ブラウザよりも高速アクセス！EPROMと集積回路間の類似点
EPROMと集積回路は（ユニオンペディアに）共通で13ものを持っています: 半導体メモリ、ナノメートル、マイクロコントローラ、メガビット、パッケージ (電子部品)、フラッシュメモリ、インテル、ケイ素、コンピュータ、CMOS、EEPROM、Random Access Memory、Read only memory。
半導体メモリ
揮発性メモリの一種、DDR2 SDRAMを搭載したノートPC用のメモリ、SO-DIMM 半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。.
ナノメートル
ナノメートル（nanometre、記号: nm）は、国際単位系の長さの単位で、10−9メートル (m).
マイクロコントローラ
マイクロコントローラ(microcontroller)は、コンピュータシステムをひとつの集積回路に組み込んだものである。.
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メガビット
メガビット (megabit) はデータの量の単位の一つで、Mビット (Mbit)、あるいは Mb とも略記される（"M" は大文字、"b" は小文字）。 1 メガビットは 100,000,000ビットに等しい（ただし、後述するように場合によって異なる）。 メガビットがよく使われるのは、データの転送速度や処理速度を表す場合で、たとえば「100 Mbit/s Fast イーサネット」のように使われる。ADSLなどの一般家庭向け高速インターネット接続の速度はメガビット単位で表現されることが多い。電気通信分野では、メガ (M) はほぼ例外なく10進接頭辞（SI接頭辞）で、 1 メガビットは 106.
パッケージ (電子部品)
電子部品のパッケージ（外周器:がいしゅうき）とは、電気製品を構成する個別部品の外形を構成する部分であり、通常は小さな電子部品を包む樹脂や金属、セラミックを指す。 1mm方眼紙上のチップ抵抗（3216サイズ） アキシャルリード 電解コンデン.
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フラッシュメモリ
フラッシュメモリ (Flash Memory) は、FETでホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入してデータ記録を行う不揮発性メモリである。舛岡富士雄が東芝在籍時に発明した。発表に際し、消去が「ぱっと一括して」できる機能から、写真のフラッシュの印象でフラッシュメモリと命名した。.
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インテル
インテル（英:Intel Corporation）は、アメリカ合衆国カリフォルニア州に本社を置く半導体素子メーカーである。 社名の由来はIntegrated Electronics（集積されたエレクトロニクス）の意味である。.
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ケイ素
イ素（ケイそ、珪素、硅素、silicon、silicium）は、原子番号 14 の元素である。元素記号は Si。原子量は 28.1。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。 地殻中に大量に存在するため鉱物の構成要素として重要であり、ケイ酸塩鉱物として大きなグループを形成している。これには Si-O-Si 結合の多様性を反映したさまざまな鉱物が含まれている。しかしながら生物とのかかわりは薄く、知られているのは、放散虫・珪藻・シダ植物・イネ科植物などにおいて二酸化ケイ素のかたちでの骨格への利用に留まる。栄養素としての必要性はあまりわかっていない。炭素とケイ素との化学的な類似から、SF などではケイ素を主要な構成物質とするケイ素生物が想定されることがある。 バンドギャップが常温付近で利用するために適当な大きさであること、ホウ素やリンなどの不純物を微量添加させることにより、p型半導体、n型半導体のいずれにもなることなどから、電子工学上重要な元素である。半導体部品として利用するためには高純度である必要があり、このため精製技術が盛んに研究されてきた。現在、ケイ素は99.9999999999999 % (15N) まで純度を高められる。また、Si(111) 基板はAFMやSTMの標準試料としてよく用いられる。.
コンピュータ
ンピュータ（Computer）とは、自動計算機、とくに計算開始後は人手を介さずに計算終了まで動作する電子式汎用計算機。実際の対象は文字の置き換えなど数値計算に限らず、情報処理やコンピューティングと呼ばれる幅広い分野で応用される。現代ではプログラム内蔵方式のディジタルコンピュータを指す場合が多く、特にパーソナルコンピュータやメインフレーム、スーパーコンピュータなどを含めた汎用的なシステムを指すことが多いが、ディジタルコンピュータは特定の機能を実現するために機械や装置等に組み込まれる組み込みシステムとしても広く用いられる。電卓・機械式計算機・アナログ計算機については各項を参照。.
CMOS
CMOS（シーモス、Complementary MOS; 相補型MOS）とは、P型とN型のMOSFETをディジタル回路（論理回路）の論理ゲート等で相補的に利用する回路方式（論理方式）、およびそのような電子回路やICのことである。また、そこから派生し多義的に多くの用例が観られる（『#その他の用例』参照）。.
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EEPROM
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）は不揮発性メモリの一種で、コンピュータなどの電子機器で電源を切っても保持しておくべきデータを格納するのに使われている。例えば、校正に関するデータや機器の設定情報などのデータである。 USBメモリのように大量のデータを格納する用途では、従来型のEEPROMよりもその一種であるフラッシュメモリなどの方が経済的である。EEPROMはフローティングゲートMOSFETの配列でできている。.
Random Access Memory
RAMの種類。上からDIP、SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) Random access memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、ROM（読み出し専用メモリ）に対して、任意に書き込みできるメモリの意で使われていることが専らである。.
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Read only memory
Read only memory（リードオンリーメモリ、ROM: ロム）は、記録されている情報を読み出すことのみ可能なメモリである。読み出し専用メモリともいう。.
上記のリストは以下の質問に答えます
- 何EPROMと集積回路ことは共通しています
- 何がEPROMと集積回路間の類似点があります
EPROMと集積回路の間の比較
集積回路が179を有しているEPROMは、40の関係を有しています。 彼らは一般的な13で持っているように、ジャカード指数は5.94%です = 13 / (40 + 179)。
参考文献
この記事では、EPROMと集積回路との関係を示しています。情報が抽出された各記事にアクセスするには、次のURLをご覧ください:
