DDR3 SDRAMとRandom Access Memory

ショートカット: 違い、類似点、ジャカード類似性係数、参考文献。

DDR3 SDRAMとRandom Access Memoryの違い

DDR3 SDRAM vs. Random Access Memory

DDR3 SDRAM (Double-Data-Rate3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 2007年頃からパーソナルコンピュータの主記憶装置などに用いられるようになり、2010年以降は市場の主流となっている。スマートデバイスなどの組み込み向けとしても、2013年以降の高性能品（ARM Cortex-A15など）に使われるようになった。インテルはNehalemマイクロアーキテクチャ（2008年）から使用している。. RAMの種類。上からDIP、SIPP、SIMM 30ピン、SIMM 72ピン、DIMM (SDRAM)、DIMM(DDR-SDRAM) Random access memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）とは、コンピュータで使用するメモリの一分類である。本来は、格納されたデータに任意の順序でアクセスできる（ランダムアクセス）メモリといった意味で、かなりの粗粒度で「端から順番に」からしかデータを読み書きできない「シーケンシャルアクセスメモリ」と対比した意味を持つ語であった。しかし本来の意味からズレて、ROM（読み出し専用メモリ）に対して、任意に書き込みできるメモリの意で使われていることが専らである。.

主記憶装置

主記憶装置（しゅきおくそうち）は、記憶装置の分類で、「補助記憶装置」が一般に外部バスなど比較的CPUから離れていて大容量だが遅い記憶装置を指すのに対し、コンピュータのメインバスなどに直接接続されている記憶装置で、レイテンシやスループットは速いが比較すると小容量である。特に、CPUが入出力命令によって外部のインタフェースを操作するのではなく、「ロード・ストア命令」や、さらには通常の加算などの命令において直接読み書きできる対象であるものを指す。メインメモリ、一次記憶装置とも。.

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デュアルチャネル

デュアルチャネルまたはデュアルチャンネル（Dual-channel）とは、広義には同一の規格の通信インターフェイスを二重に備えること。狭義としてはパソコンに搭載されているランダムアクセスメモリ（RAM）の規格において、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAMに対応したマザーボードを用い、メモリとノースブリッジ間（メモリバス）のデータの転送速度を2倍に引き上げる技術である。また、3～4枚一組のRAMを使用するトリプルチャネルやクアッドチャネルも存在する。 本項では狭義について述べる。.

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DDR SDRAM

DDR SDRAM (PC3200) DDR SDRAM (Double-Data-Rate SDRAM)は、SDRAMの一種で、クロックの立ち上がり/立ち下がりの両方を使うことで、片エッジのみ使用する（SDRの）SDRAMの倍速（Double-Data-Rate）でデータを転送する。また、その規格のひとつで最初のもの。DDR2が後継である。 DDR規格のプリフェッチバッファの深さ（depth）は2(ビット)である。 後継のDDR2にとって代わられるまで、パーソナルコンピュータにおいて2001年〜2005年頃（Pentium 3後期〜Pentium 4前期）の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2007年〜2011年頃（ARM11やCortex-A8など）に用いられていた。 DDR SDRAMのメモリにはメモリチップとメモリモジュールの2つの規格が存在し、メモリチップ規格はチップの最大動作周波数、メモリモジュール規格はモジュールと機器間の最大転送速度を示している。.

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DDR2 SDRAM

ヒートスプレッダ付のDDR2 SDRAM（PC2-6400） ノートPCなどで使われるSO-DIMM DDR2 SDRAM (Double-Data-Rate2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 4ビットのプリフェッチ機能（CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能）をもつ。内部クロックの2倍の外部クロックを用いるため、クロックの等倍で動作するDDR SDRAMの2倍、SDRAMの4倍のデータ転送速度が理論上得られる。パーソナルコンピュータにおいて2005年〜2009年頃（Pentium 4後期〜Intel Core 2）の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2011年から（Cortex-A9など）用いられている。.

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DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (Double-Data-Rate4 Synchronous Dynamic Random Access Memory)は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 DDR3 SDRAM と同様、8ビットのプリフェッチ機能（CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能）をもつ。バンクグループを用いることで DDR3 の2倍の転送速度を実現した。 パソコンやサーバーでは2014年から、携帯電話（ARM Cortex-A57など）では2015年から使われている。インテルはHaswellマイクロアーキテクチャから使用している。また、AMDもZenマイクロアーキテクチャから使用している。.

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Dynamic Random Access Memory

Dynamic Random Access Memory（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム）は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、コンピュータの主記憶装置やディジタル・テレビやディジタル・カメラなど多くの情報機器の、内部での大規模な作業用記憶として用いられている。（通常のSRAMと同様に）揮発性（電源供給がなくなると記憶情報も失われる）であるばかりでなく、ICチップ中の素子に小さなキャパシタが付随すること（寄生容量）を利用した記憶素子であるため、常にリフレッシュ（記憶保持動作）を必要とするダイナミックメモリであることからその名がある。SRAMに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、今のところ大容量を安価に提供できるという利点から、DRAMが使われ続けている。.

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集積回路

SOPパッケージに封入された標準ロジックICの例 集積回路（しゅうせきかいろ、integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型のパッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。.

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GDDR3

GDDR3 (Graphics Double Data Rate 3) は、ATI Technologiesによって開発された、ビデオカード用のメモリー技術である。 技術的にはDDR2 SDRAMと類似しているが、高速なメモリーチップを搭載し、冷却装置を単純にするため、電力と放熱の条件は緩和された。DDR2と異なり、GDDR3はJEDECのDDR3 SDRAM仕様とは無関係である。このメモリは、グラフィックの要求を確実に扱うために、内部にターミネータを備える。また、帯域幅を広げるために、GDDR3メモリーはクロック信号1周期につき2ビットを転送する。 GDDR3はATIにより開発されたが、最初に採用した製品はNVIDIAのGeForce 5700 Ultraであり、2番目に採用した製品はNVIDIAのGeForce 6800 Ultraであった。これは、消費電力を前世代のGeForce 5950 Ultraと同程度に抑えるためである。ATIはRADEON X 800からGDDR3を採用した。以降、この2大陣営の多くの製品で用いられた。その後、後継規格のGDDR4へ移行。2009年現在はAMD（ATI）より新規格GDDR5が発表され、搭載製品が発売されている。.

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