Random Access MemoryとSiFive

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Random Access MemoryとSiFiveの違い

Random Access Memory vs. SiFive

RAMのICやモジュール。一番上のみが単体のICでありデュアルインラインパッケージ（DIP）、残りは順に SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) のモジュール Random-access memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」(SAM)と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、電源を落としても記録が消えないROM（これも本来の読み出し専用メモリからは意味がズレてきている。）に対して、電源が落ちれば記憶内容が消えてしまう短期メモリの意で使われていることが専らである。 SiFive（サイファイブ）はアメリカ合衆国のファブレス半導体企業であり、RISC-V命令セットに基づくシリコンチップ及び商業用RISC-VプロセッサIPコアのプロバイダである。 SiFive社の製品ラインアップには、IPコア、SoC、ソフトウェアならびに開発ボード等がある。 SiFive社はRISC-V命令セットを実装したチップを生産した最初の会社である。

DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (Double-Data-Rate4 Synchronous Dynamic Random Access Memory)は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 DDR3 SDRAM と同様、8ビットのプリフェッチ機能（CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能）をもつ。バンクグループを用いることで DDR3 の2倍の転送速度を実現した。 パソコンやサーバーでは2014年から、携帯電話（ARM Cortex-A57など）では2015年から使われている。インテルはHaswellマイクロアーキテクチャから使用している。また、AMDもExcavatorマイクロアーキテクチャから使用している。

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集積回路

集積回路の例（写真中央の黒色の正方形が集積回路のパッケージの外観） 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、半導体の表面に、微細かつ複雑な電子回路を形成した上でパッケージに封入した電子部品である。 集積回路は、シリコン単結晶などに代表される「半導体チップ」の表面に、不純物を拡散させることによって、トランジスタ・コンデンサ・抵抗器として動作する構造を形成したり、アルミ蒸着とエッチングによって配線を形成したりすることにより電子回路が作り込まれている電子部品である。 多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入されており、パッケージ内部で端子からチップに配線され、モールドされた状態で出荷され、半導体部品（電子部品）として流通している。

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