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エピタキシャル成長と格子定数

ショートカット: 違い類似点ジャカード類似性係数参考文献

エピタキシャル成長と格子定数の違い

エピタキシャル成長 vs. 格子定数

ピタキシャル成長(英語:epitaxial growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。 エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。 なお、現在窒化ガリウム(GaN)はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。. 格子定数(こうしていすう、こうしじょうすう、lattice constant)とは、結晶軸の長さや軸間角度のこと。単位格子の各稜間の角度 α,β,γ と、各軸の長さ a,b,c を表す6個の定数である。格子の形状等によっては、aの値のみを表すこともある。 軸の長さの単位は普通オングストロームを用い、自明として単位を付けずに数値のみを書く場合が多い。.

エピタキシャル成長と格子定数間の類似点

エピタキシャル成長と格子定数は(ユニオンペディアに)共通で0ものを持っています。

上記のリストは以下の質問に答えます

エピタキシャル成長と格子定数の間の比較

格子定数が3を有しているエピタキシャル成長は、14の関係を有しています。 彼らは一般的な0で持っているように、ジャカード指数は0.00%です = 0 / (14 + 3)。

参考文献

この記事では、エピタキシャル成長と格子定数との関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:

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