ブラウザよりも高速アクセス！Random Access Memoryと磁気コアメモリ間の類似点
Random Access Memoryと磁気コアメモリは（ユニオンペディアに）共通で15ものを持っています: 不揮発性メモリ、主記憶装置、強誘電体メモリ、リチャード・P・ファインマン、ウィリアムス管、コンピュータ、磁気抵抗メモリ、磁性、真空管、Dynamic Random Access Memory、遅延記憶装置、記憶装置、集積回路、IBM、揮発性メモリ。
不揮発性メモリ
不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.
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主記憶装置
主記憶装置（しゅきおくそうち）は、記憶装置の分類で、「補助記憶装置」が一般に外部バスなど比較的CPUから離れていて大容量だが遅い記憶装置を指すのに対し、コンピュータのメインバスなどに直接接続されている記憶装置で、レイテンシやスループットは速いが比較すると小容量である。特に、CPUが入出力命令によって外部のインタフェースを操作するのではなく、「ロード・ストア命令」や、さらには通常の加算などの命令において直接読み書きできる対象であるものを指す。メインメモリ、一次記憶装置とも。.
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強誘電体メモリ
FeRAM 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり・Ferroelectric Random Access Memory)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(【現】サイプレス・セミコンダクター)による商標で、国内では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 強誘電体膜の分極反転時間は1ns以下であり、FeRAMはDRAM並みの高速動作が期待される。.
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リチャード・P・ファインマン
リチャード・フィリップス・ファインマン（Richard Phillips Feynman, 1918年5月11日 - 1988年2月15日）は、アメリカ合衆国出身の物理学者である。.
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ウィリアムス管
ウィリアムス管(Williams tube)、あるいはより正確にウィリアムス－キルバーン管(Williams-Kilburn tube)は陰極線管による記憶装置で、ブラウン管の一種とすることもある。名前は開発者であるフレディー・ウィリアムス(Freddie Williams)とトム・キルバーン(Tom Kilburn)に由来する。 戦時中のレーダー表示用ブラウン管の研究・開発が関連しているが、コンピュータの記憶装置用としては1946年-1947年頃発明された。磁気コアメモリが登場する1950年代前半まで用いられていた。日本ではTACで採用された。 陰極線管の蛍光面に電子が衝突すると光が放出される。このとき副作用として衝突箇所の周囲は電荷がわずかに変化する。これを測定することによって陰極線管を単純な記憶装置として使用することが可能になる。電荷はすぐに失われるため繰り返し電子を衝突させることが必要であり、記憶保持動作が必要な、いわゆる（広義の）Dynamic Random Access Memoryの一種といえる。.
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コンピュータ
ンピュータ（Computer）とは、自動計算機、とくに計算開始後は人手を介さずに計算終了まで動作する電子式汎用計算機。実際の対象は文字の置き換えなど数値計算に限らず、情報処理やコンピューティングと呼ばれる幅広い分野で応用される。現代ではプログラム内蔵方式のディジタルコンピュータを指す場合が多く、特にパーソナルコンピュータやメインフレーム、スーパーコンピュータなどを含めた汎用的なシステムを指すことが多いが、ディジタルコンピュータは特定の機能を実現するために機械や装置等に組み込まれる組み込みシステムとしても広く用いられる。電卓・機械式計算機・アナログ計算機については各項を参照。.
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磁気抵抗メモリ
磁気抵抗メモリ(じきていこうめもり・Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム)は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用いるメモリと異なり、MRAMはMTJの磁化の状態（平行/反平行）によって情報記憶を行うため電源を切ってもデータが保たれる。 MTJの磁化反転方式の違いによりMRAM、Toggle MRAM、'''STT-MRAM'''（Spin Transfer Torque MRAM）、SOT-MRAM（Spin Orbit Torque MRAM）などの種類がある。.
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磁性
物理学において、磁性（じせい、magnetism）とは、物質が原子あるいは原子よりも小さいレベルで磁場に反応する性質であり、他の物質に対して引力や斥力を及ぼす性質の一つである。磁気（じき）とも言う。.
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真空管
5球スーパーラジオに使われる代表的な真空管（mT管） 左から6BE6、6BA6、6AV6、6AR5、5MK9 ここでは真空管（しんくうかん、vacuum tube、vacuum valve）電子管あるいは熱電子管などと呼ばれるものについて解説する。.
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Dynamic Random Access Memory
Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.
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遅延記憶装置
UNIVAC Iの水銀遅延線(1951) 遅延記憶装置（ちえんきおくそうち）とは、媒体が音波などを伝える際の遅れを利用し、信号を循環させ記憶装置として使用するものである。種類によっては、遅延線記憶装置（delay line memory）という。技術的にはレーダーで使う信号処理技術などから生まれたもので、黎明期のコンピュータでよく使われた。 構成方法にもよるが、たとえば加算器に直列加算器が使えるなど、部品数を抑えて多くの情報を扱えるコンピュータを作ることができる、という利点がある。これは安上がりという点だけではなく、初期のコンピュータの多くが苦労した信頼性という点でも重要である。.
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記憶装置
GB SDRAM。一次記憶装置の例 GB ハードディスクドライブ(HDD)。コンピュータに接続すると二次記憶装置として機能する SDLT テープカートリッジ。オフライン・ストレージの例。自動テープライブラリで使う場合は、三次記憶装置に分類される 記憶装置（きおくそうち）は、コンピュータが処理すべきデジタルデータをある期間保持するのに使う、部品、装置、電子媒体の総称。「記憶」という語の一般的な意味にも対応する英語としてはメモリ（memory）である。記憶装置は「情報の記憶」を行う。他に「記憶装置」に相当する英語としてはストレージ デバイス（Storage Device）というものもある。.
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集積回路
SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.
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IBM
IBM（アイビーエム、正式社名: International Business Machines Corporation）は、民間法人や公的機関を対象とするコンピュータ関連製品およびサービスを提供する企業である。本社はアメリカ合衆国ニューヨーク州アーモンクに所在する。世界170カ国以上で事業を展開している。.
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揮発性メモリ
揮発性メモリ（きはつせいメモリ、volatile memory）とは、メモリを分類する観点のひとつで、電源を供給しないと記憶している情報を保持できない性質（のメモリ）のことである。対して、電源を供給しなくても情報を失わないメモリは不揮発性メモリである。 主記憶装置はもっぱら揮発性である。.
上記のリストは以下の質問に答えます
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Random Access Memoryと磁気コアメモリの間の比較
磁気コアメモリが51を有しているRandom Access Memoryは、66の関係を有しています。 彼らは一般的な15で持っているように、ジャカード指数は12.82%です = 15 / (66 + 51)。
参考文献
この記事では、Random Access Memoryと磁気コアメモリとの関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:
