Random Access Memoryと相変化メモリ

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Random Access Memoryと相変化メモリの違い

Random Access Memory vs. 相変化メモリ

RAMの種類。上からDIP、SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) Random access memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、ROM（読み出し専用メモリ）に対して、任意に書き込みできるメモリの意で使われていることが専らである。. 変化メモリ(そうへんかめもり・Phase-change memory)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性メモリであり、PCRAM・PRAM・PCMとも呼ばれる。 DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えだけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。 結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。.

不揮発性メモリ

不揮発性メモリ（ふきはつせいメモリ、Non-volatile memory）または不揮発性記憶装置（non-volatile storage）は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。.

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データ

データ（data）とは、事実や資料をさす言葉。言語的には複数形であるため、厳密には複数の事象や数値の集まりのことを指し、単数形は datum（データム）である。.

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コンデンサ

ンデンサの形状例。この写真の中での分類としては、足のあるものが「リード形」、長方体のものが「チップ形」である 典型的なリード形電解コンデンサ コンデンサ（Kondensator、capacitor）とは、電荷（静電エネルギー）を蓄えたり、放出したりする受動素子である。キャパシタとも呼ばれる。（日本の）漢語では蓄電器（ちくでんき）などとも。 この素子のスペックの値としては、基本的な値は静電容量である。その他の特性としては印加できる電圧（耐圧）、理想的な特性からどの程度外れているかを示す、等価回路における、直列の誘導性を示す値と直列並列それぞれの抵抗値などがある。一般に国際単位系（SI）における静電容量の単位であるファラド（記号: F）で表すが、一般的な程度の容量としてはそのままのファラドは過大であり、マイクロファラド（μF.

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Dynamic Random Access Memory

Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.

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