擬似SRAMと集積回路間の類似点
擬似SRAMと集積回路は(ユニオンペディアに)共通で6ものを持っています: マイクロコントローラ、フラッシュメモリ、Dynamic Random Access Memory、SiP、Static Random Access Memory、System-on-a-chip。
マイクロコントローラ
マイクロコントローラ(microcontroller)は、コンピュータシステムをひとつの集積回路に組み込んだものである。.
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フラッシュメモリ
フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.
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Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。(通常のSRAMと同様に)揮発性(電源供給がなくなると記憶情報も失われる)であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること(寄生容量)を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.
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SiP
Pentium Proは、二枚のチップを横に並べて配置するSiP構造を採用している。左側は演算プロセッサ本体、右側は二次キャッシュメモリとなる。 SiP(system in a package)は、複数のLSIチップを1つのパッケージ内に封止した半導体および製品のこと。 対語はSOC (System-on-a-chip) 。.
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Static Random Access Memory
NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM(スタティックラム・エスラム)は、半導体メモリの一種である。ダイナミックRAM (DRAM) とは異なり、定期的なリフレッシュ(回復動作)が不要であり、内部構造的に長くても1秒〜10秒、通常は確実さのために、もっと短い間隔でリフレッシュ動作が必要で漏れ電流などにより電荷が失われる、集積回路中の素子の寄生容量を利用するという「ダイナミック」な方式であるのに対し、-->フリップフロップ等の順序回路という「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。「データ残留現象」といった性質が無いわけでもないが、基本的に電力の供給がなくなると記憶内容が失われる揮発性メモリ(volatile memory)である。但し原理上、アクセス動作が無ければ極く僅かな電力のみで記憶を保持できるため、比較的大容量のキャパシタを電池交換中のバックアップとしたり、保存性のよい電池を組み合わせて不揮発性メモリのように利用したりといった利用法もある(特に後者はフラッシュメモリ一般化以前に、ゲーム機などのカートリッジ内のセーブデータ用に多用された)。 ランダムアクセスメモリ(Random Access Memory)ではあるが、ランダムアクセスだからそう呼ばれているのではないので本来の語義からはほぼ完全に誤用として、読み書き可能という意味で慣用的にRAMと呼ばれているものである、という点についてはDRAMと同様である。.
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System-on-a-chip
System-on-a-chip(SOC、SoC)は集積回路の1個のチップ上に、プロセッサコアをはじめ一般的なマイクロコントローラが持つような機能の他、応用目的の機能なども集積し、連携してシステムとして機能するよう設計されている、集積回路製品である。 大容量のDRAMやアナログ回路の混載にはさまざまな難しさやリスクもあり、デメリットもある(後述)ため、DRAMを別チップに集積し、同一パッケージに収めたSiPの形態をとる製品もある。.
上記のリストは以下の質問に答えます
- 何擬似SRAMと集積回路ことは共通しています
- 何が擬似SRAMと集積回路間の類似点があります
擬似SRAMと集積回路の間の比較
集積回路が179を有している擬似SRAMは、10の関係を有しています。 彼らは一般的な6で持っているように、ジャカード指数は3.17%です = 6 / (10 + 179)。
参考文献
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