IDTとStatic Random Access Memory

ショートカット: 違い、類似点、ジャカード類似性係数、参考文献。

IDTとStatic Random Access Memoryの違い

IDT vs. Static Random Access Memory

Integrated Device Technology, Inc.（IDT）は、かつて存在したアメリカの半導体企業。本社はカリフォルニア州サンノゼ。通信・コンピュータ・一般向け機器などで使用する低消費電力で高性能なアナログ-デジタル混在半導体部品の設計と製造を行っていた。主にOEM製品を扱っている。1980年、通信・コンピュータ向けのCMOS製品メーカーとして創業し、特に複数の回路間でタイミングを合わせるのに不可欠なクロック関連のマイコン開発に強みを持つ。2020年をもってルネサスエレクトロニクスに吸収合併され、「ルネサスエレクトロニクス・アメリカ」となった。 NESクローンに使われていた2K×8ビットSRAM Static RAM・SRAM（スタティックラム・エスラム）は、半導体メモリの一種である。DRAM（ダイナミック（動的）RAM）に対して、「スタティック(静的)な回路方式により情報を記憶するもの」であることからその名がある。詳しくは概要を参照。 読み書き可能という意味で慣用的に名前にRAM（ランダムアクセスメモリ、Random Access Memory）が入っているが、厳密には本来の意味とは異なるため、当該項目を参照されたい。これはDRAMも同様である。

マイクロプロセッサ

マイクロプロセッサ（microprocessor）は、広義には、プロセッサをマイクロチップに実装したものである。（狭義には）デジタルコンピューターの中央処理装置（CPU)の機能を実行するために必要な算術回路、論理回路、制御回路を含むきわめて小さな電子デバイスのこと。MPU（micro-processing unit）ともいう。

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CMOS

CMOS（シーモス、Complementary Metal-Oxide-Semiconductor; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）で相補的に利用する回路方式、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『#その他の用例』参照）。 相補型MOS（CMOS）プロセスは、フェアチャイルドセミコンダクター社のフランク・ワンラスが考案し、翌1963年にワンラスとが学会で発表したのが始まりである。RCA社は1960年代後半に「COS-MOS」という商標で商品化し、他のメーカーに別の名称を探させ、1970年代前半には「CMOS」が標準的な名称となるに至った。

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電子回路

I/Oが1つのチップに集積されている。 プリント基板を使った電子回路 電子回路（でんしかいろ、electronic circuit）は、ダイオードやトランジスタなどの能動素子を構成要素に含む電気回路。 岩田聡『電子回路 新インターユニバーシティ』2008年、1頁。 一般に抵抗、キャパシタンス、インダクタンスといった受動素子のみを構成要素とする電気回路とは区別される。 受動素子のみを構成要素とする電気回路は線形回路であり回路方程式から解析的な解が得られるのに対し、能動素子を構成要素に含む電子回路は非線形回路であるため等価回路を用いた解析が必要であり性質が大きく異なる。-->。

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X86

x86（エックスはちろく）は、Intel 8086およびその命令セットアーキテクチャ、およびそれと互換性を備えた命令セットを持つマイクロプロセッサ群の総称である。広義にはインテル以外のメーカー（AMDなど）の互換プロセッサを、さらに広義にはx86と互換性を保ちつつAMDによって64ビットに拡張され、それにインテルが追随し世に普及したx64（x86-64）アーキテクチャも含む。 初期は純粋なスカラープロセッサであったが、1997年にマルチメディア等のデータ処理のためにベクトル計算の機能を取り込んだ以降はハイブリッドなプロセッサとして進化を続けているSIMD命令としては1997年に初めてMMXが追加され、以降もSSEやAVXなどといったより強力な命令が追加されている。

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