磁場の両方に直交する方向に起電力が現れる現象。主に半導体素子で応用される。1879年、米国の物理学者エドウィン・ホール（Edwin Herbert Hall, 1855-1938）によって発見されたことから、このように呼ばれる。.
ホウ素
ホウ素（ホウそ、硼素、boron、borium）は、原子番号 5、原子量 10.81、元素記号 B で表される元素である。高融点かつ高沸点な硬くて脆い固体であり、金属元素と非金属元素の中間の性質を示す（半金属）。1808年にゲイ.
ダイヤモンド
ダイヤモンド（ ）は、炭素 (C) の同素体の1つであり、実験で確かめられている中では天然で最も硬い物質である。日本語で金剛石（こんごうせき）ともいう。ダイヤとも略される。結晶構造は多くが8面体で、12面体や6面体もある。宝石や研磨材として利用されている。ダイヤモンドの結晶の原子に不対電子が存在しないため、電気を通さない。 地球内部の非常に高温高圧な環境で生成されるダイヤモンドは定まった形で産出されず、また、角ばっているわけではないが、そのカットされた宝飾品の形から、菱形、トランプの絵柄（スート）、野球の内野、記号（◇）を指してダイヤモンドとも言われている。 ダイヤモンドという名前は、ギリシア語の （adámas 征服し得ない、屈しない）に由来する。イタリア語・スペイン語・ポルトガル語では diamánte（ディアマンテ）、フランス語では （ディアマン）、ポーランド語では （ディヤメント）、漢語表現では金剛石という。ロシア語では （ヂヤマント）というよりは （アルマース）という方が普通であるが、これは特に磨かれていないダイヤモンド原石のことを指す場合がある。磨かれたものについては （ブリリヤント）で総称されるのが普通。4月の誕生石である。石言葉は「永遠の絆・純潔・不屈」など。.
新しい！!: 半導体とダイヤモンド · 続きを見る »
ダイオード
図1：ダイオードの拡大図正方形を形成しているのが半導体の結晶を示す 図2：様々な半導体ダイオード。下部:ブリッジダイオード 図3：真空管ダイオードの構造 図4 ダイオード（英: diode）は整流作用（電流を一定方向にしか流さない作用）を持つ電子素子である。最初のダイオードは2極真空管で、後に半導体素子である半導体ダイオードが開発された。今日では単にダイオードと言えば、通常、半導体ダイオードを指す。 1919年、イギリスの物理学者 William Henry Eccles がギリシア語の di.
ベル研究所
ベル研究所（ベルけんきゅうじょ、Bell Laboratories）はもともとBell System社の研究開発部門として設立された研究所であり、現在はノキアの子会社である。「ベル電話研究所」、略して「ベル研」とも。.
分子構造
分子構造（ぶんしこうぞう、molecular structure、molecular geometry）とは、分子の幾何学的構造をいい、例えば原子間距離や配向などをさす。分子構造を調べるには、主に回折法と分光法が用いられる。.
アレクサンドル・エドモン・ベクレル
アレクサンドル・エドモン・ベクレル（Alexandre Edmont Becquerel, 1820年3月24日 - 1891年5月11日）はフランス・パリ出身の物理学者。父は物理学者のアントワーヌ・セザール・ベクレル。アンリ・ベクレルは彼の息子である。 1853年からフランス国立工芸院で物理学の教授を務めた。太陽放射、電気などの研究を行った。.
新しい！!: 半導体とアレクサンドル・エドモン・ベクレル · 続きを見る »
アレクサンダー・グラハム・ベル
アレクサンダー・グラハム・ベル（Alexander Graham Bell、1847年3月3日 - 1922年8月2日）は、スコットランド生まれの科学者、発明家、工学者。世界初の実用的電話の発明で知られている。 ベルの祖父、父、兄弟は弁論術とスピーチに関連した仕事をし、母と妻は聾だった。このことはベルのライフワークに深く影響している。聴覚とスピーチに関する研究から聴覚機器の実験を行い、ついに最初のアメリカ合衆国の特許を取得した電話の発明（1876年）として結実した。後にベルは彼の最も有名な発明が科学者としての本当の仕事には余計なものだったと考え、書斎に電話機を置くことを断わった。 その後も様々な発明をしており、光無線通信、水中翼船、航空工学などの分野で重要な業績を残した。1888年にはナショナルジオグラフィック協会創設に関わった。その生涯を通じて科学振興および聾者教育に尽力し、人類の歴史上最も影響を及ぼした人物の1人とされることもある。 ベルが会長（在職期間：1896年 - 1904年）を務めたナショナルジオグラフィック協会の月刊誌である『ナショナル ジオグラフィック』日本版（日経ナショナル ジオグラフィック社）では「アレクサンダー・グラハム・ベル」としているため、本記事ではこれに従うが、表記発音については脚注参照アレグザンダー・グレアム・ベルなどとも表記する。ファーストネームよりもミドルネームのほうが知られており、グラハム・ベル、またはグレアム・ベルと呼ばれることも多い。なお、原音に比較的近い表記はアレグザンダ・グレイアム・ベル（ ）である。。.
新しい！!: 半導体とアレクサンダー・グラハム・ベル · 続きを見る »
アーサー・シュスター
アーサー・シュスター アーサー・シュスター（Franz Arthur Friedrich Schuster、1851年9月12日 - 1934年10月17日）は、ドイツ生まれのイギリスの物理学者である。研究分野は分光学、電磁気学、光学におよび、太陽コロナと恒星のスペクトルの研究や周期分析の応用などで知られる。マンチェスター大学を物理学研究のセンターに育てた。.
新しい！!: 半導体とアーサー・シュスター · 続きを見る »
イオン
イオン（Ion、ion）とは、電子の過剰あるいは欠損により電荷を帯びた原子または原子団のことである。電離層などのプラズマ、電解質の水溶液、イオン結晶などのイオン結合性を持つ物質内などに存在する。 陰極や陽極に引かれて動くことから、ギリシャ語のἰόνイオン, ローマ字表記でion（"going"）より、 ion（移動）の名が付けられた。.
ウィリアム・ショックレー
ウィリアム・ブラッドフォード・ショックレー・ジュニア（William Bradford Shockley Jr.、1910年2月13日 - 1989年8月12日）は、アメリカの物理学者、発明家。ジョン・バーディーン、ウォルター・ブラッテンと共にトランジスタを発明し、3人で1956年のノーベル物理学賞を受賞。 ショックレーは1950年代から1960年代にかけてトランジスタの商業化を試み、そのために電子工学関連の技術革新が育まれ、カリフォルニアに「シリコンバレー」が生まれる出発点となった。晩年にはスタンフォード大学の教授となり、優生学の熱心な支持者となった。.
新しい！!: 半導体とウィリアム・ショックレー · 続きを見る »
ウェスティングハウス
記載なし。
新しい！!: 半導体とウェスティングハウス · 続きを見る »
ウェスタン・エレクトリック
ウェスタンエレクトリック（Western Electric）は、アメリカ合衆国のかつて存在した電機機器開発・製造企業。1881年から1995年まで、AT&Tの製造部門として存在した。数々の技術的発明や、産業の管理手法の開発で知られる。AT&Tのグループ企業の調達エージェントとしても機能していた。.
新しい！!: 半導体とウェスタン・エレクトリック · 続きを見る »
ウォルター・ブラッテン
ウォルター・ブラッテン（Walter Houser Brattain, 1902年2月10日 - 1987年10月13日)はアメリカの物理学者。トランジスタの発明でウィリアム・ショックレー、ジョン・バーディーンとともに、1956年ノーベル物理学賞を受賞した。 父親は中国で理科の教師をしておりアモイに生れたが、1903年家族はアメリカに帰り、ワシントン州の牧場に育った。オレゴン大学からミネソタ大学で学んだ。卒業後アメリカ規格局に就職したが1929年にベル研究所に移った。1948年ショックレーらとトランジスタの開発に成功し、ノーベル物理学賞を受賞した。1967年ベル研究所を退職し、ワシントン・カレッジに移り1972年までその仕事を続けた。.
新しい！!: 半導体とウォルター・ブラッテン · 続きを見る »
エネルギー
ネルギー（、）とは、.
エドウィン・ホール
ドウィン・ハーバート・ホール（Edwin Herbert Hall、1855年11月7日 – 1938年11月20日）は ホール効果を発見したアメリカ合衆国の物理学者 。ホールはハーバード大学で熱電効果の研究グループを率い、また多くの物理学教科書や実験法についての著作がある。.
新しい！!: 半導体とエドウィン・ホール · 続きを見る »
オレク・ロシェフ
レク・ロシェフ(Оле́г Влади́мирович Ло́сев)はソビエトの物理学者。.
新しい！!: 半導体とオレク・ロシェフ · 続きを見る »
オームの法則
ルク・オーム オームの法則（オームのほうそく、）とは、導電現象において、電気回路の部分に流れる電流とその両端の電位差の関係を主張する法則である。クーロンの法則とともに電気工学で最も重要な関係式の一つである。 1781年にヘンリー・キャヴェンディッシュが発見したが、その業績は1879年にマクスウェルが『ヘンリー・キャヴェンディシュ電気学論文集』として出版するまで未公表であった。 ヘンリーの最初の発見後、1826年にドイツの物理学者であるゲオルク・オームによって再発見・公表されたため、その名を冠してオームの法則と呼ばれる。.
新しい！!: 半導体とオームの法則 · 続きを見る »
オーム社
株式会社オーム社（英称：Ohmsha, Ltd.）とは、理工学専門書、コンピュータ関連書などを出版する日本の出版社である。社名の由来は、抵抗の単位であるオーム（Ω）から。.
ケイ素
イ素（ケイそ、珪素、硅素、silicon、silicium）は、原子番号 14 の元素である。元素記号は Si。原子量は 28.1。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。 地殻中に大量に存在するため鉱物の構成要素として重要であり、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成している。これには Si-O-Si 結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれている。しかしながら生物とのかかわりは薄く、知られているのは、放散虫・珪藻・シダ植物・イネ科植物などにおいて二酸化ケイ素のかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあまりわかっていない。炭素とケイ素との化学的な類似から、SF などではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定されることがある。 バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素やリンなどの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることなどから、電子工学上重要な元素である。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきた。現在、ケイ素は99.9999999999999 % (15N) まで純度を高められる。また、Si(111) 基板はAFMやSTMの標準試料としてよく用いられる。.
ゲルマニウム
ルマニウム（germanium ）は原子番号32の元素。元素記号は Ge。炭素族の元素の一つ。ケイ素より狭いバンドギャップ（約0.7 eV）を持つ半導体で、結晶構造は金剛石構造である。.
新しい！!: 半導体とゲルマニウム · 続きを見る »
ジャック・キルビー
ャック・セイント・クレール・キルビー（, 1923年11月8日 - 2005年6月20日）は2000年のノーベル物理学賞を受賞したアメリカの電子技術者。1958年、テキサス・インスツルメンツ社勤務時代に集積回路(IC)を発明した。電卓やサーマルプリンターの発明者でもある。.
新しい！!: 半導体とジャック・キルビー · 続きを見る »
ジャガディッシュ・チャンドラ・ボース
ャガディッシュ・チャンドラ・ボース（英語：Sir Jagadish Chandra Bose 、ベンガル語：স্যার জগদীশ চন্দ্র বসু 、1858年11月30日 - 1937年11月23日）はインドの物理学者、SF作家である。.
新しい！!: 半導体とジャガディッシュ・チャンドラ・ボース · 続きを見る »
ジョン・バーディーン
ョン・バーディーン（John Bardeen, 1908年5月23日 - 1991年1月30日）はアメリカの物理学者。 1956年にウィリアム・ショックレー、ウォルター・ブラッテンとトランジスタの発明によって、さらに1972年にレオン・クーパー、ジョン・ロバート・シュリーファーと超伝導に関するいわゆるBCS理論でノーベル物理学賞を受賞しており、2017年現在、ノーベル物理学賞を2度受賞した唯一の人物である2013年現在、ノーベル賞を2度受賞した人物はバーディーンを含めて4名いるが、物理学賞を2度受賞したのは彼だけである。詳しくは国別のノーベル賞受賞者を参照のこと。。.
新しい！!: 半導体とジョン・バーディーン · 続きを見る »
ジョゼフ・ジョン・トムソン
ー・ジョゼフ・ジョン・トムソン（Sir Joseph John Thomson, 1856年12月18日-1940年8月30日）は、イギリスの物理学者。しばしばJ.
新しい！!: 半導体とジョゼフ・ジョン・トムソン · 続きを見る »
セレン
レン（selenium 、Selen ）は原子番号34の元素。元素記号は Se。カルコゲン元素の一つ。セレニウムとも呼ばれる。.
セレン化亜鉛
レン化亜鉛（セレンかあえん、zinc selenide、ジンクセレナイド）は、淡黄色の不溶性の固体である。25 で2.7 eVのバンドギャップを持つ真性半導体である。標準生成エンタルピーは25 で177.6 kJ/molである。結晶は閃亜鉛鉱の形をとり、格子定数はa.
新しい！!: 半導体とセレン化亜鉛 · 続きを見る »
ゼログラフィ
ラフィ（Xerography）または電子写真（electrophotography）とは、1938年にチェスター・カールソンが発明した乾式複写技法であり、1942年10月6日に として特許を取得した。カールソン自身は元々これを electrophotography と呼んでいた。xerography という用語は、ギリシア語の語根 xeros（乾燥）と graphos（書く）を組み合わせたもので、液状の化学物質を使った青写真などとは異なる複写技法であることを強調している。 ゲオルグ・クリストフ・リヒテンベルクが1778年に乾式静電印刷法を発明しているが、カールソンは静電印刷に写真を組み合わせて発展させた。カールソンの元々の技法は、平らな板にいくつかの処理を手で施す必要があり、面倒だった。全工程を自動化するのに18年もかかっている。重要なブレークスルーは、平らな板ではなくセレンをコーティングした円柱状のドラムを使ったことだった。これによって世界初の自動複写機が1960年、ゼロックスから発売された。ゼログラフィは、多くの複写機、レーザープリンター、LEDプリンターで使われている。.
新しい！!: 半導体とゼログラフィ · 続きを見る »
ゼーベック効果
ーベック効果（ゼーベックこうか、Seebeck effect）は物体の温度差が電圧に直接変換される現象で、熱電効果の一種。逆に電圧を温度差に変換するペルティエ効果もある。類似の現象としてトムソン効果やジュール熱がある。ゼーベック効果を利用して温度を測定することができる（→熱電対）。ゼーベック効果、ペルティエ効果、トムソン効果は可逆であるが、ジュール熱はそうではない。 ゼーベック効果は、1821年にエストニアの物理学者トーマス・ゼーベックによって偶然発見された。ゼーベックは金属棒の内部に温度勾配があるとき、両端間に電圧が発生することに気づいた。 また、2 種類の金属からなるループの接点に温度差を設けると、近くに置いた方位磁針の針が振れることも発見した。これは2種類の金属が温度差に対して異なる反応をしたため、ループに電流が流れ、磁場を発生させたためである。.
新しい！!: 半導体とゼーベック効果 · 続きを見る »
ゾーンメルト法
ゾーンメルト法（英:Zone melting）とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。.
新しい！!: 半導体とゾーンメルト法 · 続きを見る »
光
上方から入ってきた光の道筋が、散乱によって見えている様子。（米国のアンテロープ・キャニオンにて） 光（ひかり）とは、基本的には、人間の目を刺激して明るさを感じさせるものである。 現代の自然科学の分野では、光を「可視光線」と、異なった名称で呼ぶことも行われている。つまり「光」は電磁波の一種と位置付けつつ説明されており、同分野では「光」という言葉で赤外線・紫外線まで含めて指していることも多い。 光は宗教や、哲学、自然科学、物理などの考察の対象とされている。.
光無線通信
光無線通信（ひかりむせんつうしん）とは、赤外線から可視光線までの間の波長の電磁波（光線）を用いた通信であり、無線通信の一種である。 以前は天候などの妨害により効率が悪いとされていたが、技術の進歩によりメガビット毎秒からギガビット毎秒程度の通信速度が得られるようになったこと、また、近年の電波による無線通信の需要増による電波資源の逼迫などの事情から、今後の有力な近距離通信手段として注目されている。また、基本的に無線伝送路は電波法に言う電波（3THz以下の電磁波、波長0.1mm以上）でないため、無線局免許が不要である事も利点である。 なお、PC、携帯電話やリモコンなどに使われている、赤外線通信やIrDAも、光無線通信の一種である。 FTTxの足回りとしての使用も検討されている。また、LEDによる照明光源や信号機から、特殊な変調により、人の視覚に認知されないように発光して光無線通信を行う機器もコンセプトモデルとして開発されている。.
光電効果
光電効果（こうでんこうか、photoelectric effect）とは、外部光電効果と内部光電効果の総称である。単に光電効果という場合は外部光電効果を指す場合が多い。内部光電効果は光センサなどで広く利用される。光電効果そのものは特異な現象ではなく酸化物、硫化物その他無機化合物、有機化合物等に普遍的に起こる。.
固体物理学
固体物理学（こたいぶつりがく、Solid-state physics）とは物理学の一分野であり、より広い意味で使われる物性物理学に含まれる分野である。.
硫化カドミウム
硫化カドミウム（りゅうかカドミウム、Cadmium sulfide）は硫黄とカドミウムからなる無機化合物で、組成式 CdS の黄色の固体。カドミウムイオンの溶液に硫化物イオンを加えると得られる。天然には硫カドミウム鉱（グリーノッカイト）として産出するが、その量は少ない。 黄色顔料・カドミウムイエローの主成分である。熱安定性が高いため、機能性プラスチックなどのポリマーに用いられる。セレンを添加したものは硫セレン化カドミウムと呼ばれ、色調が黄橙から赤紫色に変化する。 硫化亜鉛を添加したものは硫化亜鉛カドミウムと呼ばれ、純粋な硫化カドミウムとともにカドミウムイエローとして使われる。但しColour Index Generic Nameは異なり、硫化カドミウムを主成分としたカドミウムイエローが Pigment Yellow 37 なのに対し硫化亜鉛カドミウムを主成分としたカドミウムイエローは Pigment Yellow 35 である。また、色調も純粋な硫化カドミウムが鮮黄色～橙黄色を呈するのに対し、硫化亜鉛カドミウムは淡黄色～鮮黄色を呈する。なお、硫化亜鉛カドミウムは燐光を帯びる。 半導体であり、2.42 eV のバンドギャップを持つ。電気抵抗が光の強さによって変化するフォトレジスタ（光センサー）や、太陽電池など、光エレクトロニクス材料として用いられる。.
新しい！!: 半導体と硫化カドミウム · 続きを見る »
硫化銀(I)
硫化銀(I)（りゅうかぎん いち、silver(I) sulfide）は、化学式が Ag2S と表される銀の硫化物である。黒色の固体で、天然では輝銀鉱として産出する。俗に言う銀の錆とはこの物質である。.
新しい！!: 半導体と硫化銀(I) · 続きを見る »
硫化鉛(II)
硫化鉛(II)（りゅうかなまり に、lead(II) sulfide）は、化学式PbSをもつ無機化合物である。方鉛鉱とも呼ばれる基礎的な鉱物で、鉛の最も重要な化合物である。半導体として特殊用途に用いられる。.
新しい！!: 半導体と硫化鉛(II) · 続きを見る »
磁場
磁場（じば、Magnetic field）は、電気的現象・磁気的現象を記述するための物理的概念である。工学分野では、磁界（じかい）ということもある。 単に磁場と言った場合は磁束密度Bもしくは、「磁場の強さ」Hのどちらかを指すものとして用いられるが、どちらを指しているのかは文脈により、また、どちらの解釈としても問題ない場合も多い。後述のとおりBとHは一定の関係にあるが、BとHの単位は国際単位系（SI）でそれぞれWb/m², A/m であり、次元も異なる独立した二つの物理量である。Hの単位はN/Wbで表すこともある。なお、CGS単位系における、磁場（の強さ）Hの単位は、Oeである。 この項では一般的な磁場の性質、及びHを扱うこととする。 磁場は、空間の各点で向きと大きさを持つ物理量（ベクトル場）であり、電場の時間的変化または電流によって形成される。磁場の大きさは、+1のN極が受ける力の大きさで表される。磁場を図示する場合、N極からS極向きに磁力線の矢印を描く。 小学校などの理科の授業では、砂鉄が磁石の周りを囲むように引きつけられる現象をもって、磁場の存在を教える。このことから、磁場の影響を受けるのは鉄だけであると思われがちだが、強力な磁場の中では、様々な物質が影響を受ける。最近では、磁場や電場（電磁場、電磁波）が生物に与える影響について関心が寄せられている。.
窒化アルミニウム
化アルミニウム（ちっかアルミニウム, aluminum nitride, AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。.
新しい！!: 半導体と窒化アルミニウム · 続きを見る »
窒化ガリウム
化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。.
新しい！!: 半導体と窒化ガリウム · 続きを見る »
米
米（こめ、rice）は、稲の果実である籾から外皮を取り去った粒状の穀物である。穀物の一種として米穀（べいこく）とも呼ぶ。東アジア・東南アジア・南アジア以外では一般的に主食として特別視することが希薄であり、日本語でいう「米」「稲」「飯」といった、収穫前・収穫後・調理前・調理後などによる区別がない言語が多数ある。例えば英語圏ではすべてriceという同一の単語で扱われる。.
真空管
5球スーパーラジオに使われる代表的な真空管（mT管） 左から6BE6、6BA6、6AV6、6AR5、5MK9 ここでは真空管（しんくうかん、vacuum tube、vacuum valve）電子管あるいは熱電子管などと呼ばれるものについて解説する。.
真性半導体
真性半導体（しんせいはんどうたい）とは、添加物を混じえてない純粋な半導体のことを指す。真性半導体の英語名「intrinsic semiconductor」からi型半導体と呼ばれることもある。.
統計的仮説検定
仮説検定における統計的仮説検定（とうけいてきかせつけんてい、statistical hypothesis testing）とは、母集団に関する統計的仮説が標本データによって支持されるか、矛盾するかを調べる手法を言う。1920-30年代にかけてイェジ・ネイマン、エゴン・ピアソンによって体系化された。.
新しい！!: 半導体と統計的仮説検定 · 続きを見る »
絶縁体
絶縁体（ぜつえんたい、insulator）は、電気あるいは熱を通しにくい性質を持つ物質の総称である。.
炭化ケイ素
炭化ケイ素（Silicon Carbide、化学式SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「モアッサン石」(Moissanite)と呼ばれ、また、19世紀末に工業化した会社の商品名から「カーボランダム」と呼ばれることもある。 ダイヤモンドの弟分、あるいはダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから電子素子の素材にもなる。結晶の光沢を持つ、黒色あるいは緑色の粉粒体として、市場に出る。.
点接触型トランジスタ
点接触トランジスタ 点接触トランジスタの模式図 点接触型トランジスタ（てんせっしょくがたトランジスタ、）は、最初期に製造されたトランジスタ。.
新しい！!: 半導体と点接触型トランジスタ · 続きを見る »
産業技術総合研究所
国立研究開発法人産業技術総合研究所（さんぎょうぎじゅつそうごうけんきゅうしょ、英語表記：National Institute of Advanced Industrial Science and Technology、略：AIST）は、日本の独立行政法人である国立研究開発法人の一つで、公的研究機関。略称は産総研（さんそうけん）。.
新しい！!: 半導体と産業技術総合研究所 · 続きを見る »
無線と実験
『無線と実験』（むせんとじっけん）は、誠文堂新光社が刊行する月刊誌。 初期は表題通り無線通信に関する実験（アマチュア無線）の記事が中心であった。エレクトロニクスを総合的に扱った時代を経て、Hi-Fiオーディオ関係の記事が主になり1984年に『MJ 無線と実験』（「Musen & Jikken」から）に改題、現在に至る。.
熱
熱の流れは様々な方法で作ることができる。 熱（ねつ、heat）とは、慣用的には、肌で触れてわかる熱さや冷たさといった感覚である温度の元となるエネルギーという概念を指していると考えられているが、物理学では熱と温度は明確に区別される概念である。本項目においては主に物理学的な「熱」の概念について述べる。 熱力学における熱とは、1つの物体や系から別の物体や系への温度接触によるエネルギー伝達の過程であり、ある物体に熱力学的な仕事以外でその物体に伝達されたエネルギーと定義される。 関連する内部エネルギーという用語は、物体の温度を上げることで増加するエネルギーにほぼ相当する。熱は正確には高温物体から低温物体へエネルギーが伝達する過程が「熱」として認識される。 物体間のエネルギー伝達は、放射、熱伝導、対流に分類される。温度は熱平衡状態にある原子や分子などの乱雑な並進運動の運動エネルギーの平均値であり、熱伝達を生じさせる性質をもつ。物体（あるいは物体のある部分）から他に熱によってエネルギーが伝達されるのは、それらの間に温度差がある場合だけである（熱力学第二法則）。同じまたは高い温度の物体へ熱によってエネルギーを伝達するには、ヒートポンプのような機械力を使うか、鏡やレンズで放射を集中させてエネルギー密度を高めなければならない(熱力学第二法則)。.
物質
物質（ぶっしつ）は、.
発光ダイオード
光ダイオード（はっこうダイオード、light emitting diode: LED）はダイオードの一種で、順方向に電圧を加えた際に発光する半導体素子である。 1962年、ニック・ホロニアックにより発明された。発明当時は赤色のみだった。1972年にによって黄緑色LEDが発明された。1990年代初め、赤崎勇、天野浩、中村修二らによって、窒化ガリウムによる青色LEDの半導体が発明された。 発光原理はエレクトロルミネセンス (EL) 効果を利用している。また、有機エレクトロルミネッセンス（OLEDs、有機EL）も分類上、LEDに含まれる。.
新しい！!: 半導体と発光ダイオード · 続きを見る »
白金
白金（はっきん、platinum）は原子番号78の元素。元素記号は Pt。白金族元素の一つ。 学術用語としては白金が正しいが、現代日本の日常語においてはプラチナと呼ばれることもある。白金という言葉はオランダ語の witgoud（wit.
遮断周波数
バターワースフィルタの周波数特性を表したボーデ図。遮断周波数が示してある。 遮断周波数（しゃだんしゅうはすう）またはカットオフ周波数（Cutoff frequency）とは、物理学や電気工学におけるシステム応答の限界であり、それを超える周波数を持つ入力エネルギーは減衰または反射する。典型例として次のような定義がある。.
誠文堂新光社
株式会社誠文堂新光社（せいぶんどうしんこうしゃ）は、東京都文京区に本社を置く日本の出版社である。.
新しい！!: 半導体と誠文堂新光社 · 続きを見る »
負性抵抗
負性抵抗（ふせい-ていこう）とは、入力インピーダンスを見た際に掛けた電圧に対して 抵抗値が見掛け上マイナスになるような回路ブロックを指す。（詳しい解説は後述する。） 負性抵抗とは見かけ上の物であり、一般的な受動素子では発生しない。 負性抵抗と負性微分抵抗は異なり、 負性微分抵抗は「電圧の増加により、電流が減少する」というような、 オームの法則の抵抗と対極となる電気回路の特性のことを指す。 トンネルダイオード（エサキダイオードともいう）やガン・ダイオードでは、 動作領域の一部で負性微分抵抗の特性を示す。 カルコゲナイド・ガラスや導電性高分子も同様の特性を示す。 以下、負性抵抗の実現法について述べる。負性抵抗はNIC（Negative Impedance Converter：負性インピーダンス変換回路 ）を用いて実現される。負性抵抗は、NICを構成するためのオペアンプ、R1、R2、そして負荷抵抗RLから構成される。 接続としては電圧源Vが接続されるのがオペアンプの＋入力端子、そして＋入力端子とオペアンプの出力端子の間に R1、そして同出力端子と‐入力端子の間にR2が、-入力端子とGNDの間に負荷抵抗RLが接続される。 ここでナレータノレータモデルを使ってオペアンプは‐入力端子と＋入力端子の電圧が等しくなるように働くため （そのために‐端子に負帰還がされている。時間のある方はオペアンプの接続を‐端子＋端子で入れ替えてみると 出力が発散してしまいうまく動かないことを確認できるでしょう。）、 負荷抵抗RLにはV/RLがGNDに向かって流れる。この電流はオペアンプの入力端子の入力インピーダンスを かなり大きいと見積もれるためそのままオペアンプの出力端電圧Voutから-端子の方向に流れる電流と考える事が出来る。 ここでR1.
露出計
電気機械式露出計(1968)旧ソビエト連邦製のレニングラード4型、反射光式単体露出計である。 露出計（ろしゅつけい、Exposure Meter ）は、写真や映画の撮影において光の強度を測定し、設定すべき露出値を割り出すための機械である。露出計で光の強弱を測ることを「測光」と言う。.
航空機
航空機（こうくうき、aircraftブリタニカ百科事典「航空機」）は、大気中を飛行する機械の総称である広辞苑 第五版 p.889「航空機」。.
船
''アメリゴ・ヴェスプッチ'' 船（ふね、舟、舩）とは、人や物をのせて水上を渡航（移動）する目的で作られた乗り物の総称である広辞苑 第五版 p.2354「ふね【船・舟・槽】」。 基本的には海、湖、川などの水上を移動する乗り物を指しているが、広い意味では水中を移動する潜水艇や潜水艦も含まれる。動力は人力・帆・原動機などにより得る。 大和言葉、つまりひらがなやカタカナの「ふね」「フネ」は広範囲のものを指しており、規模や用途の違いに応じて「船・舟・槽・艦」などの漢字が使い分けられている。よりかしこまった総称では船舶（せんぱく）あるいは船艇（せんてい）などとも呼ばれる（→#呼称参照）。 水上を移動するための乗り物には、ホバークラフトのようにエアクッションや表面効果を利用した船に近いものも存在する。また、水上機や飛行艇のように飛行機の機能と船の機能を組み合わせた乗り物も存在し、水上機のフロートや飛行艇の艇体は「浮舟」（うきぶね）と表現される。 なお、宇宙船や飛行船などの水上以外を航行する比較的大型の乗り物も「ふね」「船」「シップ」などと呼ばれる。これらについては宇宙船、飛行船などの各記事を参照のこと。また舟に形状が似ているもの、例えば刺身を盛る浅めの容器、セメントを混ぜるための容器（プラ舟）等々も、その形状から「舟」と呼ばれる。これらについても容器など、各記事を参照のこと。.
赤外線
赤外線（せきがいせん）は、可視光線の赤色より波長が長く（周波数が低い）、電波より波長の短い電磁波のことである。ヒトの目では見ることができない光である。英語では infrared といい、「赤より下にある」「赤より低い」を意味する（infra は「下」を意味する接頭辞）。分光学などの分野ではIRとも略称される。対義語に、「紫より上にある」「紫より高い」を意味する紫外線（英：ultraviolet）がある。.
酸化亜鉛
酸化亜鉛（さんかあえん、Zinc oxide）は化学式 ZnO で表される亜鉛の酸化物である。亜鉛華とも呼ばれる。.
酸化銅
酸化銅（さんかどう、Copper oxide、カッパーオキサイド）は、銅の酸化物である。組成の違いにより、酸化銅(I)Cu2Oと酸化銅(II)CuO がある。 Image:CopperIoxide.jpg|酸化銅(I) Image:CopperIIoxide.jpg|酸化銅(II) Category:銅の化合物 Category:酸化物.
鉱石ラジオ
鉱石ラジオ（こうせきラジオ、）は、鉱石検波器により復調（検波）を行うラジオ受信機で、特に真空管やトランジスタなどのいわゆる能動素子による増幅等を行わない無電源のラジオ（受信機）を指す。半導体エレクトロニクスの発達後は、点接触ゲルマニウムダイオードなど鉱石検波器に特性が似ており、扱いがより容易な素子なども使われている。 電源を特に使わず、空中の電波を受信したエネルギーだけでイヤホンが鳴る点など科学実験の素材として人気がある。ただし、実際にはごくわずかな音量で聞こえるものであることや、放送局から遠い場合などには良いアンテナとアースの入念な準備と、コイルから適切なタップの選択といった細かい調整が必要で、場合によってはディップメータ等の測定器の活用や、適宜RF乃至AFのアンプを併用する等の必要もあり、子供向け教材としてはマニュアルだけでは不十分になり易く無線技術を良く理解している指導者が必要である。.
鉱石検波器
鉱石検波器。 1960年代からの商業品種の結晶検波器。 360px 点接触型の構造がよく見える1N60ゲルマニウムダイオード。ゲルマニウム結晶にタングステンの細針を接触させ、ガラス管中に封止してある。ガラス管長約7mm 鉱石検波器（こうせきけんぱき）は、半導体の性質を有する鉱石に金属針を接触させ、ショットキー障壁による整流作用を利用する、一種のダイオードである。世界最初の半導体素子の実用化であり、点接触型ダイオード、ショットキーバリアダイオードの遠い先祖とも言える。金属針を用いず、異なる鉱石同士を接触させることでも同様に働くこともあるため、そのような構成のものもある。 1874年、ブラウンによって金属硫化物に金属針を接触させることにより整流作用が生じることが発見され、1904年、ボースが方鉛鉱に金属針を接触させたもので、検波器としての最初の特許を取得している。1906年、ピカードがシリコン結晶に金属針を接触させて使うことで特許を取得した。単結晶に金属針を接触させることにより比較的その特性が安定、ピカードの発明は広く実用に供されることになった。日本では、逓信省電気試験所の鳥潟右一がほぼ同時期に発明している。鉱石検波器は、世界中でほぼ同時期に少しずつタイプの異なるものがそれぞれ発明されているため、最初の発明者が誰なのかについてははっきりしていない。結晶により検波ができることが見出されたことにより、以降、鉱石検波器はクリスタル検波器ともよばれるようになった。 初期の鉱石検波器は、方鉛鉱や黄鉄鉱などの天然鉱石に金属針を接触させ、ほぼ毎回、感度の良い部分を金属針を動かし探って用いる方式のものであり、不安定で調整の難しいものであった。現代の観点からすると、方鉛鉱や黄鉄鉱などの天然鉱石は、結晶方位不定の多結晶体であり、微視的には、粗い表面を持つ多結晶面に、粗い表面を持つ金属面を接触させていることになるため、不安定きわまりなくわずかな変化により桁違いに変化する。そのために、懸命に感度の良い部分を探すことになる。 また一度、感度の良い部分を見つけても、空気中に置かれている鉱石の表面、そして金属針の表面は容易に酸化や水酸化される。従って使用のたびに、金属針により鉱石の表面を引っかき、金属と半導体の界面を再生させて使わなければならないのである（巨視的にはそのように説明できるが、「ガリガリ引っ掻く」という操作は微視的には結晶に多数の欠陥を導入する、という操作でもあり完全な解明は研究途上である）。 従来のコヒーラとは異なり、無線電波を検出するだけではなく、整流作用により振幅変調の復調が可能であるため、無線電話の受信機に、さらには世界的にラジオ放送が始まるとラジオ受信機に多用された。 最初に発明された真空管である二極管により、BC帯や短波帯のラジオ用では置き換えられたが、真空管には電力を必要とする点から、電力を必要としない鉱石検波器は簡易なラジオ（鉱石ラジオ）に、あるいは周波数特性の点では当時の二極管よりも優れていたことから超短波以上の帯域の研究用などといった用途では併用されていた。 戦後は、トランジスタの発明により半導体工学・半導体技術が発展し、半導体ダイオードにより、従来技術の真空管や鉱石検波器やセレン整流器は置き換えられていった。しかし検波用には、鉱石検波器に構造が近い点接触ダイオードが長く使われてきたのは点接触ならではの、逆方向の静電容量が小さいという特性のためである。 鉱石検波器はショットキーによるショットキー障壁の発見により、その動作の一端は解明された。しかしながら、ショットキー障壁の原理は未だ不明であり、安定したショットキー障壁の製造は難しく、工業的製造面においては現在に至るも未完成の部分がある。工業的に安定したショットキー障壁の製造が容易となれば、低電圧化を主に、半導体部品の能力の向上や、新たな半導体素子の発明につながることが期待できるため、その研究は現在も半導体の最先端分野として進められている。.
電子
電子（でんし、）とは、宇宙を構成するレプトンに分類される素粒子である。素粒子標準模型では、第一世代の荷電レプトンに位置付けられる。電子は電荷−1、スピンのフェルミ粒子である。記号は e で表される。また、ワインバーグ＝サラム理論において弱アイソスピンは−、弱超電荷は−である。.
電子工学
電子工学（でんしこうがく、Electronics、エレクトロニクス）は、電気工学の一部ないし隣接分野で、電気をマクロ的に扱うのではなく、またそのエネルギー的な側面よりも信号などの応用に関して、電子の（特に量子的な）働きを活用する工学である。なお、電気工学の意の英語 electrical engineering に対し、エレクトロニクス（electronics）という語には、明確に「工学」という表現が表面には無い。.
電子ボルト
物理学において、電子ボルト（エレクトロンボルト、electron volt、記号: eV）とはエネルギーの単位のひとつ。 素電荷（そでんか）（すなわち、電子1個分の電荷の符号を反転した値）をもつ荷電粒子が、 の電位差を抵抗なしに通過すると得るエネルギーが 。.
電子情報技術産業協会
一般社団法人電子情報技術産業協会（でんしじょうほうぎじゅつさんぎょうきょうかい、Japan Electronics and Information Technology Industries Association）は、エレクトロニクス技術や電子機器、情報技術（IT）に関する業界団体。略称はJEITA（ジェイタ）。.
新しい！!: 半導体と電子情報技術産業協会 · 続きを見る »
電圧
電圧（でんあつ、voltage）とは直観的には電気を流そうとする「圧力のようなもの」である-->。単位としては, SI単位系(MKSA単位系)ではボルト(V)が使われる。電圧を意味する記号には、EやVがよく使われる。 電圧は電位差ないしその近似によって定義される。 電気の流れに付いては「電流」を参照の事。.
電界効果トランジスタ
回路基板上に実装された状態の高出力N型チャネルMOSFET 電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、, FET）は、ゲート電極に電圧をかけることでチャネル領域に生じる電界によって電子または正孔の濃度を制御し、ソース・ドレイン電極間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。 FETは主に接合型FET（ジャンクションFET, JFET）とMOSFETに大別される。他にも、MESFETなどの種類がある。また、それぞれの種別でチャネルの種類によりさらにn型のものとp型のものに分類される。 このページでは主にSiなどの無機半導体について述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。.
新しい！!: 半導体と電界効果トランジスタ · 続きを見る »
電話
電話（でんわ、telephone）は、電気通信役務の一種で、電話機で音声を電気信号（アナログ式では電流の変化、デジタル式では加えて位相の変化）に変換し、電話回線を通じて離れた場所にいる相手方にこれを伝え、お互いに会話ができるようにした機構および、その手段のことをいう。 現代の電話回線は電話交換機で世界的に相互接続され電話網を形成している。また、技術の進歩に伴い、固定電話間の通話にとどまらず、携帯電話（自動車電話）・PHS・衛星電話・などの移動体通信、IP電話などとの相互間通話や、無線呼び出しへの発信も可能になっている。インターネットへのダイヤルアップ接続など、コンピュータ間のデータ通信にも応用されるようになり、社会における重要な通信手段の一つとなっている。 初期のアナログ電話は、電流の変化そのものをマイクやスピーカを使って音声に変換しているので、電流の変化そのものを情報として伝送している（ベースバンド伝送）。一方でデジタル式電話では、送電経路上の情報の送受信の効率を優先させるため、必ず変調や復調といった手順を含み経路上の回路は複雑になるが、情報の量や品質においてメリットが非常に大きい。多くは得られた情報からのベースバンドを、さらに伝送経路上で符号化する方式で伝送している（搬送帯域伝送）。.
電気伝導
電気伝導（でんきでんどう、electrical conduction）は、電場（電界）を印加された物質中の荷電粒子を加速することによる電荷の移動現象、すなわち電流が流れるという現象。 電荷担体は主として電子であるが、イオンや正孔などもこれに該当する。荷電粒子の加速には抵抗力が働き、これを電気抵抗という。抵抗の主な原因として、格子振動や不純物などによる散乱が挙げられる。この加速と抵抗は、最終的には釣り合うことになる。.
電気伝導体
電気伝導体（でんきでんどうたい）は移動可能な電荷を含み電気を通しやすい材料、すなわち電気伝導率（導電率）の高い材料である。良導体、単に導体とも呼ぶ。 電気伝導率は、物質によってとる値の範囲が広い物性値で、金属からセラミックまで20桁ほど幅がある。一般には伝導率がグラファイト（電気伝導率 106S/m）と同等以上のものが導体、106S/m以下のものを不導体（絶縁体）、その中間の値をとるものを半導体と分類する。106S/mという電気伝導率は、1mm2の断面積で1mの導体の抵抗が1Ωになる電気の通りやすさである。 銅やアルミニウムといった金属導体では、電子が移動可能な荷電粒子となっている（電流を参照）。移動可能な正の電荷としては、格子内の原子で電子が抜けている部分という形態（正孔）や電池の電解液などにイオンの形で存在する場合がある。不導体が電流を通さないのは移動可能な電荷が少ないためである。.
電気通信研究所
電気通信研究所（でんきつうしんけんきゅうしょ）.
新しい！!: 半導体と電気通信研究所 · 続きを見る »
電流
電流（でんりゅう、electric current電磁気学に議論を留める限りにおいては、単に と呼ぶことが多い。）は、電子に代表される荷電粒子他の荷電粒子にはイオンがある。また物質中の正孔は粒子的な性格を持つため、荷電粒子と見なすことができる。の移動に伴う電荷の移動（電気伝導）のこと、およびその物理量として、ある面を単位時間に通過する電荷の量のことである。 電線などの金属導体内を流れる電流のように、多くの場合で電流を構成している荷電粒子は電子であるが、電子の流れは電流と逆向きであり、直感に反するものとなっている。電流の向きは正の電荷が流れる向きとして定義されており、負の電荷を帯びる電子の流れる向きは電流の向きと逆になる。これは電子の詳細が知られるようになったのが19世紀の末から20世紀初頭にかけての出来事であり、導電現象の研究は18世紀の末から進んでいたためで、電流の向きの定義を逆転させることに伴う混乱を避けるために現在でも直感に反する定義が使われ続けている。 電流における電荷を担っているのは電子と陽子である。電線などの電気伝導体では電子であり、電解液ではイオン（電子が過不足した粒子）であり、プラズマでは両方である。 国際単位系 (SI) において、電流の大きさを表す単位はアンペアであり、単位記号は A であるアンペアはSI基本単位の1つである。。また、1アンペアの電流で1秒間に運ばれる電荷が1クーロンとなる。SI において電荷の単位を電流と時間の単位によって構成しているのは、電荷より電流の測定の方が容易なためである。電流は電流計を使って測定する。数式中で電流量を表すときは または で表現される。.
集積回路
SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.
逓信省
逓信省（ていしんしょう）は、かつて日本に存在した郵便や通信を管轄する中央官庁である。 内閣創設時から第二次世界大戦中の行政機構改革で統合されるまで、交通・通信・電気を幅広く管轄していた。第二次世界大戦後にも復活して1946年（昭和21年）から1949年（昭和24年）まで存在したが、この時期には通信事務のみを管轄した。現在の総務省、日本郵政（JP）、及び日本電信電話（NTT）は、1946年（昭和21年）から1949年（昭和24年）までの逓信省の後身に相当する。.
II-VI族半導体
II-VI族半導体（にろくぞくはんどうたい）は、II族元素とVI族元素を用いた半導体である。II族元素（第2族元素・第12族元素）としてはマグネシウム(Mg)・亜鉛(Zn)・カドミウム(Cd)・水銀(Hg)が、VI族元素（第16族元素）としては酸素(O)・硫黄(S)・セレン(Se)・テルル(Te)をよく用いる。 これらを組み合わせて、酸化亜鉛(ZnO)・テルル化カドミウム(CdTe)・セレン化亜鉛(ZnSe)などを作製する。.
新しい！!: 半導体とII-VI族半導体 · 続きを見る »
III-V族半導体
III-V族半導体（さんごぞくはんどうたい）は、III族元素とV族元素を用いた半導体である。III-V族化合物半導体とも呼ぶ。代表的なIII族元素としてはアルミニウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)がある。この他にホウ素(B)・タリウム(Tl)・ビスマス(Bi)もIII-V族半導体を構成する元素である。またV族元素として窒素を用いた窒化ガリウム(GaN)・窒化アルミニウム(AlN)・窒化インジウム(InN)などを特に窒化物半導体と呼ぶ。 代表的な半導体であるケイ素(Si)と比較して、III-V族化合物半導体はその多くが直接遷移型の半導体であるため、発光ダイオード・レーザダイオードをはじめとする発光素子に用いられる。またケイ素とはバンドギャップエネルギーが異なるため、フォトダイオードといった受光素子にも用いられる。例えば現在の赤・緑・青色などの発光ダイオードは、ほぼすべてIII-V族半導体を材料としている。また高い電子移動度を利用して、極超短波以上の増幅には、ガリウムヒ素(GaAs)を用いた電界効果トランジスタが広く使われている。 これらIII族元素とV族元素を1種類ずつ組み合わせたガリウムヒ素・リン化インジウム(InP)・窒化ガリウムといった化合物半導体を2元系混晶と呼ぶ。さらに結晶基板（ガリウムヒ素・リン化インジウム・エピタキシャル窒化ガリウムなど）の上での結晶成長により、インジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)・ゲイナス(GaInNAs)といった3元系・4元系の化合物半導体も作成できる。3元以上の混晶では、その組成比によってバンドギャップエネルギー・格子定数・光学特性を連続的に変化させられる。また結晶成長の際に格子定数を一定に保ったままバンドギャップエネルギーを変化させた層を組み合わせれば、量子井戸構造などの量子効果も得られる。.
新しい！!: 半導体とIII-V族半導体 · 続きを見る »
MOSFET
MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。.
新しい！!: 半導体とMOSFET · 続きを見る »
N型半導体
n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の電荷を持つ自由電子がキャリアとして移動することで電流が生じる。つまり、多数キャリアが電子となる半導体である。 例えば、シリコンなど4価元素の真性半導体に、微量の5価元素(リン、ヒ素など)を不純物として添加することで電子が一つ余分に生じる。この余剰の電子は伝導帯のすぐ下にあるドナー準位に収容され、このドナー準位と伝導体のバンドギャップは小さいためドナー順位の電子は熱的、光エネルギーを加えることにより電子が伝導帯に励起され自由電子となり、電気伝導性を与える。.
P型半導体
p型半導体（ピーがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして正孔(ホール)が使われる半導体である。正の電荷を持つ正孔が移動することで電流が生じる。つまり、正孔が多数キャリアとなる半導体である。 例えばシリコンなど4価元素の真性半導体に、微量の3価元素(ホウ素、アルミニウムなど)を添加することでつくられる。不純物半導体に含まれる。.
Pn接合
pn接合（ぴーえぬせつごう、pn junction）とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。.
東京工業大学
文部科学省が実施しているスーパーグローバル大学事業のトップ型指定校である。.
新しい！!: 半導体と東京工業大学 · 続きを見る »
東芝
株式会社東芝（とうしば、TOSHIBA CORPORATION）は、日本の大手電機メーカーであり、東芝グループの中核企業である。.
格子欠陥
格子欠陥（こうしけっかん, Lattice Defect）とは、結晶において空間的な繰り返しパターンに従わない要素である。格子欠陥は大別すると「不純物」と「原子配列の乱れ」があり、後者だけを格子欠陥と呼ぶときがある。狭い意味では特に格子空孔（後述）を指すこともある。伝導電子や正孔も広い意味では格子欠陥に含まれる。.
正孔
正孔（せいこう）は、ホール（Electron hole または単にhole）ともいい、物性物理学の用語。半導体（または絶縁体）において、（本来は電子で満たされているべき）価電子帯の電子が不足した状態を表す。たとえば光や熱などで価電子が伝導帯側に遷移することによって、価電子帯の電子が不足した状態ができる。この電子の不足によってできた孔（相対的に正の電荷を持っているように見える）が正孔（ホール）である。 半導体結晶中においては、周囲の価電子が次々と正孔に落ち込み別の場所に新たな正孔が生じる、という過程を順次繰り返すことで結晶内を動き回ることができ、あたかも「正の電荷をもった電子」のように振舞うとともに電気伝導性に寄与する。なお、周囲の価電子ではなく、伝導電子（自由電子）が正孔に落ち込む場合には、伝導電子と価電子の間のエネルギー準位の差に相当するエネルギーを熱や光として放出し、電流の担体（通常キャリアと呼ぶ）としての存在は消滅する。このことをキャリアの再結合と呼ぶ。 正孔は、伝導電子と同様に、電荷担体として振舞うことができる。正孔による電気伝導性をp型という。半導体にアクセプターをドーピングすると、価電子が熱エネルギーによってアクセプタ準位に遷移し、正孔の濃度が大きくなる。また伝導電子の濃度に対して正孔の濃度が優越する半導体をp型半導体と呼ぶ。 一般に正孔のドリフト移動度（あるいは単に移動度）は自由電子のそれより小さく、シリコン結晶中では電子のおよそ1/3になる。なお、これによって決まるドリフト速度は個々の電子や正孔の持つ速度ではなく、平均の速度であることに注意が必要である。 価電子帯の頂上ではE-k空間上で形状の異なる複数のバンドが縮退しており、それに対応して正孔のバンドも有効質量の異なる重い正孔(heavy hole)と軽い正孔(light hole)のバンドに分かれる。またシリコンなどスピン軌道相互作用が小さい元素においてはスピン軌道スプリットオフバンド（スピン分裂バンド）もエネルギー的に近く（Δ.
江崎玲於奈
江崎 玲於奈（えさき れおな、「崎」は清音、1925年（大正14年）3月12日 - ）は、日本の物理学者である。国外においてはレオ・エサキ（）の名で知られる。1973年（昭和48年）に日本人としては4人目となるノーベル賞（ノーベル物理学賞）を受賞した。文化勲章受章者、勲一等旭日大綬章受章者。.
波数
波数（はすう、wavenumber, wave-number）とは、波の個数のことで、物理化学および分光学の分野では が、波動力学では が記号として用いられる。 国際単位系における単位は毎メートルであるが、電磁波の波数の場合はCGS単位系の毎センチメートルを使う場合があり、カイザーという固有名称もある。.
渡辺寧
渡辺 寧（わたなべ やすし、1896年11月15日 - 1976年11月17日）は、電子工学者。茨城県生まれ。 日本における電子工学の先駆者で、日本でのトランジスタ研究の最初期の研究を統括した。他に長距離電話中継用の独自の増幅機や溶接制御用の放電管等を発明する。文化功労者。.
有機半導体
有機半導体（ゆうきはんどうたい, Organic Semiconductor, OSC）は、半導体としての性質を示す有機物のことである。 半導体特性は、ペンタセンやアントラセン、ルブレンなどの多環芳香族炭化水素や、テトラシアノキノジメタン (TCNQ) などの低分子化合物をはじめ、ポリアセチレンやポリ-3-ヘキシルチオフェン(P3HT)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)などのポリマーでも発現する。.
成長接合型トランジスタ
成長接合型トランジスタ（せいちょうせつごうがたトランジスタ）は、トランジスタの一形式。.
新しい！!: 半導体と成長接合型トランジスタ · 続きを見る »
方鉛鉱
方鉛鉱（ほうえんこう、）は、鉱物（硫化鉱物）の一種。化学組成は PbS、結晶系は等軸晶系。.
日立
日立（ひたち）.
日本電気
日本電気株式会社（にっぽんでんき、NEC Corporation、略称：NEC（エヌ・イー・シー）、旧英社名 の略）は、東京都港区芝五丁目（元・東京都港区芝三田四国町）に本社を置く住友グループの電機メーカー。 日電（にちでん）と略されることも稀にあるが、一般的には略称の『NEC』が使われ、ロゴマークや関連会社の名前などにも「NEC」が用いられている。 住友電気工業と兄弟会社で、同社及び住友商事とともに住友新御三家の一角であるが、住友の象徴である井桁マークは使用していない。.
放射線
放射線（ほうしゃせん、radiation、radial rays）とは、高い運動エネルギーをもって流れる物質粒子（アルファ線、ベータ線、中性子線、陽子線、重イオン線、中間子線などの粒子放射線）と高エネルギーの電磁波（ガンマ線とX線のような電磁放射線）の総称をいう。「放射線」に全ての電磁波を含め、電離を起こすエネルギーの高いものを電離放射線、そうでないものを非電離放射線とに分けることもあるが、一般に「放射線」とだけいうと、高エネルギーの電離放射線の方を指していることが多い 。 なお、広辞苑には「放射性元素の放射性崩壊に伴い放出される粒子放射線と電磁放射線（主にアルファ線、ベータ線、ガンマ線）を指す」広辞苑第五版 p.2432【放射線】、とあるが、これは放射性物質の放射能を問題とする文脈ではそれを指す、というくらいの意味である。.
整流器
整流器（せいりゅうき、英語：rectifier）は、電流を一方向にだけ流す（整流）作用を有する素子電気用語辞典編集委員会編 『新版 電気用語辞典』 コロナ社、1982年 「整流」「整流器」「整流素子」岡村総吾監訳 『IEEE電気・電子用語辞典』 丸善、1989年 「整流」「整流器」「整流素子」。交流を直流に変換する素子の総称であり、実際の素子としては、陰極（カソード）と陽極（アノード）の2端子、あるいは、さらに制御端子を加えた3端子のものがある。 順変換装置、またはAC-DCコンバータともいう。 また、整流器を用いて交流を直流に変換する回路を整流回路（順変換回路）という。.
ここにリダイレクトされます：
セミコンダクタ、セミコンダクター、多数キャリヤ、多数キャリヤー、多数キャリア、少数キャリヤ、少数キャリヤー、少数キャリア。
